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公开(公告)号：WO2021020723A1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：PCT/KR2020/007616
申请日：2020-06-11
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Abstract: 본 발명은 공정챔버 내에서 상부전극과 하부전극의 온도가 사용자의 설정범위를 초과하는 경우 인터락 신호를 생성시켜 기판처리장치내로 RF 전원이 인가되는 것을 차단할 수 있도록 한 기판처리장치 및 그의 인터락 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 그의 인터락 방법에 의하면, 상부전극의 온도와 하부전극의 온도, 그 온도차, 전극간거리 및 전극의 저항 값이 사용자의 설정범위에 있지 아니한 비상 상황에서 인터락 신호 및 알람을 발생시켜 RF 전원이 기판처리장치내로 인가되지 않도록 차단함으로써 RF 전원에 의한 데미지를 방지하여 장비를 보호하고 기판에 증착되는 박막의 균일도를 유지할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：WO2020159064A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：PCT/KR2019/016913
申请日：2019-12-03
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 본 발명은 결합수단을 이용하여 샤워헤드를 사이드월에 고정시킴으로써 사이드월과 샤워헤드의 이탈 현상을 방지할 수 있는 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 샤워헤드에 의하면, 결합수단을 이용하여 샤워헤드를 사이드월에 고정시킴으로써 열팽창에 의해 보조홈의 직경이 커지더라도 결합수단의 제2 단부에 의해 결합수단이 보조홈에서 빠지는 현상을 방지하여 사이드월과 샤워헤드의 결합력을 향상시킬 수 있으며, 유지 보수 작업을 진행하는 경우에도 보조홈이 커지는 문제가 발생하지 않으며, 결합수단의 제2 단부를 커팅하기만 하면 용이하게 사이드월의 교체가 가능한 장점이 있다.
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公开(公告)号：WO2020101375A1
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：PCT/KR2019/015498
申请日：2019-11-14
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Inventor： 황철주
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/687 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01J37/32
Abstract: 본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부의 공정공간에 하나 이상의 기판이 회전 가능하게 설치된 기판지지부; 상기 공정공간의 제1영역에 소스가스를 분사하기 위한 제1가스분사부; 상기 공정공간의 제2영역에 상기 소스가스와 반응하는 리액턴트가스를 상기 제2영역에 분사하기 위한 제2가스분사부; 및 상기 제1영역과 상기 제2영역을 분할하는 퍼지가스를 제3영역에 분사하는 제3가스분사부를 포함하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2020004880A1
公开(公告)日：2020-01-02
申请号：PCT/KR2019/007603
申请日：2019-06-24
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 일 실시 예에 의한 기판 처리 장치는, 적어도 하나의 기판이 안치된 반응공간을 포함하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버와 상기 적어도 하나의 기판의 이송을 중개하는 트랜스퍼 챔버; 및 상기 기판을 기 설정된 각도로 회전시키는 회전 장치가 구비된 버퍼 챔버를 포함하고, 상기 회전 장치는, 회전판; 상기 회전판을 상기 기 설정된 각도로 회전시키는 회전축; 상기 회전축을 구동하기 위한 구동부; 상기 구동부를 제어하기 위한 제어부; 및 상기 회전판 위에 배치되어 상기 적어도 하나의 기판을 안착시키는 복수의 기판 거치부를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019212270A1
公开(公告)日：2019-11-07
申请号：PCT/KR2019/005296
申请日：2019-05-03
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Inventor： 강호철
IPC: C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/54 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 챔버(110) 내 상부에 위치하고 공간적으로 분리된 2개의 가스 분배부(140, 130)와 2개의 가스 분배부에 각각 연결되고 길이가 서로 다른 2 종류의 노즐들(133, 138)을 포함한 가스 분사부(101); RF 전원에 연결되고 상기 가스 분사부(101)의 하부에 상기 가스 분사부(101)와 수직으로 이격되어 배치되고 상기 노즐들 중에서 한 종류의 노즐들 각각이 삽입되는 복수의 개구부들(122)을 포함하는 제1 전극(120); 및 상기 제1 전극(120)과 대향하여 배치되고 기판을 장착하는 제2 전극(152)을 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2019013537A1
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：PCT/KR2018/007831
申请日：2018-07-11
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L31/0445 , H01L31/054 , H01L31/0232 , H01L31/05
