公开(公告)号：WO2018096643A1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：PCT/JP2016/084920

申请日：2016-11-25

Applicant: 新電元工業株式会社

Inventor： 小笠原　淳 ,  本間　史浩

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/316 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半導体装置の製造方法は、ｐｎ接合が露出する露出面のうちｎ型半導体層が露出した第１露出領域にｎ型の不純物を供給する不純物供給工程と、第１露出領域にレーザ光を照射することで、ｎ型の不純物をｎ型半導体層に導入して第１の深さまでチャネルストッパを形成するチャネルストッパ形成工程と、チャネルストッパが形成された露出面を覆うように酸化膜を形成し、第１の深さより深い第２の深さまでチャネルストッパの領域を拡大する酸化膜形成工程と、を含む。

公开(公告)号：WO2018021117A1

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：PCT/JP2017/026143

申请日：2017-07-19

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 北田　剛 ,  白沢　信彦 ,  村瀬　清一郎

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  Y02P70/521

Abstract: 本発明の一態様である半導体素子の製造方法は、膜層形成工程と拡散工程とを含む。膜層形成工程では、半導体基板上に、不純物拡散成分を含有する組成物Ａを用いてなる不純物拡散組成物膜であるＡ膜と、ポリシロキサンを含有する組成物Ｂを用いてなり、少なくともＡ膜からの不純物拡散成分の気中拡散を抑制する気中拡散抑制層であるＢ層と、を形成する。拡散工程では、Ａ膜とＢ層とが形成された半導体基板を熱処理して、半導体基板中に不純物拡散成分を拡散させる。この半導体素子の製造方法は、太陽電池の製造方法に用いられる。

Abstract translation: 作为本发明的一个实施例的制造半导体器件的方法包括膜层形成步骤和扩散步骤。 在膜层形成步骤中，在半导体基板上使用由含有杂质扩散成分的组合物A构成的杂质扩散组合物膜的A膜和含有聚硅氧烷的组合物B，并且至少A 而且，作为抑制杂质扩散成分在空气中扩散的空气扩散抑制层的B层。 在扩散处理中，对其上形成有A膜和B层的半导体衬底进行热处理，以将杂质扩散成分扩散到半导体衬底中。 该制造半导体器件的方法用于制造太阳能电池的方法。

公开(公告)号：WO2017113266A1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：PCT/CN2015/100058

申请日：2015-12-31

Applicant: 上海凯世通半导体有限公司

Inventor： 洪俊华 ,  陈炯 ,  金光耀 ,  张劲 ,  何川

IPC: H01L21/225

CPC classification number: H01L21/225

Abstract: 一种FinFET的掺杂方法，该FinFET包括衬底(1)和位于衬底(1)上平行间隔设置的Fin(21,22)，每根Fin(21,22)包括顶面、相对的第一侧壁和第二侧壁，掺杂方法包括：在每根Fin(21,22)的表面形成电介质层(31,32)，该电介质层(31,32)覆盖Fin(21,22)的顶面、第一侧壁和第二侧壁；分别自该第一侧壁侧和第二侧壁侧对Fin(21,22)进行掺杂元素的注入；热处理使得掺杂元素扩散至Fin(21,22)中并被激活，其中该电介质层(31,32)的厚度至少为1nm，掺杂元素的注入能量为2keV以下。通过不直接将掺杂元素注入至Fin(21,22)中，而是在Fin(21,22)的顶部和侧壁覆盖电介质层(31,32)来阻挡掺杂元素直接进入Fin(21,22)，并通过热处理来形成对Fin(21,22)的掺杂从而对顶部和侧壁的掺杂剂量进行控制，并保护Fin(21,22)不受离子的直接轰击。

公开(公告)号：WO2017112353A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/US2016/063841

申请日：2016-11-28

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

Inventor： HATEM, Christopher R. ,  ROWLAND, Christopher A.

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

Abstract: A method of doping a substrate. The method may include implanting a dose of a helium species into the substrate through a surface of the substrate at an implant temperature of 300°C or greater. The method may further include depositing a doping layer containing a dopant on the surface of the substrate, and annealing the substrate at an anneal temperature, the anneal temperature being greater than the implant temperature.

