公开(公告)号：WO2010014433A3

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：PCT/US2009050916

申请日：2009-07-17

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  TODOROW VALENTIN N ,  BANNA SAMER ,  RAMASWAMY KARTIK ,  WILLWERTH MICHAEL D

Inventor： TODOROW VALENTIN N ,  BANNA SAMER ,  RAMASWAMY KARTIK ,  WILLWERTH MICHAEL D

IPC: H05H1/34 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321

Abstract: Embodiments of field enhanced inductively coupled plasma reactors and methods of use of same are provided herein. In some embodiments, a field enhanced inductively coupled plasma processing system may include a process chamber having a dielectric lid and a plasma source assembly disposed above the dielectric lid. The plasma source assembly includes one or more coils configured to inductively couple RF energy into the process chamber to form and maintain a plasma therein, one or more electrodes configured to capacitively couple RF energy into the process chamber to form the plasma therein, wherein the one or more electrodes are electrically coupled to one of the one or more coils, and an RF generator coupled to the one or more inductive coils and the one or more electrodes. In some embodiments, a heater element may be disposed between the dielectric lid and the plasma source assembly,

Abstract translation: 本文提供了场增强电感耦合等离子体反应器的实施例及其使用方法。 在一些实施例中，场增强感应耦合等离子体处理系统可包括具有电介质盖和设置在电介质盖上方的等离子体源组件的处理室。 等离子体源组件包括一个或多个线圈，其配置成将RF能量感应耦合到处理室中以在其中形成和维持等离子体，一个或多个电极被配置为将RF能量电容耦合到处理室中以在其中形成等离子体，其中， 或多个电极电耦合到所述一个或多个线圈中的一个，以及耦合到所述一个或多个感应线圈和所述一个或多个电极的RF发生器。 在一些实施例中，加热器元件可以设置在电介质盖和等离子体源组件之间，

公开(公告)号：WO2009151270A2

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：PCT/KR2009/003107

申请日：2009-06-10

Applicant: 네스트 주식회사 ,  김영

Inventor： 김영

IPC: H05H1/34

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/321

Abstract: 본 발명은 플라즈마 소스에 관한 것으로서, 봉 형상의 코아, 상기 코아의 단부로부터 수평의 나선형으로 일정 길이만큼 연장되고 상호 대칭되도록 배치된 m(m은 양의 정수)개의 허브, 상기 각 허브의 단부로부터 연속 연장되어 수평의 나선형으로 a/m회 (a와 m은 양의 정수) 회전하고 일정 길이 수평 연장후 다시 수평의 나선형으로 a/m 회 회전하되, 이후 상기 수평 연장 및 a/m 회 회전 구조가 복수회 반복된 구조를 갖는 메인 코일로 구성되어, 전체적으로 균일한 유도 자장 및 유도 전장을 나타내어 공정의 균일성에 기여할 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 等离子体源技术领域本发明涉及等离子体源，并且包括棒状芯，m（其中m为正整数）的毂和主线圈。 轮毂从芯部的端部以水平螺旋形延伸一定长度并且彼此对称地布置。 主线圈从每个轮毂的端部连续延伸，并以水平螺旋方式a / m次（其中a和m为正整数），并在水平延伸一次之后再次以水平螺旋方向一次/ m次 一定长度，然后在主线圈中重复多次水平延伸和a / m次绕组。 因此，本发明通过诱导均匀的磁场和电场来有助于工艺的均匀性。

公开(公告)号：WO2009140172A2

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：PCT/US2009043370

申请日：2009-05-08

Applicant: LAM RES CORP ,  SADJADI S M REZA

Inventor： SADJADI S M REZA

IPC: H01L21/3065 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H05H1/34

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32139

Abstract: An inductively coupled power (ICP) plasma processing chamber for forming semiconductor features is provided. A plasma processing chamber is provided, comprising a vacuum chamber, at least one antenna adjacent to the vacuum chamber for providing inductively coupled power in the vacuum chamber, a substrate support for supporting a silicon substrate within the plasma processing chamber, a pressure regulator, a gas inlet for providing gas into the plasma processing chamber, and a gas outlet for exhausting gas from the plasma processing chamber. A gas distribution system is in fluid connection with the gas inlet for providing a first gas and a second gas, wherein the gas distribution system can substantially replace one of the first gas and the second gas in the plasma zone with the other of the first gas and the second gas within a period of less than 5 seconds.