Abstract: 본 발명은 기판 상에서 서로 직렬로 연결되어 있는 복수의 단위셀; 및 상기 복수의 단위셀 내에 구비된 광 투과부를 포함하여 이루어지고, 상기 광 투과부는 불연속적인 직선 구조로 이루어진 박막형 태양전지에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 광 투과부가 불연속적으로 형성됨으로써, 복수의 도트 패턴으로 이루어진 광 투과부의 반복 특성이 완화될 수 있고, 그에 따라, 광이 상기 광 투과부를 투과할 때 모아레 현상과 같은 물결 무늬가 발생하는 문제가 효과적으로 해소될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018016802A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：PCT/KR2017/007564
申请日：2017-07-14
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H05H1/46 , H01L21/687 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , H05H1/46
Abstract: 본 발명은 기판지지부에 지지된 기판에 대해 처리공정을 수행하기 위해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부; 상기 플라즈마 생성부가 결합되는 접지본체; 및 상기 플라즈마 생성부가 생성하는 플라즈마를 차폐하는 플라즈마 차폐부를 포함하고, 상기 플라즈마 생성부는 플라즈마 생성을 위한 제1전극, 및 상기 제1전극과의 사이에 공정가스를 분사하기 위한 가스분사공간이 형성되도록 상기 제1전극으로부터 이격된 위치에서 상기 접지본체에 결합되는 제2전극을 포함하며, 상기 플라즈마 차폐부는 상기 기판의 내측 쪽 또는 상기 기판의 외측 쪽 중에서 적어도 한쪽에서 상기 플라즈마 생성부가 생성하는 플라즈마를 차폐하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치용 가스 분사 장치 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
Abstract translation: 等离子体处理设备技术领域本发明涉及一种等离子体处理设备，包括：等离子体生成单元，用于生成等离子体以在支撑在基板支撑单元上的基板上执行处理过程; 等离子体发生单元耦合到的接地体; 并且使得所述等离子体发生器包括用于注入所述第一电极和用于产生等离子体的第一电极之间的处理气体的气体分配空间中形成，包括遮蔽等离子体产生等离子体产生部的等离子体屏蔽 在从第一电极以及耦合到所述接地单元的第二电极隔开的位置，该等离子体屏蔽的屏蔽将来自内侧的外侧或基板的基板由所述至少一个产生的等离子体产生的等离子体 本发明涉及一种用于基板处理装置和基板处理装置的气体喷射装置。
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公开(公告)号：WO2017131404A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/KR2017/000796
申请日：2017-01-24
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/60
CPC classification number: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 본 발명은 소스 가스와 반응 가스가 분사되는 기판처리장치에 있어서, 상기 반응 가스에 비해 상기 소스 가스가 더 많이 포함된 제 1 배기가스를 배기하는 제 1 배기라인, 상기 소스 가스에 비해 상기 반응 가스가 더 많이 포함된 제 2 배기가스를 배기하는 제 2 배기라인, 상기 제 1 배기라인에 설치된 포획장치 및 상기 포획장치를 통과한 제 1 배기가스와 상기 제 2 배기라인을 통과한 제 2 배기가스를 배기하도록 배기펌프에 연결되는 제 3 배기라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치에 관한 것이다.
Abstract translation:
本发明的第一排气线到源气体和在基板处理装置中的反应气体被注入，源气体的第一排气的排气被包含低于反应气体较多， 和第二个第一废气排气管线穿过捕集装置和所述捕捉装置是安装在第一排气线相比于源气体的反应气体排出到包含多个第二排气的第二排气 并且第三排气管线连接到排气泵以排出已经通过管线的第二排气。
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公开(公告)号：WO2016204452A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/KR2016/006163
申请日：2016-06-10
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 기판 처리장치의 일 실시예는, 자전 가능하도록 구비되는 디스크; 상기 디스크에 배치되고, 상면에 기판이 안착되며, 상기 디스크가 자전함에 따라 자전 및 상기 디스크의 중심을 축으로 공전하는 적어도 하나의 서셉터; 상기 서셉터의 하부에 결합하고, 중심이 상기 서셉터의 중심과 일치하도록 배치되는 금속링; 상기 디스크의 하부에 배치되고, 적어도 일부에 상기 금속링의 외주면과 측방향으로 대향되는 내주면이 형성되는 지지블록을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 基板处理装置的一个实施例可以包括：设置成可旋转的盘; 设置在盘上的至少一个感受体，具有上表面，基板被装载在该上表面上，并且根据盘的旋转并通过使用盘的中心作为其轴线旋转; 金属环，其耦合到所述基座的下部并且布置成使得其中心对应于所述基座的中心; 以及布置在所述盘的下部上的支撑块，并且在其至少一部分中具有在横向方向上面对所述金属环的外周表面的内周面。
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公开(公告)号：WO2015119400A1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：PCT/KR2015/000969
申请日：2015-01-29
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01L21/67017
Abstract: 본 발명은, 공정챔버; 상기 공정챔버 내부로 가스 또는 플라즈마 활성종을 공급하는 복수의 가스공급관; 상기 복수의 가스공급관 중 하나의 가스공급관에 연결되는 원격플라즈마발생부; 상기 하나의 가스공급관에서 상기 원격플라즈마발생부와 상기 공정챔버 사이에는, 상기 하나의 가스공급관을 선택적으로 차단하는 개폐밸브가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理设备，包括：处理室; 多个气体供给管，其用于将气体或等离子体活性物质供给到处理室的内部; 连接到所述多个气体供给管中的一个气体供给管的远程等离子体生成单元; 以及设置在远程等离子体生成单元和处理室之间的一个气体供给管的开闭阀，用于选择性地切断一个气体供给管。
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