公开(公告)号：WO2017160121A9

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：PCT/KR2017/002911

申请日：2017-03-17

Applicant: 주식회사 엘지화학

Inventor： 장은수 ,  김유석 ,  김재성 ,  김정규 ,  유진형 ,  이정우 ,  임예훈 ,  최준원

IPC: C30B25/00 ,  C30B21/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/225 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명에 의한 폴리실리콘 제조방법은 반응관 중심부에 고온-고속 기류가 형성되며, 상기 고온-고속 기류에 의해 형성되는 와류에 의해 고온영역이 형성될 수 있으며, 반응관 측면에서 공급되는 원료가스가 상기 와류에 편승되어 유동함으로써 원료가스의 반응관내 체류 시간 및 반응 시간이 증가되어 보다 효율적으로 고순도의 폴리실리콘을 제조하는 것이 가능하다. 또한, 반응관 내벽의 열방출 수단을 구비함으로써, 반응관 내벽에서 증착되는 실리콘 결정의 급속 냉각에 의해 실리콘 결정이 결정면에 수직한 방향으로 고체화되는 주상정 결정을 유도할 수 있고 반응관 내벽을 통한 급속한 열방출로 인해 생성된 실리콘 결정의 탈리가 용이하다.

公开(公告)号：WO2017099020A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/JP2016/085915

申请日：2016-12-02

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 池上　由洋 ,  稲葉　智雄

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 複数の半導体基板を用いた半導体素子の製造方法であって、下記（ａ）～（ｃ）の工程を含み、（ｂ）及び（ｃ）の工程において、二枚一組の半導体基板を、各々の第一導電型の不純物拡散組成物膜が形成された面が互いに向い合せになるように配置することを特徴とする半導体素子の製造方法。 （ａ）各半導体基板の一方の面に第一導電型の不純物拡散組成物を塗布して第一導電型の不純物拡散組成物膜を形成する工程。（ｂ）前記第一導電型の不純物拡散組成物膜が形成された半導体基板を加熱して、前記半導体基板へ前記第一導電型の不純物を拡散して、第一導電型の不純物拡散層を形成する工程。（ｃ）第二導電型の不純物を含むガスを有する雰囲気下で前記半導体基板を加熱して、前記半導体基板の他方の面に第二導電型の不純物を拡散して、第二導電型の不純物拡散層を形成する工程。 工程数を低減して効率的に半導体素子および太陽電池を製造することができる半導体素子および太陽電池の製造方法を提供する。

Abstract translation: 一种使用多个半导体衬底制造半导体器件的方法，包括以下步骤（a）至（c），其中在步骤（b）和（c）中， 其特征在于，一组半导体衬底排列成使得其上形成有第一导电类型的杂质扩散组合物膜的表面彼此面对。 （A）通过向每个半导体衬底的一个表面施加第一导电类型的杂质扩散组合物来形成第一导电类型的杂质扩散组合物膜的步骤。 （B）对其上形成有第一导电类型的杂质扩散组合物膜的半导体衬底进行加热以扩散第一导电类型的杂质到半导体衬底以形成第一导电类型的杂质扩散层 形成步骤。 （C）在具有包含第二导电类型的杂质的气体的气氛中加热半导体衬底以将第二导电类型的杂质扩散到半导体衬底的另一表面以形成第二导电类型的杂质 形成扩散层的步骤。 本发明提供一种半导体元件及太阳能电池的制造方法，其能够通过减少工序数而高效地制造半导体元件及太阳能电池。

公开(公告)号：WO2017091572A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：PCT/US2016/063323

申请日：2016-11-22

Applicant: ENTEGRIS, INC.

Inventor： BILODEAU, Steven ,  COOPER, Emanuel I.

IPC: H01L21/02 ,  C09K13/08 ,  H01L21/225 ,  H01L21/04

CPC classification number: C09K13/08 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: A removal composition and process for selectively removing p-doped polysilicon (e.g., boron-doped polysilicon) relative to silicon nitride from a microelectronic device having said material thereon. The substrate preferably comprises a high-k/metal gate integration scheme.

Abstract translation: 用于从其上具有所述材料的微电子器件选择性地去除相对于氮化硅的p掺杂多晶硅（例如硼掺杂多晶硅）的去除组合物和工艺。 衬底最好包括高k /金属栅集成方案。

公开(公告)号：WO2016107977A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：PCT/FI2015/050929

申请日：2015-12-22

Applicant: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY

Inventor： KIIHAMÄKI, Jyrki

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/225

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0173 ,  H01L21/2255

Abstract: The invention shows a doping method that can be used for doping of wafers. The method comprises making at least one ensemble of pores into a wafer matrix to be doped, depositing a vehicle layer on the substrate area of at least one said ensemble of pores and/or their walls, to form a vehicle layer as an interfacing surface for the dopant passage by diffusion. The deposition is followed by annealing said wafer in annealing specific conditions for enhancement of diffusion of said dopant from said vehicle layer via said interfacing surface into the wafer matrix to be doped. After the diffusion enhancement by annealing, the method comprises washing the vehicle layer away, by a washing agent for removal of the deposited dopant comprising material from the wafer surface and the pores. The doped porous structure of the wafer matrix comprising the dopant is then recrystallized, in a recrystallizing environment defined by recrystallizing parameters. The surface is finished and polished.