Abstract translation: 掺杂衬底的方法。 该方法可以包括在300℃或更高的注入温度下通过衬底的表面将一定剂量的氦物质注入到衬底中。 该方法可以进一步包括在衬底的表面上沉积含有掺杂剂的掺杂层，并且在退火温度下退火衬底，退火温度大于注入温度。

公开(公告)号：WO2017057238A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/JP2016/078193

申请日：2016-09-26

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 北田剛 ,  稲葉智雄 ,  池上由洋

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 本発明は、半導体基板への優れた拡散性とｎ型不純物に対する十分なバリア性を有するｐ型不純物拡散組成物を提供することを目的とする。　上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を有する。すなわち、（Ａ）ポリシロキサンと（Ｂ）Ｓｉ－Ｏ－Ｂ結合を有するｐ型不純物拡散成分とを含有するｐ型不純物拡散組成物である。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种对半导体衬底具有优异扩散性的p型杂质扩散组合物，同时对n型杂质具有足够的阻挡性能。 为了实现上述目的，本发明具有以下结构。 即，包含（A）聚硅氧烷和（B）具有Si-O-B键的p型杂质扩散组分的p型杂质扩散组合物。

公开(公告)号：WO2016041852A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：PCT/EP2015/070793

申请日：2015-09-11

Applicant: ABB TECHNOLOGY AG

Inventor： JANISCH, Wolfgang ,  DE VRIES, Atze ,  MATTHIAS, Sven

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/762 ,  H01L21/225 ,  H01L29/739 ,  H01L29/744 ,  H01L29/08 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/283 ,  H01L21/673 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/744

Abstract: A method for manufacturing a vertical power semiconductor device is provided, wherein a first impurity is provided at the first main side (103) of a semiconductor wafer (101). A first oxide layer (112) is formed on the first main side (103) of the wafer (101), wherein the first oxide layer (112) is partially doped with a second impurity in such way that any first portion of the first oxide layer (112) which is doped with the second impurity is spaced away from the semiconductor wafer by a second portion of the first oxide layer (112) which is not doped with the second impurity and which is disposed between the first portion of the first oxide layer (112) and the first main side (103) of the semiconductor wafer (101). Thereafter a carrier wafer (115) is bonded to the first oxide layer (112). During front-end-of-line processing on the second main side (102) of the semiconductor wafer (101), the second impurity is diffused from the first oxide layer (112) into the semiconductor wafer (101) from its first main side (103) by heat generated during the front-end-of-line processing.

Abstract translation: 提供一种用于制造垂直功率半导体器件的方法，其中在半导体晶片（101）的第一主侧（103）处设置第一杂质。 第一氧化物层（112）形成在晶片（101）的第一主侧（103）上，其中第一氧化物层（112）部分地掺杂有第二杂质，使得第一氧化物 掺杂有第二杂质的层（112）通过未掺杂第二杂质的第一氧化物层（112）的第二部分与半导体晶片隔开，并且设置在第一氧化物的第一部分之间 层（112）和半导体晶片（101）的第一主侧（103）。 此后，载体晶片（115）与第一氧化物层（112）结合。 在半导体晶片（101）的第二主面（102）的前端处理中，第二杂质从第一主面从第一氧化物层（112）扩散到半导体晶片（101） （103）通过在前端处理期间产生的热量。

公开(公告)号：WO2014001290A1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：PCT/EP2013/063204

申请日：2013-06-25

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： BAILLIN, Xavier ,  LEDUC, Patrick

IPC: H01L21/768 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/84 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49838 ,  H01L29/0649 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Structure d'accueil pour connecter électriquement un nano-objet sur une face de celle-ci et en reprendre le contact électrique sur la face opposée, et procédés de fabrication de la structure. L'invention, qui s'applique notamment à la caractérisation moléculaire, utilise un support (44) pour connecter un nano-objet (50) sur sa face supérieure et en reprendre le contact électrique sur sa face inférieure. Au moins deux interconnexions (52, 54) traversent le support. Les deux faces de celui-ci comprennent des zones de reprise de contact (56, 58, 60, 62) pour les interconnexions. Selon l'invention, au moins les zones (56, 58) de la face supérieure sont des zones dopées ayant chacune un motif adapté à l'épanouissement, sur cette face, de l'interconnexion associée.

