ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
    2.
    发明申请
    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 审中-公开
    阳极型抗蚀剂组合物和形成耐蚀图案的方法

    公开(公告)号:WO2008032522A1

    公开(公告)日:2008-03-20

    申请号:PCT/JP2007/065946

    申请日:2007-08-16

    CPC分类号: G03F7/0397

    摘要:  本発明は、酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)は、一般式(I)[式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し;R 1 ’は水素原子または低級アルキル基を示し;nは0~3の整数である。]で表される構成単位(a1)を有する。

    摘要翻译: 一种正型抗蚀剂组合物,其包含(A)通过酸的作用可以提高碱溶解性的树脂成分和(B)在曝光时能够产生酸的酸产生剂成分的树脂成分,其中,树脂成分 )具有由通式(I)表示的结构单元(a1)[其中R表示氢原子,卤素原子,低级烷基或卤代低级烷基; R 1表示氢原子或低级烷基; n表示0〜3的整数]。

    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
    3.
    发明申请
    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 审中-公开
    正电阻组合物和形成电阻图案的方法

    公开(公告)号:WO2006123487A1

    公开(公告)日:2006-11-23

    申请号:PCT/JP2006/307486

    申请日:2006-04-07

    摘要: A positive resist composition from which a resist pattern of a satisfactory shape is obtained. It is a positive resist composition obtained by dissolving in an organic solvent (S) a resin ingredient (A) whose alkali solubility increases by the action of an acid and an acid generator ingredient (B) which generates an acid upon irradiation with a radiation, the resin ingredient (A) comprising a copolymer (A1) which comprises a constituent unit (a1) having an acetal-type protective group, a constituent unit (a2) represented by the general formula (a2-1) and derived from an acrylic ester having a lactone-containing polycyclic group, and a constituent unit (a3) derived from an acrylic ester having a polar-group-containing aliphatic hydrocarbon group. [Chemical formula 1] (a2-1) [In the formula, R represents hydrogen, fluorine, lower alkyl, or lower fluoroalkyl; R' represents hydrogen, lower alkyl, or C 1-5 alkoxy; and m is 0 or 1.]

    摘要翻译: 获得令人满意的形状的抗蚀剂图案的正性抗蚀剂组合物。 通过在有机溶剂(S)中溶解碱溶解度随着放射线照射时产生酸的酸和酸产生剂成分(B)的作用而增加的正性抗蚀剂组合物, 由包含具有缩醛型保护基的构成单元(a1)的共聚物(A1),由通式(a2-1)表示的构成单元(a2),由丙烯酸酯衍生的树脂成分(A) 具有含内酯的多环基团和由具有含极性基团的脂族烃基的丙烯酸酯衍生的构成单元(a3)。 [化学式1](a2-1)[式中,R表示氢,氟,低级烷基或低级氟代烷基; R'表示氢,低级烷基或C 1-5烷氧基; m为0或1.]

    高分子化合物、ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
    4.
    发明申请
    高分子化合物、ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 审中-公开
    聚合物化合物,阳极电阻组合物和形成电阻图案的方法

    公开(公告)号:WO2005123795A1

    公开(公告)日:2005-12-29

    申请号:PCT/JP2005/010697

    申请日:2005-06-10

    IPC分类号: C08F220/28

    摘要: Disclosed is a positive resist composition which is composed of a polymer compound containing one or more units (a1) selected from the group consisting of units represented by the general formula (1) or (1)' below, a unit (a2) derived from an (alpha-lower alkyl)acrylate having a lactone-containing cyclic group, and a unit (a3) derived from an (alpha-lower alkyl)acrylate which unit (a3) is other than the unit (a1) and the unit (a2) and contains an alicyclic group-containing acid-uncleavable dissolution inhibiting group but does not contain a polar group. (1) (1)' [In the formula, R represents a hydrogen atom, fluorine atom, lower alkyl group having 20 or less carbon atoms or fluorinated lower alkyl group having 20 or less carbon atoms; R represents an optionally substituted twenty- or less membered cyclic group; n is 0 or an integer of 1-5; and m is 0 or 1.]

