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公开(公告)号:WO2022187133A2
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:PCT/US2022/018126
申请日:2022-02-28
Inventor: MI, Zetian , VANKA, Srinivas , ZENG, Guosong , PHAM, Tuan Anh , XIAO, Yixin
IPC: H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L31/0224 , C30B29/40 , C25B11/061 , C25B1/04 , C25B11/049 , C25B11/052 , C25B11/067 , C25B9/50 , H01L21/02175 , H01L21/02241 , H01L21/28264 , H01L22/10 , H01L29/2003 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/78 , H01L33/16 , H01L33/26 , H01L33/40 , H01L33/44
Abstract: A method of fabricating a device includes providing a substrate of the device, forming a structure of the device, the structure being supported by the substrate, having a semiconductor composition, and including a surface, where nitrogen is present at the surface, and incorporating oxygen into the surface to form a stabilizing layer on the surface. Incorporating oxygen into the surface is implemented such that the stabilizing layer includes a uniform distribution of an oxynitride material
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公开(公告)号:WO2022134002A1
公开(公告)日:2022-06-30
申请号:PCT/CN2020/139392
申请日:2020-12-25
Applicant: 苏州君诺新材科技有限公司
Inventor: 周天亮
Abstract: 本发明提供了一种双掺杂的超宽光谱荧光粉及其制备方法和器件。该发光材料的化学组成为Ba1-xEuxY1-yCeyScZrO6,其中,0 <>
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公开(公告)号:WO2022032531A1
公开(公告)日:2022-02-17
申请号:PCT/CN2020/108723
申请日:2020-08-12
Applicant: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
Abstract: 一种发光二极管,其包括:依次层叠设置的第一接触电极(10)、第一半导体层(20)、发光层(30)、第二半导体层(50)、电流扩散层(60)以及第二接触电极(70);多个微结构(80),沿发光层(30)和第二半导体层(50)的层叠方向贯穿发光层(30)和第二半导体层(50),每个微结构(80)均开设有钻孔空间,钻孔空间的相对两端分别由第一半导体层(20)和电流扩散层(60)封闭;量子点(86),填充于多个微结构(80)的钻孔空间内。通过该微结构(80)发射的部分蓝光对量子点(86)激发出相应颜色的光线,从而使得发光层(30)可以混合出白光,此外,该微结构(80)由于表面积效应将会提升色彩转换效率,进而提高全彩化效率。还公开了一种发光二极管的制作方法以及一种显示屏。
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公开(公告)号:WO2022010173A1
公开(公告)日:2022-01-13
申请号:PCT/KR2021/008301
申请日:2021-06-30
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Inventor: CHOI, Won , IM, Sangkyun , ROH, Sanghoon , SON, Jihyeon , LEE, Joowhan , JANG, Hyuntae
IPC: H01L25/075 , H01L33/38 , H01L33/26 , H01L33/00 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29371 , H01L2224/29411 , H01L2224/29439 , H01L2224/29455 , H01L2224/29499 , H01L2224/2957 , H01L2224/32227 , H01L2224/8302 , H01L2224/83091 , H01L2224/83099 , H01L2224/83192 , H01L2224/83851 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0753 , H01L2924/12041 , H01L2924/20105 , H01L2933/0058 , H01L33/60 , H01L33/62
Abstract: A display module and a method for manufacturing thereof are provided. The display module includes a substrate including a pad, a conduction film which is bonded to the substrate including the pad, wherein at least one of a surface of the conduction film and an inner portion of the conduction film is black color treated, and a display device mounted on the pad to which the conduction film is bonded.
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公开(公告)号:WO2022005005A1
公开(公告)日:2022-01-06
申请号:PCT/KR2021/005499
申请日:2021-04-30
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사
IPC: H01L25/075 , H01L23/498 , H01L27/12 , H01L33/26 , H01L33/16
Abstract: 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 LED에서 발광하는 제1 색상의 광을 제2 색상의 광으로 변환하여, 전방위로 발광하는 색변환층과 색변환기판을 포함한다. 본 발명은 색변환층을 포함하므로써, LED 전사공정을 줄일 수 있고, LED에서 발광한 측면광을 이용하여 발광 효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号:WO2021226121A1
公开(公告)日:2021-11-11
申请号:PCT/US2021/030699
申请日:2021-05-04
Applicant: RAXIUM, INC.