Abstract translation: 特别是在分子表征领域中使用的本发明涉及使用衬底（44）连接其上表面上的纳米物体（50），并在其下表面上重新建立与其接触的电接触 底物。 至少两个互连（52,54）穿过衬底。 所述衬底的两个表面包括用于互连的接触建立区域（56,58,60,62）。 根据本发明，至少上表面的区域（56,58）是掺杂区域，每个区域具有适于在所述表面上形成相关互连的图案。

公开(公告)号：WO2008060148A2

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：PCT/NL2007/050561

申请日：2007-11-13

Applicant: OTB GROUP B.V. ,  KANT, Cornelius Hendrik ,  BIJKER, Martin Dinant

Inventor： KANT, Cornelius Hendrik ,  BIJKER, Martin Dinant

CPC classification number: B05B7/0012 ,  H01L21/225

Abstract: Atomizer for atomizing a doping solution for treating a substrate therewith, wherein the atomizer comprises an atomizing element with a liquid compartment for receiving the doping solution to be atomized, wherein the atomizing element is an atomizing element functioning on the basis of an air flow. The invention further relates to a method for treating a substrate, wherein the method comprises the following steps: - providing a substrate; - atomizing a doping solution; - supplying the atomized doping solution to the substrate to treat the substrate therewith, wherein the doping solution is atomized by passing an air flow over the doping solution.

Abstract translation: 用于雾化用于处理衬底的掺杂溶液的雾化器，其中所述雾化器包括具有用于接收待雾化的掺杂溶液的液体隔室的雾化元件，其中所述雾化元件是基于空气流动起作用的雾化元件。 本发明还涉及一种处理基材的方法，其中该方法包括以下步骤： - 提供基材; - 雾化掺杂溶液; - 将所述雾化的掺杂溶液供应到所述衬底以用于处理所述衬底，其中所述掺杂溶液通过使空气流通过所述掺杂溶液而被雾化。

公开(公告)号：WO2007107461A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：PCT/EP2007/052227

申请日：2007-03-09

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  LAERMER, Franz ,  KRONMUELLER, Silvia ,  FARBER, Paul ,  ARMBRUSTER, Simon ,  LAMMEL, Gerhard ,  REICHENBACH, Ralf ,  SCHELLING, Christoph ,  FEYH, Ando

Inventor： BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  LAERMER, Franz ,  KRONMUELLER, Silvia ,  FARBER, Paul ,  ARMBRUSTER, Simon ,  LAMMEL, Gerhard ,  REICHENBACH, Ralf ,  SCHELLING, Christoph ,  FEYH, Ando

IPC: H01L21/225

CPC classification number: H01L21/228 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L21/324

Abstract: Die Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines kristallinen Halbleitersubstrats (1); Vorsehen eines porösen Bereichs (10) angrenzend an einer Oberfläche (OF) des Halbleitersubstrats (1); Einbringen von einem Dotierstoff (12) in den porösen Bereich (10) von der Oberfläche (OF) aus; und thermisches Rekristallisieren des porösen Bereich (10) in einen kristallinen Dotierungsbereich (10') des Halbleitersubstrats (1), dessen Dotierungsart und/oder Dotierungskonzentration und/oder Dotierungsverteilung von derjenigen bzw. denjenigen des Halbleitersubstrat (1) abweicht. Die Erfindung schafft ebenfalls eine entsprechende Halbleiterstruktur.

Abstract translation: 本发明提供了一种生产半导体结构，包括以下步骤的方法：提供一结晶半导体基板（1）; 所述半导体衬底的（OF）（1）提供多孔区（10）相邻的一个表面上; 从表面（OF）的引入掺杂剂（12）插入多孔区（10）; 偏离和所述半导体基板的在结晶杂质区（10“）的热重结晶多孔区（10）（1）中，从那个或那些半导体衬底的掺杂类型和/或掺杂浓度和/或掺杂分布（1）。 本发明还提供了相应的半导体结构。

公开(公告)号：WO2018110831A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/KR2017/012441

申请日：2017-11-03

Applicant: 주식회사 웨이비스

Inventor： 이상민 ,  구황섭 ,  김현제 ,  정희석

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/225 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/027 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 본 발명은 질화물계 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 순차적층되는 채널층, 장벽층 및 보호층과, 보호층의 개구 부분을 통해 노출되는 보호층의 하부층에 접촉되는 오믹 콘택을 포함하는 질화물계 전자소자에 있어서, 상기 오믹 콘택은 개구 부분으로 노출된 상기 보호층의 하부층의 상부 및 상기 개구 부분 주변의 상기 보호층의 일부 상부에 위치하도록 구성된다.