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    FRAME WITH NON-UNIFORM GAS FLOW CLEARANCE FOR IMPROVED CLEANING
    3.
    发明申请
    FRAME WITH NON-UNIFORM GAS FLOW CLEARANCE FOR IMPROVED CLEANING 审中-公开
    具有非均匀气体流动间隙的框架用于改进清洁

    公开(公告)号：WO2017052855A1

    公开(公告)日：2017-03-30

    申请号：PCT/US2016/047583

    申请日：2016-08-18

    申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： KURITA, Shinichi ,  TINER, Robin L.

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

    CPC分类号： C23C16/042 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32449

    摘要： The embodiments described herein generally relate to a frame for use in a plasma processing chamber to provide non-uniform gas flow flowing between the frame and sidewalls of the plasma processing chamber. In one embodiment, a frame includes a frame body having an inner wall and an outer wall defining a frame body, a center opening formed in the frame defined by the inner wall, and a corner region and a center region formed in a first side of the frame body. The corner region having a corner width that is smaller than a center width of the center region, wherein the widths are defined between the inner and outer walls.

    摘要翻译： 这里描述的实施例通常涉及用于等离子体处理室中的框架，以提供在等离子体处理室的框架和侧壁之间流动的不均匀的气流。 在一个实施例中，框架包括：框体，其具有限定框架体的内壁和外壁;形成在由所述内壁限定的框架中的中心开口;以及角区域和形成在第一侧面的中心区域 框架体。 角区域的角宽度小于中心区域的中心宽度，其中宽度限定在内壁和外壁之间。

    プラズマエッチング装置用の電極に設けられたガス導入孔の測定方法、電極、電極の再生方法、再生電極、プラズマエッチング装置、ガス導入孔の状態分布図及びその表示方法
    4.
    发明申请
    プラズマエッチング装置用の電極に設けられたガス導入孔の測定方法、電極、電極の再生方法、再生電極、プラズマエッチング装置、ガス導入孔の状態分布図及びその表示方法 审中-公开
    用于等离子体蚀刻装置的电极中提供的气体引入孔的方法，电极，电极再生方法，再生电极，等离子体蚀刻装置和气体介绍孔状态分布图和用于其的显示方法

    公开(公告)号：WO2016104754A1

    公开(公告)日：2016-06-30

    申请号：PCT/JP2015/086349

    申请日：2015-12-25

    申请人： エーサット株式会社

    发明人： 鈴木　崇之

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/46

    CPC分类号： H01J37/32541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/3288 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/2449 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46

    摘要： 　プラズマエッチング装置用の電極に設けられたガス導入孔を高精度に測定することができる測定方法及び精度の高いガス導入孔を備えた電極を提供すること。　本発明のプラズマエッチング装置用の電極に設けられたガス導入孔の測定方法は、プラズマエッチング装置用の電極における基材を厚さ方向に貫通するよう設けられたガス導入孔を測定する方法であって、基材の一方面側からガス導入孔に向けて光を照射する工程と、ガス導入孔を介して基材の他方面側に透過した光の２次元画像を取得する工程と、２次元画像に基づいてガス導入孔の径、内壁面の粗さ及び垂直度合いのうち少なくとも１つを測定する工程と、を備えたことを特徴とする。

    摘要翻译： 本发明的目的是提供一种测量方法，通过该方法可以高精度地测量设置在等离子体蚀刻装置的电极中的气体导入孔，并且提供具有高精度的电极 气体导入孔。 这种测量设置在等离子体蚀刻装置用电极中的气体导入孔的方法是测量以等离子体蚀刻用电极的基材的厚度方向贯穿的方式设置的气体导入孔的方法 装置，其特征在于具有：从所述基板的一个表面侧向所述气体导入孔照射光的工序; 获取已经通过所述气体导入孔的光的二维图像到所述基板的另一面的步骤; 以及基于二维图像测量气体导入孔的直径，内壁表面粗糙度和垂直度中的至少一个的步骤。

    POST-CHAMBER ABATEMENT USING UPSTREAM PLASMA SOURCES
    6.
    发明申请
    POST-CHAMBER ABATEMENT USING UPSTREAM PLASMA SOURCES 审中-公开
    使用UPSTREAM等离子体源的后室退房