    摘要翻译: 公开了由含有一种或多种选自下述通式(1)或(1)'所示的单元的单元(a1)的聚合物化合物组成的正型抗蚀剂组合物,衍生自 具有含内酯的环状基团的(α-低级烷基)丙烯酸酯和单体(a3)不同于单元(a1)和单元(a2)的由(α-低级烷基)丙烯酸酯衍生的单元(a3) ),并且含有含脂环基的酸不溶裂性溶解抑制基团,但不含极性基团。 (1)(1)'[式中,R表示氢原子,氟原子,碳原子数为20以下的低级烷基或碳原子数为20以下的氟代低级烷基, R 1表示任选取代的二十二元或更少元环基; n为0或1-5的整数; m为0或1.]

    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
    5.
    发明申请
    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 审中-公开
    积极作用的组合物和抗性模式的形成方法

    公开(公告)号:WO2006123496A1

    公开(公告)日:2006-11-23

    申请号:PCT/JP2006/308124

    申请日:2006-04-18

    摘要:  露光量が変化した際のパターンサイズの変動を小さく抑えることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。樹脂成分(A)は、アセタール型保護基を有する構成単位(a1)と、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)と、極性基含有脂肪族炭化水素基を含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a3)とを含む高分子化合物(A1)を含有し、かつ酸発生剤成分(B)は、下記一般式(b-1) [式中、R 11 はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、または水酸基;R 12 ~R 13 はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基;n’は0または1~3の整数を表す。]で表されるカチオン部を有するオニウム塩系酸発生剤(B1)を含むポジ型レジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法。

    摘要翻译: 本发明提供了一种正性抗蚀剂组合物,其在曝光变化时不会导致图案尺寸的显着变化,并且使用正性抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案形成方法。 树脂成分(A)含有包含缩醛型保护基的结构单元(a1),含有含内酯的环状基团的丙烯酸酯衍生结构单元(a2)和丙烯酸酯衍生物的高分子化合物(A1) 含有含极性基团的脂族烃基的结构单元(a3)。 酸产生剂组分(B)包括具有通式(b-1)表示的阳离子部分的鎓盐型酸产生剂(B1),其中R 11表示烷基,烷氧基 基团,卤素原子或羟基; R 12和R 13各自独立地表示任选取代的芳基或烷基; n'为0或1〜3的整数。

    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
    6.
    发明申请
    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 审中-公开
    正电阻组合物和形成电阻图案的方法

    公开(公告)号:WO2006087865A1

    公开(公告)日:2006-08-24

    申请号:PCT/JP2005/022878

    申请日:2005-12-13

    摘要: A positive resist composition which comprises a resin ingredient (A) which comes to have enhanced alkali solubility by the action of an acid and an acid generator ingredient (B) which generates an acid upon irradiation with a radiation, wherein the ingredient (A) comprises a structural unit (a1) represented by the general formula (a1-2) or (a1-4), a structural unit (a2) derived from an acrylic ester having a lactone-containing monocyclic or polycyclic group, and a structural unit (a3) which is a structural unit other than the structural units (a1) and (a2) and is derived from an acrylic ester which contains a non-acid-dissociable dissolution-inhibitive group having an alicyclic group and contains no polar groups, and the ingredient (B) comprises an onium salt (B1) having an anion moiety represented by the formula R 41 -SO 3 - .

    摘要翻译: 一种正型抗蚀剂组合物,其包含通过酸的作用而具有增强的碱溶解性的树脂成分(A)和在辐射时产生酸的酸产生剂成分(B),其中成分(A)包含 由通式(a1-2)或(a1-4)表示的结构单元(a1),衍生自具有含内酯单环或多环基团的丙烯酸酯的结构单元(a2)和结构单元(a3 )是除了结构单元(a1)和(a2)以外的结构单元,其衍生自含有具有脂环族并且不含极性基团的非酸解离性溶解抑制基团的丙烯酸酯,并且其成分 (B)包括具有由式R 41 -SO 3 -SO 3 - 表示的阴离子部分的鎓盐(B1)。

    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
    8.
    发明申请
    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 审中-公开
    阳极型抗蚀剂组合物和形成耐蚀图案的方法

    公开(公告)号:WO2008032512A1

    公开(公告)日:2008-03-20

    申请号:PCT/JP2007/065445

    申请日:2007-08-07

    CPC分类号: G03F7/0397 Y10S430/111

    摘要:  本発明は、酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)は、一般式(I)[式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し;R 1 ’は水素原子または低級アルキル基を示し;nは0~3の整数であり;R 1 は低級アルキル基、フッ素原子またはフッ素化低級アルキル基を示し;pは0~2の整数である。]で表される構成単位(a1)を有する。

