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公开(公告)号:WO2013121529A1
公开(公告)日:2013-08-22
申请号:PCT/JP2012/053412
申请日:2012-02-14
IPC: G06F11/22
CPC classification number: H04L43/00 , H04L41/0631 , H04L41/065
Abstract: 複数の監視対象にイベントが発生した場合に原因を解析する。 監視コンピュータ101は、複数の監視対象のいずれかに生じ得る第1イベントと、その原因となり得る第2イベントとを予め関連づける一般ルールを記憶する一般ルール記憶部136と、一般ルールと構成情報とに基づいて作成される相関ルールであって、第2イベントに対応するイベントが所定数以上検出された場合は、第1イベントに対応するイベントが発生することを示す相関ルールを生成する相関ルール生成部129と、イベント情報と相関ルールとに基づいて、イベント情報の示すイベントが発生した原因を解析するための解析部125と、を備える。
Abstract translation: 本发明的目的是分析在多个被监视对象中发生事件的原因。 监视计算机(101)包括:一般规则存储单元(136),其存储将可能与要监视的多个对象中的任何一个发生的第一事件预先关联的一般规则,所述第二事件可能导致第一事件 ; 生成相关规则的相关规则生成部(129),其根据通用规则和配置信息生成相关规则,当与第二事件对应的事件被检测到规定次数以上时,表示该 发生了对应于第一个事件的事件; 以及分析单元(125),其用于基于事件信息和相关规则来分析事件信息表示的事件的原因。
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公开(公告)号:WO2007116553A1
公开(公告)日:2007-10-18
申请号:PCT/JP2006/321782
申请日:2006-10-31
IPC: H01R24/02
CPC classification number: H01R9/0518
Abstract: 同軸ケーブルコネクタは、コネクタ本体と固着リングとを備える。コネクタ本体は、同軸ケーブルの芯線周囲の絶縁部材と該絶縁部材周囲の編組導体との間に挿入可能な筒状の挿入部と、該挿入部の周囲に設けられ、該挿入部を同軸ケーブルに挿入した際、同軸ケーブルの編組導体及び該編組導体周囲の被覆部材が当接されて、前記同軸ケーブルに対して前記挿入部を位置決めする鍔部と、挿入部の同軸ケーブル側とは反対側に設けられ、接続対象物を挿嵌可能な環状の嵌合部とを備える。固着リングは、該コネクタ本体の挿入部を前記同軸ケーブルに挿入した後、前記同軸ケーブルの周囲から前記同軸ケーブルを前記挿入部に圧着固定するためのものである。同軸ケーブルコネクタは、コネクタ本体と固着リングとを固定するための固定部を備えている。
Abstract translation: 用于同轴电缆的连接器具有连接器主体和固定环。 连接器主体具有管状插入部,该管状插入部可插入在同轴电缆的芯导体周围的绝缘构件和围绕绝缘构件的编织导体之间;凸缘部,其设置在插入部周围,并且两者的编织导体 同轴电缆和编织导体周围的覆盖部件当插入部分插入同轴电缆中以定位插入部分时接触,并且环形装配部分设置在插入部分的同轴的相对侧 电缆,并且可插入要连接的对象。 在将连接器主体的插入部分插入同轴电缆中之后,固定环用于将同轴电缆从同轴电缆的周边按压并固定到插入部分。 连接器具有用于将连接器主体和固定环固定在一起的固定部分。
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公开(公告)号:WO2005080270A1
公开(公告)日:2005-09-01
申请号:PCT/JP2004/000851
申请日:2004-01-29
IPC: C01B33/18
CPC classification number: C01B33/18
Abstract: シリカ粉体の表面が塩基性物質又は塩基性混合物で処理された微塩基性シリカ粉体であって、樹脂に混合された際に、凝集を抑制し、均一に分散され、粘度上昇が防止される金属酸化物粉体及びその製造方法と、耐吸湿性、耐ハンダクラック性に優れ、低膨張性の樹脂組成物を提供する。
Abstract translation: 包含由碱性物质或碱性混合物表面处理的二氧化硅粉末的细碱性二氧化硅粉末的金属氧化物粉末,该金属氧化物粉末与树脂混合时,可抑制其凝结,并均匀分散,抑制粘度增加; 其制造方法; 以及具有优异的耐吸湿性和焊料开裂性的低膨胀性的树脂组合物。
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公开(公告)号:WO2013140621A1
公开(公告)日:2013-09-26
申请号:PCT/JP2012/057589
申请日:2012-03-23
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66333 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/7395
Abstract: 複数の活性領域の各々には、p型チャネル層(7)、n型ソース層(8)、およびp型エミッタ層(9)が形成された表面半導体層(4)が形成されており、ベース層(2)の上面から、ゲート電極(11)の下に位置する表面半導体層(4)の上面までの厚さが、ベース層(2)の上面から、第2開口部(15)が形成された領域の表面半導体層(4)の上面までの厚さよりも薄い。
Abstract translation: 在多个有源区上形成表面半导体层(4),其上形成有p沟道层(7),n沟道层(8)和p型发射极层(9)。 从基底层(2)的顶表面到位于栅电极(11)下方的表面半导体层(4)的顶表面的厚度小于从基层(2)的顶表面至 形成有第二开口部(15)的区域中的表面半导体层(4)的上表面。
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