Inventor: CHANG, Ying-Lan , LEUNG, Benjamin , TSAI, Miao-Chan , SCHNEIDER, Richard Peter , HURTT, Sheila , HE, Gang
Abstract: A light-emitting diode (LED) structure includes an active region that has at least one aluminum-containing quantum well (QW) stack that emits light from the LED structure when activated. The LED structure exhibits a modified internal quantum efficiency value, which is higher than a LED structure that does not include aluminum within a QW stack. The LED structure also exhibits a modified peak wavelength, which is longer than an unmodified peak wavelength of the unmodified LED structure.
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公开(公告)号:WO2021112648A1
公开(公告)日:2021-06-10
申请号:PCT/KR2020/017767
申请日:2020-12-07
Applicant: 웨이브로드 주식회사
Inventor: 장태진
Abstract: 본 개시는 제1 반도체 영역, 활성 영역, 제2 반도체 영역이 순차로 형성된 성장 기판을 제공하는 단계; 제2 반도체 영역 측에 제1 투광성 기판을 본딩하는 단계; 성장 기판을 제1 반도체 영역 측으로부터 제거하는 단계; 성장 기판이 제거된 제1 반도체 영역 측에 접착층을 이용하여 제2 투광성 기판을 부착하는 단계; 제1 투광성 기판을 제2 반도체 영역 측으로부터 레이저 어블레이션하는 단계; 제1 반도체 영역의 일부를 노출하는 단계; 그리고, 노출된 제1 반도체 영역과 제2 반도체 영역 각각의 위에 플립칩의 제1 전극과 플립칩의 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법(METHOD OF MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE)에 관한 것이다.
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公开(公告)号:WO2020160370A1
公开(公告)日:2020-08-06
申请号:PCT/US2020/016049
申请日:2020-01-31
Applicant: THE UNIVERSITY OF CHICAGO
Inventor: GUYOT-SIONNEST, Philippe , TANG, Xin , ACKERMAN, Matthew M.
IPC: B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L31/0248 , H01L31/0256 , H01L31/0272 , H01L31/0352 , H01L33/02 , H01L33/26 , H01L33/28
Abstract: Photodetectors based on colloidal quantum dots and methods of making the photodetectors are provided. Also provided are methods for doping films of colloidal quantum dots via a solid-state cation exchange method. The photodetectors include multi-band photodetectors composed of two or more rectifying photodiodes stacked in a back-to-back configuration. The doping methods rely on a solid-state cation exchange that employs sacrificial semiconductor nanoparticles as a dopant source for a film of colloidal quantum dots.
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公开(公告)号:WO2020122698A3
公开(公告)日:2020-06-18
申请号:PCT/KR2020/004553
申请日:2020-04-03
Applicant: 엘지전자 주식회사
Abstract: 본 발명은 복수의 반도체 발광소자들, 상기 반도체 발광소자들에 전기신호를 공급하도록 상기 반도체 발광소자들에서 각각 연장되는 제1배선전극 및 제2배선전극, 상기 기판 상에서 배치되며, 전류가 공급되면 전기장을 생성하는 제1전극 및 제2전극을 구비하는 복수의 페어 전극들 및 상기 페어 전극들을 덮도록 형성되는 유전체층을 포함하고, 상기 제1배선전극과 제2배선전극은 상기 반도체 발광소자들을 기준으로 상기 복수의 페어 전극들의 반대측에 형성되고, 상기 유전체층 및 상기 반도체 발광소자들 사이에 배치되며, 상기 유전체층 및 상기 반도체 발광소자들 각각과 공유결합을 형성하는 공유결합층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.
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公开(公告)号:WO2020035695A1
公开(公告)日:2020-02-20
申请号:PCT/GB2019/052301
申请日:2019-08-15
Applicant: THE UNIVERSITY OF MANCHESTER
Inventor: FALKO, Vladimir , GORBACHEV, Roman
IPC: G02B6/12 , H01L31/0232 , H01L33/06 , H01L33/26
Abstract: This invention relates to optical waveguides that have active optoelectric devices embedded in their core. The optoelectric devices typically emit light and/or detect light and comprise heterostructures formed of 2-dimensional materials. The optically active portions of the 2D heterostructure may comprise 2-dimensional sheets of transition metal dichalcogenides or post-transition metal chalcogenides.
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