    摘要翻译: 一种正型抗蚀剂组合物,其包含(A)通过酸的作用可以提高碱溶解性的树脂成分和(B)在曝光时能够产生酸的酸产生剂成分的树脂成分,其中,树脂成分 )具有由通式(I)表示的结构单元(a1)[其中R表示氢原子,卤素原子,低级烷基或卤代低级烷基; R 1表示氢原子或低级烷基; n表示0〜3的整数, R 1表示低级烷基,氟原子或氟代低级烷基; p表示0〜2的整数]。

    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
    9.
    发明申请
    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 审中-公开
    积极抗性组合物和形成耐药模式的方法

    公开(公告)号:WO2006115017A1

    公开(公告)日:2006-11-02

    申请号:PCT/JP2006/307478

    申请日:2006-04-07

    发明人: 木下 洋平

    摘要: Disclosed is a positive resist composition containing a resin component (A) and an acid generator component (B) which generates an acid when exposed to light. The acid generator component (B) contains an acid generator (B1) represented by the following general formula (B1). (B1) [In the formula, R 51 represents a straight chain, branched chain or cyclic alkyl group, or a straight chain, branched chain or cyclic fluorinated alkyl group; R 52 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom, a straight chain, branched chain or cyclic alkyl group, a straight chain or branched chain halogenated alkyl group, or a straight chain or branched chain alkoxy group; R 53 represents an optionally substituted aryl group; and n represents an integer of 1-3.]

    摘要翻译: 公开了含有在暴露于光时产生酸的树脂组分(A)和酸产生剂组分(B)的正型抗蚀剂组合物。 酸发生剂组分(B)含有由以下通式(B1)表示的酸产生剂(B1)。 (B1)[式中,R 51表示直链,支链或环状烷基或直链,支链或环状氟化烷基; R 52表示氢原子,羟基,卤素原子,直链,支链或环状烷基,直链或支链卤代烷基,或直链或支链 烷氧基 R 53表示任选取代的芳基; n表示1-3的整数。]

    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
    10.
    发明申请
    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 审中-公开
    积极抗性组合物和形成耐药模式的方法

    公开(公告)号:WO2006077705A1

    公开(公告)日:2006-07-27

    申请号:PCT/JP2005/023154

    申请日:2005-12-16

    发明人: 木下 洋平

    摘要: Disclosed is a positive resist composition having high resolution which enables to improve DOF. This composition contains a resin component (A) whose alkali solubility is increased by the action of an acid and an acid generator component (B) which generates an acid when exposed to light. The resin component (A) has at least one constitutional unit (a1) selected from those represented by the general formula (a1-01) below and the general formula (a1-02) below, and the acid generator component (B) is composed of an onium salt acid generator (B1) having a cation component represented by the general formula (b-1) below or an onium salt acid generator (B4) having an anion component represented by the general formula (b-3) or (b-4) below. In the formulae below, Y represents an alicyclic group; n represents 0 or an integer of 1-3; m represents 0 or 1; R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, a fluorine atom or a fluorinated lower alkyl group; R 1 and R 2 respectively represent a hydrogen atom or a lower alkyl group; R 11 represents an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom or a hydroxyl group; R 12 and R 13 respectively represent an aryl group of an alkyl group; and n' represents 0 or an integer of 1-3.

    摘要翻译: 公开了能够提高DOF的高分辨率的正性抗蚀剂组合物。 该组合物含有通过在暴露于光时产生酸的酸和酸产生剂组分(B)的作用使碱溶解度增加的树脂组分(A)。 树脂组分(A)具有至少一种选自下述通式(a1-01)表示的结构单元(a1)和下述通式(a1-02),并且所述酸产生剂组分(B)组成 具有由下述通式(b-1)表示的阳离子成分的鎓盐酸发生剂(B1)或具有由通式(b-3)表示的阴离子成分的鎓盐酸发生剂(B4)或(b -4)以下。 在下式中,Y表示脂环基; n表示0或1-3的整数; m表示0或1; R表示氢原子,低级烷基,氟原子或氟代低级烷基; R 1和R 2分别表示氢原子或低级烷基; R 11表示烷基,烷氧基,卤素原子或羟基; R 12和R 13分别表示烷基的芳基; n'表示0或1-3的整数。