Abstract translation: 提供一种用于形成半导体特征的电感耦合功率（ICP）等离子体处理室。 提供了一种等离子体处理室，包括真空室，与真空室相邻的至少一个天线，用于在真空室中提供电感耦合功率，用于在等离子体处理室内支撑硅衬底的衬底支架，压力调节器， 用于向等离子体处理室提供气体的气体入口和用于从等离子体处理室排出气体的气体出口。 气体分配系统与气体入口流体连接，用于提供第一气体和第二气体，其中气体分配系统可以基本上替换等离子体区域中的第一气体和第二气体中的另一个，而第一气体 和第二气体在小于5秒的时间内。

公开(公告)号：WO2009117612A2

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/US2009/037722

申请日：2009-03-19

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  WILLWERTH, Michael, D. ,  PALAGASHVILI, David ,  TODOROW, Valentin, N. ,  YUEN, Stephen

Inventor： WILLWERTH, Michael, D. ,  PALAGASHVILI, David ,  TODOROW, Valentin, N. ,  YUEN, Stephen

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  H01F21/12 ,  H01J37/32321 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H05B6/02 ,  H05B6/108

Abstract: A shielded lid heater lid heater suitable for use with a plasma processing chamber, a plasma processing chamber having a shielded lid heater and a method for plasma processing are provided. The method and apparatus enhances positional control of plasma location within a plasma processing chamber, and may be utilized in etch, deposition, implant, and thermal processing systems, among other applications where the control of plasma location is desirable. In one embodiment, a shielded lid heater is provided that includes an aluminum base and RF shield sandwiching a heater element.

Abstract translation: 提供适用于等离子体处理室的屏蔽式盖加热器盖加热器，具有屏蔽式盖加热器的等离子体处理室和等离子体处理方法。 该方法和设备增强了等离子体处理室内等离子体位置的位置控制，并且可以用于蚀刻，沉积，植入和热处理系统，以及期望控制等离子体位置的其他应用中。 在一个实施例中，提供了屏蔽式盖子加热器，其包括夹住加热器元件的铝基座和RF屏蔽。

公开(公告)号：WO2009084901A3

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：PCT/KR2008007780

申请日：2008-12-30

Applicant: NEST CORP ,  KIM YOUNG

Inventor： KIM YOUNG

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321

Abstract: A method for controlling plasma density distribution in a plasma chamber in order to control a critical dimension (CD) and obtain uniformity of an etching rate. The plasma density distribution control method is used to fabricate a semiconductor device in the plasma chamber and comprises the steps of establishing an intended plasma density distribution in the plasma chamber and controlling a voltage distribution in the plasma chamber with relation to the established plasma density distribution.

Abstract translation: 一种用于控制等离子体室中的等离子体密度分布的方法，以便控制临界尺寸（CD）并获得蚀刻速率的均匀性。 等离子体密度分布控制方法用于在等离子体室中制造半导体器件，包括以下步骤：在等离子体室中建立预期的等离子体密度分布，并根据已建立的等离子体密度分布控制等离子体室内的电压分布。

公开(公告)号：WO2009102151A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：PCT/KR2009/000655

申请日：2009-02-12

Applicant: EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD. ,  WOO, Sang-Ho ,  YANG, Il-Kwang

Inventor： WOO, Sang-Ho ,  YANG, Il-Kwang

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: A plasma processing apparatus includes a chamber providing an interior space where a process is performed upon a target; and a plasma generating unit generating an electric field in the interior space to generate plasma from a source gas supplied to the interior space. The plasma generating unit includes an upper source disposed substantially parallel to an upper surface of the chamber, an upper generator connected to the upper source to supply a first current to the upper source, a lateral source surrounding a lateral side of the chamber, and a lateral generator connected to the lateral source to supply a second current to the lateral source. The plasma generating unit further includes an upper matcher disposed between the upper generator and the upper source, and a lower matcher disposed between the lateral generator and the lateral source.

Abstract translation: 一种等离子体处理装置，包括提供内部空间的室，其中对目标进行处理; 以及等离子体产生单元，其在内部空间中产生电场，以从供应到内部空间的源气体产生等离子体。 等离子体产生单元包括基本上平行于室的上表面设置的上部源，连接到上部源的上部发生器，以向第一电流提供第一电流，围绕室的侧面的侧向源，以及 横向发生器连接到侧向源以向侧向源提供第二电流。 等离子体产生单元还包括设置在上部发生器和上部源之间的上部匹配器，以及设置在横向发生器和侧向源之间的下部匹配器。

公开(公告)号：WO2009093459A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/JP2009/000240

申请日：2009-01-22

Applicant: 三井造船株式会社 ,  村田和俊 ,  鷲尾圭亮

Inventor： 村田和俊 ,  鷲尾圭亮

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C16/403 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01L21/3141

Abstract: 　成膜容器内には、酸化ガスを用いてプラズマを発生するアンテナアレイと、基板が載置される基板ステージとが配設されている。アンテナアレイは、棒状のアンテナ本体が誘電体で被覆された複数のアンテナ素子が平行に配設されて構成されている。また、アンテナアレイは、基板ステージ上に基板が載置される位置よりも、成膜容器の側壁に形成された供給孔から基板ステージに向けて供給される酸化ガスのガス流方向の上流側の空間に配設されている。

