Abstract:
The invention relates to an optical system, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus, and to a method for heating an optical element in an optical system. According to one aspect, an optical system according to the invention comprises an optical element (450) and at least one heating unit (100, 200) for heating said optical element by applying electromagnetic radiation to the optical element, wherein the heating unit comprises as part of an optical collimator (110, 310) and/or as part of a telescope (130, 140, 230, 430), at least one mirror having a non-plane optical effective surface.
Abstract:
The invention relates to a mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus. A mirror according to the invention has an optical effective surface (101, 201, 301), a mirror substrate (110, 210, 310, 410), a reflection layer system (120, 220, 320) for reflecting electromagnetic radiation that is incident on the optical effective surface (101, 201, 301), at least one actuator layer which is configured to transmit an adjustable mechanical force on the reflection layer system (120, 220, 320), thereby producing a locally variable deformation of the optical effective surface (101, 201, 301), and at least one cooling device configured to at least partially dissipate heat generated by said actuator layer.
Abstract:
The invention relates to a mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus, comprising an optical effective surface, a mirror substrate (10, 21, 31, 41, 50, 70, 80), a reflection layer stack (28, 38, 48, 75, 85) for reflecting electromagnetic radiation that is incident on the optical effective sur¬ face, at least one first electrode arrangement (24, 34, 44), at least one second electrode arrangement (23, 33, 43), and an actuator layer system situated between the first electrode arrangement and the second electrode arrangement, wherein said actuator layer system is arranged between the mirror substrate (10, 21, 31, 41, 50, 70, 80) and the reflection layer stack (28, 38, 48, 75, 85), said actuator layer system comprising a piezoelectric layer (25, 35, 45) and, in reaction to an electrical voltage being applied between the first electrode arrangement and the second electrode arrangement, exhibiting a deformation response (11, 51) characterizing the linear deformation of the actuator layer system in a direction perpendicular to the optical effective surface for a pre¬ defined value of the electrical voltage, wherein said deformation response varies locally by at least 20% in the PV value for a predefined electrical voltage that is spatially constant across the piezoelectric layer.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Gemäß einem Aspekt weist ein erfindungsgemäßer Spiegel ein Spiegelsubstrat (12), einen Reflexionsschichtstapel (21) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11) auftreffender elektromagnetischer Strahlung, und wenigstens eine piezoelektrischen Schicht (16) auf, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtstapel angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtstapel zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist, wobei sowohl die erste Elektrodenanordnung als auch die zweite Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden (20a, 20b) aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung (19a, 19b) mit einer elektrischen Spannung bezogen auf die jeweils andere Elektrodenanordnung beaufschlagbar sind, wobei jeder dieser Elektrodenanordnungen jeweils eine separate Vermittlerschicht (17a, 17b) zur Einstellung eines kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang der jeweiligen Elektrodenanordnung zugeordnet ist, und wobei sich diese Vermittlerschichten in ihrem mittleren elektrischen Widerstand um einen Faktor von wenigstens 1.5 voneinander unterscheiden.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein optisches Element zur Verwendung in einem optischen System, insbesondere in einem optischen System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage oder einer Maskeninspektionsanlage, sowie ein Verfahren zur Korrektur der Wellenfrontwirkung eines optischen Elements. Ein erfindungsgemäßes optisches Element weist wenigstens eine Korrekturschicht (12, 22) und einen Manipulator zur Manipulation der Schichtspannung in dieser Korrekturschicht derart auf, dass eine in dem optischen System vorhandene Wellenfrontaberration durch diese Manipulation wenigstens teilweise korrigierbar ist, wobei der Manipulator eine Strahlungsquelle zur ortsaufgelösten Bestrahlung der Korrekturschicht (12, 22) mit elektromagnetischer Strahlung (5) aufweist, und wobei durch diese ortsaufgelöste Bestrahlung eine Mehrzahl von zueinander beabstandeten, in ihrer Struktur jeweils in gleicher weise modifizierten Bereichen (12a, 12b, 12c,...; 22a, 22b, 22c,... ) in der Korrekturschicht (12, 22) erzeugbar ist.
Abstract:
Optisches System (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), mit einem ersten Modul (202), das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs (214) zu umschließen, einem mit dem ersten Modul (202) verbindbaren zweiten Modul (204), das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs (214) zu umschließen, und einer an dem ersten Modul (202) vorgesehenen Sensoreinrichtung (228), die dazu eingerichtet ist, eine Lage des zweiten Moduls (204) relativ zu dem ersten Modul (202) unabhängig und/oder außerhalb von dem Strahlengang (214) zu erfassen, um das erste Modul (202) und das zweite Modul (204) basierend auf von der Sensoreinrichtung (228) erfassten Messwerten zueinander auszurichten, wobei das erste Modul (202) und/oder das zweite Modul (204) einen Spiegel (212, 222) aufweist.