Abstract translation: 本发明示出了可用于晶片掺杂的掺杂方法。 该方法包括将至少一个孔隙组合成晶片矩阵以进行掺杂，将载体层沉积在至少一个所述孔组合和/或其壁的基底区域上，以形成作为界面表面的载体层 掺杂剂通过扩散。 沉积之后是在退火特定条件下退火所述晶片，以增强所述掺杂剂从所述载体层经由所述接合表面扩散到待掺杂的晶片基质中。 在通过退火进行扩散增强之后，该方法包括通过用于从晶片表面和孔除去包含材料的沉积掺杂剂的清洗剂来清洗载体层。 然后在由重结晶参数限定的再结晶环境中重结晶包含掺杂剂的晶片基质的掺杂多孔结构。 表面完成抛光。

公开(公告)号：WO2016023780A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/EP2015/067842

申请日：2015-08-03

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.

Inventor： HERMLE, Martin ,  REICHEL, Christian ,  BENICK, Jan ,  MÜLLER, Ralph ,  SCHROF, Julian

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L31/18 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/26513 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen von Dotierbereichen in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: • A Implantieren eines ersten Dotierstoffs ersten Dotierungstyps in zumindest einen Implantationsbereich in der Halbleiterschicht, welcher Implantationsbereich an eine erste Seite der Halbleiterschicht grenzt; • B Aufbringen einer Dotierschicht, welche einen zweiten Dotierstoff zweiten Dotierungstyps enthält mittelbar oder unmittelbar zumindest auf die erste Seite der Halbleiterschicht, wobei der erste und zweite Dotierungstyp entgegengesetzt sind; • C Mittels Wärmeeinwirkung gleichzeitiges Eintreiben des zweiten Dotierstoffs aus der Dotierschicht in die Halbleiterschicht und einer oder mehrere der Vorgänge • • - Zumindest teilweise Aktivierung des implantierten Dotierstoffs im Implantationsbereich und/oder • - Zumindest teilweise Ausheilung von durch die Implantation erzeugten Kristallschäden in der Halbleiterschicht und/oder • - Eintreiben des ersten Dotierstoffs aus dem Implantationsbereich.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于在半导体器件的半导体层中产生掺杂区域，所述方法包括以下步骤：·在所述半导体层的第一侧上的至少限定所述半导体层中的注入区，其中注入区域A注入第一掺杂剂第一掺杂类型; •沉积包含第二掺杂剂第二掺杂类型，直接或间接地至少在所述半导体层，其中所述第一和第二掺杂类型相反的第一侧上的掺杂层B; •下用热同时驱动在从掺杂剂层的第二掺杂剂注入到所述半导体层和一个或多个操作••的作用的手段 - 注入的掺杂剂中的至少部分激活在注入区和/或• - 至少部分地固化以晶体缺陷的半导体层中的注入而产生的，并 /或• - 从植入区域驱动第一掺杂剂。

公开(公告)号：WO2014196253A1

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：PCT/JP2014/059448

申请日：2014-03-31

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 高橋　光人 ,  白井　省三 ,  大塚　寛之

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2254 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 　シリコン基板の受光面側に有機ケイ素化合物の膜を形成する工程と、この有機ケイ素化合物の膜のうち高濃度拡散層を形成すべき領域を除去して当該領域に開口部を形成する工程と、次いで前記有機ケイ素化合物の膜及び開口部を覆って第一のドーパント塗布剤を塗布し、前記有機ケイ素化合物及び開口部から前記シリコン基板に第一のドーパントを拡散させ、前記開口部から第一のドーパントを拡散した部分に高濃度拡散層を、前記有機ケイ素化合物の膜を通して第一のドーパントを拡散した部分に低濃度拡散層を形成する工程を含むｐ型選択エミッタ形成方法により、高濃度拡散層と低濃度拡散層とを有するｐ型選択エミッタ層を有する太陽電池を簡便に製造することができ、製造歩留まりを高レベルで維持しながら高性能の太陽電池を提供できる。

Abstract translation: 一种形成p型选择性发射体的方法，包括：在硅衬底的光接收表面上形成有机硅化合物的膜的步骤; 其中去除有机硅化合物的膜的区域以在其中形成开口的步骤，在所述区域中要形成高浓度扩散层; 以及施加第一掺杂剂涂覆剂以覆盖有机硅化合物的膜和开口的步骤，并且第一掺杂剂通过有机硅化合物的膜和开口扩散到硅衬底中，使得高 在第一掺杂剂通过开口扩散的部分形成浓缩扩散层，在第一掺杂剂通过有机硅化合物的膜扩散的部分形成低浓度扩散层。 通过该p型选择性发射体的形成方法，能够容易地制造具有高浓度扩散层和低浓度扩散层的p型选择性发射极层的太阳能电池。 因此，可以提供高性能的太阳能电池，同时将产量提高到高水平。