Abstract translation: 通过使用氧化物气体产生等离子体的天线阵列和用于放置基板的基板台布置在成膜容器中。 通过用电介质材料涂覆棒状天线主体来提供天线元件，并且天线阵列通过彼此并联布置多个天线元件而构成。 此外，与形成在成膜容器的侧壁上的供给口相比，天线阵列被布置在从供给到基板载台的氧化气体的气体流动方向的上游的空间中，与基板的位置 放置在基材台上。

公开(公告)号：WO2009091195A2

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：PCT/KR2009/000224

申请日：2009-01-15

Applicant: EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD. ,  WOO, Sang-Ho ,  YANG, Il-Kwang

Inventor： WOO, Sang-Ho ,  YANG, Il-Kwang

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: A plasma processing apparatus includes a chamber to provide an inner area in which a process is performed upon an object, and a plasma source to generate an electric field in the inner area and thereby to generate plasma from a source gas supplied in the inner area, wherein the plasma source comprises a top source provided in the top of the chamber, and a side source encompassing the side of the chamber and allowing current to flow from the one side of the chamber to the other side thereof.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括：室，用于提供对物体进行处理的内部区域;以及等离子体源，以在内部区域产生电场，从而从供应在内部区域的源气体产生等离子体; 其中所述等离子体源包括设置在所述室的顶部中的顶部源和包围所述室的侧面的侧向源，并允许电流从所述室的一侧流动到所述室的另一侧。

公开(公告)号：WO2009085808A2

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/US2008/087134

申请日：2008-12-17

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  SWENBERG, Johanes S. ,  LIU, Wei ,  NGUYEN, Hanh D. ,  NGUYEN, Son T. ,  CURTIS, Roger ,  BOTTINI, Philip A. ,  MARK, Michael J. ,  GUARINI, Theresa Kramer ,  CHOI, Woong

Inventor： SWENBERG, Johanes S. ,  LIU, Wei ,  NGUYEN, Hanh D. ,  NGUYEN, Son T. ,  CURTIS, Roger ,  BOTTINI, Philip A. ,  MARK, Michael J. ,  GUARINI, Theresa Kramer ,  CHOI, Woong

IPC: H05H1/34 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: The present invention generally provides apparatus and methods for processing a semiconductor substrate. Particularly, the present invention provides an inductively coupled plasma reactor having improved process uniformity. One embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate comprising a chamber body defining a process volume configured to process the substrate therein, an adjustable coil assembly coupled to the chamber body outside the process volume, a supporting pedestal disposed in the process volume and configured to support the substrate therein, and a gas injection assembly configured to supply a process gas towards a first process zone and a second process zone independently.

Abstract translation: 本发明通常提供了用于处理半导体衬底的装置和方法。 特别地，本发明提供了具有改进的工艺均匀性的电感耦合等离子体反应器。 本发明的一个实施例提供了一种用于处理衬底的装置，其包括限定被配置为在其中处理衬底的处理体积的室主体，耦合到处理体积外部的室主体的可调节线圈组件，设置在处理体积中的支撑座 并且被配置为在其中支撑衬底;以及气体注入组件，其构造成独立地朝向第一处理区域和第二处理区域提供处理气体。

公开(公告)号：WO2009081761A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：PCT/JP2008/072614

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社アルバック ,  松元 孝文 ,  鈴木 寿弘 ,  中牟田 雄 ,  松本 昌弘 ,  久保 昌司

Inventor： 松元 孝文 ,  鈴木 寿弘 ,  中牟田 雄 ,  松本 昌弘 ,  久保 昌司

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/58

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C14/568 ,  C23C14/5826 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3266

Abstract: 　本発明は、大面積のプラズマを再現性良く生成することができ、これにより幅広い用途に適用可能な安価なプラズマソースを用いたプラズマ処理技術を提供する。本発明のプラズマソース機構１は、真空槽２０を有する真空装置２１に適用可能であって、真空槽２０の外側に誘電体部１０を介して配置され、高周波電力を印加可能な矩形環状のアンテナ部１２と、真空槽２０の外側に誘電体部１０を介してアンテナ部１２の近傍に配置され、アンテナ部１２と対応する矩形形状を有する磁石部１１とを有する。アンテナ部１２は、第１及び第２のアンテナコイル１４、１５が隣接して近接配置され、かつ、第１及び第２のアンテナコイル１４、１５は並列に接続されている。

Abstract translation: 提供了能够以优异的重复性产生大面积的等离子体的等离子体处理技术，适用于各种目的，并且使用低成本的等离子体源。 具体而言，等离子体源机构（1）适用于具有真空室（20）的真空装置（21），等离子体源机构设置有天线部（12），其设置在真空槽（20）的外侧 ）通过介电部分（10），并允许施加高频功率; 以及通过介电部分（10）设置在真空室（20）外部的天线部分（12）附近的磁体部分（11），并且具有对应于天线部分（12）的矩形形状。 在天线部分（12）中，相邻地布置第一和第二天线线圈（14,15），并且第一和第二天线线圈（14,15）彼此并联连接。