    公开(公告)号：WO2016022233A1

    公开(公告)日：2016-02-11

    申请号：PCT/US2015/038603

    申请日：2015-06-30

    申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： WANG, Rongping

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32844 ,  Y02C20/30

    摘要： Embodiments of the disclosure relate to a remote plasma source for cleaning an exhaust pipe. In one embodiment, an apparatus includes a substrate processing chamber, a pump positioned to evacuate the substrate processing chamber, and an abatement system. The abatement system comprises a plasma gas delivery system positioned between the substrate processing chamber and the pump, the gas delivery system having a first end coupling to the substrate processing chamber and a second end coupling to the pump, a reactor body connected to the gas delivery system through a delivery member, a cleaning gas source connected to the reactor body, and a power source positioned to ionize within the reactor body a cleaning gas from the cleaning gas source. Radicals and species of the cleaning gas react with post-process gases from the substrate processing chamber to convert them into a environmentally and process equipment friendly composition before entering the pump.

    摘要翻译： 本公开的实施例涉及一种用于清洁排气管的远程等离子体源。 在一个实施例中，一种装置包括基板处理室，定位成抽空基板处理室的泵和减排系统。 减排系统包括位于基板处理室和泵之间的等离子体气体输送系统，气体输送系统具有连接到基板处理室的第一端和连接到泵的第二端，与气体输送连接的反应器主体 系统，通过传送构件，连接到反应器主体的清洁气体源，以及定位成在反应器主体内离开来自清洁气体源的清洁气体的电源。 清洁气体的基团和物质与来自基底处理室的后处理气体反应，以在进入泵之前将其转化成环境和加工设备友好的组合物。

    이온 소스
    7.
    发明申请
    이온 소스 审中-公开
    离子源

    公开(公告)号：WO2016017918A1

    公开(公告)日：2016-02-04

    申请号：PCT/KR2015/005546

    申请日：2015-06-03

    申请人： (주) 화인솔루션

    发明人： 황윤석 ,  허윤성

    IPC分类号： H01J27/02

    CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/02 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449

    摘要： 이온 소스는 자기장부, 전극을 포함한다. 자기장부는 피처리물을 향하는 일측은 개방되고 타측은 폐쇄된다. 자기장부는 개방 일측에서 내측 자극과 외측 자극이 이격 배치되고, 폐쇄 타측에는 자심으로 연결되어, 개방 일측에서 플라즈마 전자의 가속 폐 루프를 형성한다. 내측 자극은 그 내부를 관통하여 가속 폐 루프의 방향으로 가스를 공급하는 가스 주입부를 갖는다. 전극은 자기장부 내의 가속 폐 루프의 하부에 자기장부와 이격 배치된다.

    摘要翻译： 离子源包括磁场单元和电极。 面对待处理物体的磁场单元的一侧是打开的，而另一侧是封闭的。 磁场单元在开放的一侧具有被布置为彼此间隔开的内磁极和外磁极，并且磁芯连接到封闭的磁场单元的另一侧， 从而形成开放的一侧的等离子体电子的加速闭环。 内磁极具有贯穿其内部的气体注入单元，从而向加速闭环提供气体。 电极布置在磁场单元内的加速闭环的下方以与磁场单元隔开。

    APPARATUS FOR RADICAL-BASED DEPOSITION OF DIELECTRIC FILMS
    8.
    发明申请
    APPARATUS FOR RADICAL-BASED DEPOSITION OF DIELECTRIC FILMS 审中-公开
    用于基于放电膜的放射性沉积的装置

    公开(公告)号：WO2015199843A1

    公开(公告)日：2015-12-30

    申请号：PCT/US2015/031543

    申请日：2015-05-19

    申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： ZHOU, Jianhua ,  ROCHA-ALVAREZ, Juan Carlos ,  CHEN, Yihong ,  MALLICK, Abhijit Basu ,  LOPEZ, Oscar ,  LIU, Ningli

    IPC分类号： H01L21/205

    CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449

    摘要： Embodiments disclosed herein generally include an apparatus for radical-based deposition of dielectric films. The apparatus includes a processing chamber, a radical source coupled to the processing chamber, a substrate support disposed in the processing chamber, and a dual-channel showerhead disposed between the radical source and the substrate support. The dual-channel showerhead includes a plurality of tubes and an internal volume surrounding the plurality of tubes. The plurality of tubes and the internal volume are surrounded by one or more annular channels embedded in the dual-channel showerhead. The dual-channel showerhead further includes a first inlet connected to the one or more channels and a second inlet connected to the internal volume. The processing chamber may be a PECVD chamber, and the apparatus is capable of performing a cyclic process (alternating radical based CVD and PECVD).