Abstract:
The present invention relates to an optical module with a first and a second component (108, 109), a supporting structure (112) and an anticollision device (114). The first component (108) is supported by the supporting structure (112) and is arranged adjacent to and at a distance from the second component (109) to form a gap. The supporting structure (112) defines a path of relative movement, on which the first and second components (108, 109) move in relation to one another under the influence of a disturbance, a collision between collision regions (108.1, 109.1) of the first and second components (108, 109) occurring if the anticollision device (114) is inactive. The anticollision device (114) comprises a first anticollision unit (114.1) on the first component (108), which produces a first field, and a second anticollision unit on the second component (109), which is assigned to the first anticollision unit (114.1) and produces a second field. As the first and second components (108, 109) increasingly approach each other, the first and second fields produce an increasing counter-force on the first component (108) that counteracts the approach. The first and/or second anticollision unit (114.1, 114.2) comprises a plurality of anticollision elements producing partial fields, which are assigned to one another in such a way that the superimposition of their partial fields produces a field with a field line density that decreases more sharply with increasing distance from the anticollision unit (114.1, 114.2) along the path of relative movement than a field line density of one of the partial fields.
Abstract:
Mirror arrangement (1) for a lithography exposure apparatus (WSC) comprising a plurality of mirror elements (2a, 2b) adjacently arranged and jointly forming a mirror surface (3) of the mirror arrangement (1 ). Each mirror element (2a, 2b) comprises a substrate (4a, 4b) and a multilayer arrangement (5a, 5b) on the substrate (4a, 4b). The multilayer arrangement (5a, 5b) includes a reflective layer system (6a, 6b) having a radiation entrance surface (7a, 7b) forming a portion of the mirror surface (3) and a piezoelectric layer (8a, 8b) arranged between the radiation entrance surface (7a, 7b) and the substrate (4a, 4b). Each mirror element (2a, 2b) comprises an electrode arrangement (9a, 9b, 9c) associated with the piezoelectric layer (8a, 8b) for generating an electric field, wherein a layer thickness (tp) of the piezoelectric layer (8a, 8b) can be controlled by the electric field. An interconnection arrangement (10) electrically interconnecting adjacent first and second electrodes (9a, 9b) of adjacent electrode arrangements (9a, 9b, 9c) is provided. According to one formulation the interconnection arrangement (10) generates an interconnection electric field in a gap region (1 1 ) between the first and second electrodes (9a, 9b), wherein the interconnection electric field generates a continuous transition between a first electric field at the first electrode (9a) and a second electric field at the second electrode (9b). According to another formulation an electric resistance (Ri) of the interconnection arrangement (10) in a gap region (11) between the first and second electrodes (9a, 9b) is greater than an electric resistance (Rw) of the first and second electrodes (9a, 9b) and less than an electric resistance (RI) of the piezoelectric layers (8a, 8b) of the adjacent electrode arrangements (9a, 9b, 9c) with the first and second electrodes (9a, 9b).
Abstract:
Ein Beleuchtungssystem (ILL) für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes mit dem Licht einer primären Lichtquelle umfasst eine Pupillenformungseinheit (PFU) zum Empfang von Licht der primären Lichtquelle (LS) und zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung in einer Pupillenformungsfläche (PUP) des Beleuchtungssystems, ein Übertragungssystem (TRANS) zur Übertragung der Intensitätsverteilung in ein Zwischen-Beleuchtungsfeld (IF), das in einer Zwischenfeldebene (IFP) liegt; und ein optisches Abbildungssystem (IMS) zur Abbildung des in der Zwischenfeldebene angeordneten Zwischen-Beleuchtungsfeldes in das Beleuchtungsfeld, das in einer zur Zwischenfeldebene optisch konjugierten Austrittsebene (EX) des Beleuchtungssystems liegt. Das Beleuchtungssystem ist dadurch gekennzeichnet, dass das optische Abbildungssystem (IMS) ein katadioptrisches Abbildungssystem mit einer Vielzahl von Linsen und mindestens einem Konkavspiegel (CM) ist.
Abstract:
A projection exposure apparatus with a projection lens (12), a wavefront manipulator and a wavefront measuring device for measuring a wavefront in the projection lens (12), the wavefront measuring device comprising a Moiré grating arrangement (14), having an object grating (16) and an image grating (18) which are designed to be arranged in an object plane (20) and an image plane (22), respectively, of the projection lens (12), wherein the object grating (16) and the image grating (18) are coordinated with one another in a manner true to scale in such a way as to generate a Moiré superimposition pattern from an imaging (24) of the object grating (16) onto the image plane (22) and the image grating (18), wherein the Moiré grating arrangement (14) is designed in such a way as to simultaneously generate the Moiré superimposition pattern for a plurality of field points of an object field (26) in the object plane (20) and/or of an image field (28) in the image plane (22).