Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Ein erfindungsgemäßer Spiegel (10) weist eine optische Wirkfläche (1 1 ), ein Spiegelsubstrat (12), einen Reflexionsschichtstapel (21 ) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (1 1 ) auftreffender elektromagnetischer Strahlung und wenigstens zwei piezoelektrische Schichten (16a, 16b, 16c), welche zwischen Spiegelsubstrat (12) und Reflexionsschichtstapel (21 ) in Stapelrichtung des Reflexionsschichtstapels (21 ) aufeinanderfolgend angeordnet und mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar sind, auf, wobei zwischen diesen piezoelektrischen Schichten (16a, 16b, 16c) wenigstens eine Zwischenschicht (22a, 22b) aus kristallinem Material angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht (22a, 22b) derart ausgestaltet ist, dass sie ein im Bereich der in Stapelrichtung des Reflexionsschichtstapels (21 ) an die Zwischenschicht (22a, 22b) angrenzenden piezoelektrischen Schichten (16a, 16b, 16c) anliegendes elektrisches Feld im Wesentlichen unbeeinflusst lässt.
Abstract:
Ein erfindungsgemäßer Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit einem Spiegelsubstrat (12, 32, 52) weist auf: Einen Reflexionsschichtstapel (21, 41, 61) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11, 31, 51 ) auftreffender elektromagnetischer Strahlung einer Arbeitswellenlänge, und wenigstens eine piezoelektrische Schicht (16, 36, 56), welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtstapel angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtstapel zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (20, 40, 60) und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (14, 34, 54) mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Gemäß einem Aspekt ist eine Verspannungsschicht (98) vorgesehen, welche ein mit der Beaufschlagung mit einem elektrischen Feld einhergehendes Einsinken der piezoelektrischen Schicht (96) in das Spiegelsubstrat (92) im Vergleich zu einem analogen Aufbau ohne die Verspannungsschicht reduziert und damit die effektive Auslenkung der piezoelektrischen Schicht (96) erhöht.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche aufweist, mit einem Spiegelsubstrat (205, 305), einer Reflexionsschicht (220, 320), welche derart ausgestaltet ist, dass der Spiegel für elektromagnetische Strahlung einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge, welche auf die optische Wirkfläche (200a, 300a) unter einem auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Einfallswinkel von wenigstens 65° auftrifft, eine Reflektivität von wenigstens 50% besitzt, und einer Substratschutzschicht (210, 310), welche zwischen dem Spiegelsubstrat (205, 305) und der Reflexionsschicht (220, 320) angeordnet ist, wobei die Substratschutzschicht (210, 310) für EUV-Strahlung eine Transmission von weniger als 0.1% aufweist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Ein erfindungsgemäßer Spiegel (10, 30) weist eine optische Wirkfläche (11, 31) auf, ein Spiegelsubstrat (12, 32), einen Reflexions schichtstapel (21, 41) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung und wenigstens eine piezoelektrische Schicht (16, 36), welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtstapel angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtstapel zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (20, 40) und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (14, 34) mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist, wobei die erste Elektrodenanordnung und/oder die zweite Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden (20a, 20b, 20c,..., 40a, 40b, 40c,... ) aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung (19a, 19b, 19c,..., 39a, 39b, 39c,... ) mit einer elektrischen Spannung bezogen auf die jeweils andere Elektrodenanordnung beaufschlagbar sind, wobei ferner eine Abschirmschicht (22, 42) aus elektrisch leitendem Material der art angeordnet ist, dass sie ein von diesen Zuleitungen erzeugtes elektrisches Feld wenigstens teilweise von der piezoelektrischen Schicht abschirmt.
Abstract:
The invention relates to a projection exposure apparatus (400, 100) comprising a projection objective (408, 107, 200), the projection objective (408, 107, 200) comprising an optical device (1), the optical device (1) comprising an optical element (2) having an optically effective surface (2a) and at least one electrostrictive actuator (3), which is deformable by a control voltage being applied, wherein the electrostrictive actuator (3) is functionally connected to the optical element (2) in order to influence the surface shape of the optically effective surface (2a). A control device (4) is provided in order to supply the electrostrictive actuator (3) with the control voltage, wherein a measuring device (5) is provided, which is configured, at least at times while the electrostrictive actuator (3) influences the optically effective surface (2a) of the optical element (2), to measure directly and/or to determine indirectly the temperature and/or a temperature change of the electrostrictive actuator (3) and/or the surroundings thereof in order to take account of a temperature-dependent influence during driving of the electrostrictive actuator (3) by the control device (4).