公开(公告)号：WO2014101988A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/EP2013/003837

申请日：2013-12-18

Applicant: MERCK PATENT GMBH

Inventor： KOEHLER, Ingo ,  DOLL, Oliver ,  BARTH, Sebastian

IPC: C30B31/04 ,  C23C18/12 ,  C23C18/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/48 ,  H01L31/0216 ,  C09D183/00 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/186 ,  C30B29/06 ,  C30B31/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/3221 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues Verfahren zur Herstellung von druckbaren, niedrig- bis hochviskosen Oxidmedien, und deren Verwendung in der Solarzellenherstellung.

Abstract translation: 本发明涉及用于生产可印刷的，从低到高粘度Oxidmedien，以及它们在太阳能电池的制造中使用的新方法。

公开(公告)号：WO2014096443A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/EP2013/077879

申请日：2013-12-23

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

Inventor： ROTHHARDT, Philip ,  WOLF, Andreas ,  BIRO, Daniel ,  BELLEDIN, Udo

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2252 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/1804 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten, bei dem ein Halbleitersubstrat mit einer einen Dotierstoffenthaltenden Schicht versehen wird, der Dotierstoff durch eine Temperaturbehandlung in das Halbleitersubstrat eingetrieben wird und anschließend eine feuchte Oxidation in einer Wasserdampf enthaltenden Atmosphäre erfolgt.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于半导体掺杂基板的方法，其中提供了一种具有Dotierstoffenthaltenden层的半导体衬底，所述掺杂剂是通过在半导体衬底中的温度处理驱动和随后的湿法氧化在含氧气氛的水蒸汽。

公开(公告)号：WO2014064873A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：PCT/JP2013/004833

申请日：2013-08-12

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 山村　官司 ,  清水　宏信 ,  有田　輝夫 ,  内山　淳 ,  川上　知巳 ,  澤井　敬一

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/66393 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/7436

Abstract: １つの半導体装置の製造過程で固相拡散に用いた拡散源としての高濃度不純物層が、同一設備を用いて製造される他の半導体装置を汚染するのを回避することができ、しかも、封止樹脂中の可動イオンによる半導体装置の特性変動を抑えることができる半導体装置の製造方法を実現する。半導体装置の製造方法において、半導体装置（サイリスタ）１００を構成する拡散領域（カソード領域）１０３を固相拡散により形成する固相拡散工程を含み、該固相拡散工程は、半導体基板（Ｎ型シリコン基板）１０１上に不純物の拡散源となる高濃度不純物層を該高濃度不純物層が該半導体基板の所定の領域に選択的に接触するように形成する工程と、熱処理により該高濃度不純物層から不純物を該半導体基板に拡散させて拡散領域を形成する工程と、該熱処理を行った後、該高濃度不純物層を除去する工程とを含む。

Abstract translation: 实现了半导体器件制造方法，其在一个半导体器件的制造工艺中防止用作固态扩散的扩散源的高浓度杂质层，从而污染要用相同设备制造的另一个半导体器件，并且还降低波动 在密封树脂中由移动离子引起的半导体器件的特性。 半导体器件制造方法包括通过固态扩散形成构成半导体器件（晶闸管，100）的扩散区域（阴极区域103）的固态扩散处理。 固态扩散处理包括在半导体衬底（N型硅衬底，101）上形成用作杂质扩散源的高浓度杂质层的工艺，使得高浓度杂质层选择性地接触 半导体衬底，通过热处理将杂质从高浓度杂质层扩散到半导体衬底以形成扩散区域的工艺，以及在热处理之后去除高浓度杂质层的工艺。

公开(公告)号：WO2014007263A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：PCT/JP2013/068178

申请日：2013-07-02

Applicant: 日本合成化学工業株式会社

Inventor： 勝間　勝彦 ,  青木　康浩

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/228 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228

Abstract: 　リン酸類およびホウ酸類から選ばれた酸と、窒素原子数１～４の有機アミン化合物（α）の有機アミン塩を、ドーパント源として含有するドーパント拡散用塗布液とする。このため、表面抵抗値の高い半導体が得られるドーパント拡散用塗布液、およびその塗布方法、並びにそれを用いた半導体の製法、半導体を提供することができる。

Abstract translation: 用于掺杂剂扩散的涂布液含有选自磷酸和硼酸的酸以及具有1-4个氮原子的有机胺化合物（α）的有机胺盐作为掺杂剂源。 因此，可以提供：用于掺杂剂扩散的涂布液，其能够提供具有高表面电阻率的半导体; 施加掺杂剂扩散用涂布液的方法; 使用掺杂剂扩散用涂布液制造半导体的方法; 和半导体。