    摘要翻译： 本文公开的实施例通常包括用于基于基团的沉积电介质膜的装置。 该设备包括处理室，耦合到处理室的自由基源，设置在处理室中的基板支撑件和设置在自由基源和基板支撑件之间的双通道喷头。 双通道淋浴头包括多个管和围绕多个管的内部容积。 多个管和内部体积被嵌入在双通道喷头中的一个或多个环形通道包围。 双通道喷头还包括连接到一个或多个通道的第一入口和连接到内部容积的第二入口。 处理室可以是PECVD室，并且该装置能够执行循环过程（基于交替自由基的CVD和PECVD）。

    プラズマ処理装置
    9.
    发明申请
    プラズマ処理装置 审中-公开
    等离子体加工装置

    公开(公告)号：WO2015194397A1

    公开(公告)日：2015-12-23

    申请号：PCT/JP2015/066318

    申请日：2015-06-05

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 保坂　勇貴 ,  梅澤　義弘 ,  中島　俊希

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/205

    CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719

    摘要： 　一実施形態のプラズマ処理装置では、載置台と処理容器との間にバッフル構造が設けられている。バッフル構造は、第１部材及び第２部材を有している。第１部材は、載置台と処理容器との間において延びる第１円筒部を有しており、当該第１円筒部には、鉛直方向に長尺の複数の貫通孔が周方向に配列するよう形成されている。第２部材は、第１部材の円筒部の外径よりも大径の内径をもつ第２円筒部を有している。第２部材は、駆動装置によって、第１部材と処理容器との間の間隙を含む領域において上下に移動される。

    摘要翻译： 根据实施例的等离子体处理装置在安装基座和处理容器之间设置有挡板结构。 挡板结构具有第一构件和第二构件。 第一构件具有在安装基座和处理容器之间延伸的第一圆柱形部分，并且沿着垂直方向伸长的多个通孔在第一圆柱形部分中沿圆周方向排成一列。 第二构件具有第二圆柱形部分，其具有大于第一构件的圆柱形部分的外径的内径。 第二构件在包括第一构件和处理容器之间的空间的区域中上下移动。

    LOW TEMPERATURE CURE MODULUS ENHANCEMENT
    10.
    发明申请
    LOW TEMPERATURE CURE MODULUS ENHANCEMENT 审中-公开
    低温固化模块增强

    公开(公告)号：WO2015116350A1

    公开(公告)日：2015-08-06

    申请号：PCT/US2015/010323

    申请日：2015-01-06

    申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： MANNA, Pramit ,  THADANI, Kiran V. ,  MALLICK, Abhijit Basu

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

    摘要： Implementations described herein generally relate to methods for dielectric gap-fill. In one implementation, a method of depositing a silicon oxide layer on a substrate is provided. The method comprises introducing a cyclic organic siloxane precursor and an aliphatic organic siloxane precursor into a deposition chamber, reacting the cyclic organic siloxane precursor and the aliphatic organic siloxane precursor with atomic oxygen to form the silicon oxide layer on a substrate positioned in the deposition chamber, wherein the substrate is maintained at a temperature between about 0 °C and about 200 °C as the silicon oxide layer is formed, wherein the silicon oxide layer is initially flowable following deposition, and wherein a ratio of a flow rate of the cyclic organic siloxane precursor to a flow rate of the aliphatic organic siloxane precursor is at least 2:1 and curing the deposited silicon oxide layer.

    摘要翻译： 本文描述的实现方式通常涉及电介质间隙填充的方法。 在一个实施方案中，提供了在衬底上沉积氧化硅层的方法。 该方法包括将环状有机硅氧烷前体和脂族有机硅氧烷前体引入沉积室，使环状有机硅氧烷前体与脂族有机硅氧烷前体与原子氧反应，在位于沉积室中的基底上形成氧化硅层， 其中当形成氧化硅层时，所述衬底保持在约0℃至约200℃之间的温度，其中所述氧化硅层在沉积后最初可流动，并且其中所述环状有机硅氧烷的流速比 脂族有机硅氧烷前体的流速的前体至少为2:1，并固化沉积的氧化硅层。