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Spiegelanordnung (30), umfassend: ein Substrat (31), welches eine Vorderseite (31a) mit einer Spiegelfläche (32a) zur Reflexion von Strahlung (5) sowie eine der Vorderseite (31a) abgewandte Rückseite (31b) aufweist, an der mindestens ein Aktuator (27) zur Erzeugung von Deformationen der Spiegelfläche (32a) angeordnet ist, wobei ein Wasserdampf (36) aufnehmendes, insbesondere organisches Material (33, 42) an der Rückseite (31b) des Substrats (31) gebildet ist, und wobei das Wasserdampf (36) aufnehmende Material bevorzugt eine Kleberschicht (33) zur Befestigung des mindestens einen Aktuators (27) an der Rückseite (31b) des Substrats (31) bildet, die sich insbesondere in Zwischenräume (35) zwischen den Aktuatoren (27) erstreckt. Eine Oberfläche (33a, 42a) des Wasserdampf (36) aufnehmenden Materials (33, 42), insbesondere eine Oberfläche (33a) der Kleberschicht (33), ist zumindest teilweise, insbesondere vollständig von einer Beschichtung (37) überdeckt, die eine Wasserdampf-Diffusionsbarriere bildet. Die Erfindung betrifft auch eine optische Anordnung, insbesondere eine EUV- Lithographievorrichtung oder eine DUV-Lithographievorrichtung, die mindestens eine solche Spiegelanordnung (30) umfasst.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine optische Anordnung (1 ) für EUV-Strahlung, umfassend: mindestens ein reflektierendes optisches Element (16), das einen Grundkörper (30) mit einer EUV-Strahlung (33) reflektierenden Beschichtung (31 ) aufweist. An mindestens einem Oberflächenbereich (35) des Grundkörpers (30) ist mindestens eine Abschirmung (36) angebracht, die den mindestens einen Oberflächenbereich (35) vor einer Ätzwirkung eines das reflektierende optische Element (16) im Betrieb der optischen Anordnung (1 ) umgebenden Plasmas (H+, H*) schützt. Ein Abstand (A) zwischen der Abschirmung (36) und dem Oberflächenbereich (35) des Grundkörpers (30) ist kleiner als das Doppelte der Debye-Länge (ho), bevorzugt kleiner als die Debye-Länge (ÄD) des umgebenden Plasmas (H+, H*).
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche aufweist, mit einem Substrat (11, 61, 71, 81, 91), einem Reflexionsschichtsystem (16, 66, 76, 86, 96) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (10a, 60a, 70a, 80a, 90a) auftreffender elektromagnetischer Strahlung, einer auf dem Substrat (11, 61, 71, 81, 91) vorgesehenen Elektrodenanordnung (13, 63, 73, 83) aus einem ersten Material mit einer ersten elektrischen Leitfähigkeit und einer Vermittlerschicht (12, 62, 72, 82, 92) aus einem zweiten Material mit einer zweiten elektrischen Leitfähigkeit, wobei das Verhältnis zwischen der ersten und der zweiten elektrischen Leitfähigkeit wenigstens 100 beträgt, wobei der Spiegel wenigstens eine Kompensationsschicht (88) aufweist, welche den Einfluss einer thermischen Ausdehnung der Elektrodenanordnung (83) auf die Deformation der optischen Wirkfläche (80a) wenigstens teilweise kompensiert.
Abstract:
The invention relates to a mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus, comprising an optical effective surface, a mirror substrate (10, 21, 31, 41, 50, 70, 80), a reflection layer stack (28, 38, 48, 75, 85) for reflecting electromagnetic radiation that is incident on the optical effective sur¬ face, at least one first electrode arrangement (24, 34, 44), at least one second electrode arrangement (23, 33, 43), and an actuator layer system situated between the first electrode arrangement and the second electrode arrangement, wherein said actuator layer system is arranged between the mirror substrate (10, 21, 31, 41, 50, 70, 80) and the reflection layer stack (28, 38, 48, 75, 85), said actuator layer system comprising a piezoelectric layer (25, 35, 45) and, in reaction to an electrical voltage being applied between the first electrode arrangement and the second electrode arrangement, exhibiting a deformation response (11, 51) characterizing the linear deformation of the actuator layer system in a direction perpendicular to the optical effective surface for a pre¬ defined value of the electrical voltage, wherein said deformation response varies locally by at least 20% in the PV value for a predefined electrical voltage that is spatially constant across the piezoelectric layer.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Gemäß einem Aspekt weist ein erfindungsgemäßer Spiegel ein Spiegelsubstrat (12), einen Reflexionsschichtstapel (21) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11) auftreffender elektromagnetischer Strahlung, und wenigstens eine piezoelektrischen Schicht (16) auf, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtstapel angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtstapel zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist, wobei sowohl die erste Elektrodenanordnung als auch die zweite Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden (20a, 20b) aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung (19a, 19b) mit einer elektrischen Spannung bezogen auf die jeweils andere Elektrodenanordnung beaufschlagbar sind, wobei jeder dieser Elektrodenanordnungen jeweils eine separate Vermittlerschicht (17a, 17b) zur Einstellung eines kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang der jeweiligen Elektrodenanordnung zugeordnet ist, und wobei sich diese Vermittlerschichten in ihrem mittleren elektrischen Widerstand um einen Faktor von wenigstens 1.5 voneinander unterscheiden.