近接場光デバイス及びシステム
    1.
    发明申请
    近接場光デバイス及びシステム 审中-公开
    近场光学设备和系统

    公开(公告)号:WO2014024306A1

    公开(公告)日:2014-02-13

    申请号:PCT/JP2012/070510

    申请日:2012-08-10

    CPC classification number: G11B5/314 G02B6/125 G11B5/6088 G11B2005/0021

    Abstract:  近接場光デバイスは、第1部材と、第2部材と、を備えている。第1部材と第2部材との間には、第1部材及び第2部材とは異なる物質からなる媒体が介在している。第2部材が、第1部材に生じた近接場光を介してエネルギーを受け取る部材である場合、第2部材は、第1部材から、前記媒体中を伝播する近接場光に係るエネルギーが極大近傍になる距離だけ離れて配置されている。他方、第2部材が、近接場光を介してエネルギーを受け取らない部材である場合、第2部材は、第1部材から、前記媒体中を伝播する近接場光に係るエネルギーが極小近傍になる距離だけ離れて配置されている。

    Abstract translation: 近场光学器件设置有第一构件和第二构件。 由与第一和第二构件不同的材料制成的介质介于第一构件和第二构件之间。 当第二构件是通过在第一构件中产生的近场光接收能量的构件时,第二构件与第一构件隔开一定距离,其中与通过介质传播的近场光相关联的能量 接近最大值。 当第二构件是通过近场光不接收能量的构件时,第二构件与第一构件隔开一定距离,其中与通过介质传播的近场光相关联的能量接近于 最小。

    ナノサイズの金属コバルト微粒子の電解析出方法
    3.
    发明申请
    ナノサイズの金属コバルト微粒子の電解析出方法 审中-公开
    用于纳米尺寸金属钴精细颗粒的电解沉积方法

    公开(公告)号:WO2004040041A1

    公开(公告)日:2004-05-13

    申请号:PCT/JP2003/013741

    申请日:2003-10-27

    Abstract: コバルトは、触媒、二次電池電極材料、磁性材料などに使われているが、その単結晶ウイスカーやその他の形態のナノサイズの金属コバルト微粒子の効率的な製造方法については殆ど報告が無い。 コバルトアンミン錯体[Co(NH 3 ) 6 ]Cl 3 の水溶液を飽和カロメル参照電極に対し、電解電位−0.90~−1.25Vの範囲で電解し陰極上に金属コバルトを析出させることを特徴とするナノサイズの金属コバルト微粒子の電解析出方法。金属コバルト単結晶ナノワイヤーや金属コバルトの木の葉状構造の結晶が析出する。   

    Abstract translation: 尽管钴用于催化剂,二次电池电极材料,磁性材料等,但是对于其它结构的钴单晶须晶和纳米尺寸金属钴微粒的有效制备方法几乎没有报道 。 一种用于纳米尺寸金属钴微细颗粒的电解沉积方法,其特征在于包括以下步骤:在-0.90至-1.25V的电解电位范围内电解钴胺络合物[Co(NH 3)6] Cl 3的水溶液相对于 饱和甘汞参比电极,并在阴极上沉积金属钴。 沉积金属钴单晶纳米线或金属钴的叶结构晶体。

    近接場光デバイス及びエネルギー移動の制御方法
    4.
    发明申请
    近接場光デバイス及びエネルギー移動の制御方法 审中-公开
    近场光学装置和控制能量转移的方法

    公开(公告)号:WO2012111150A1

    公开(公告)日:2012-08-23

    申请号:PCT/JP2011/053537

    申请日:2011-02-18

    Abstract:  本発明は、量子ドットを用いてエネルギー変換効率が高く、高密度記録や高解像度を実現できる近接場光デバイス及びエネルギー移動方法を提供することを課題とする。本発明に係る近接場光デバイス(1、100、200、300、400、500)は、光源(11、101、204、303、402、503)と、該光源からの出射された光に基づいて近接場光を発生する量子ドット(15、105a、105b、108、201、202、203、301、302、401、501、502)と、該近接場光のエネルギーの少なくとも一部を外部へ出力可能な出力端(17、110、205、304、403、504)と、を備える。

    Abstract translation: 本发明解决了提供近场光学器件和能量传递控制方法的问题,其能够使用量子点来提高能量转换效率,并且能够实现高密度记录和高分辨率。 这些近场光学器件(1,100,200,300,400,500)设置有光源(11,101,204,303,402,503),量子点(15,105a,105b,108,201) ,202,203,301,302,301,501,502,502),其基于从所述光源发射的光产生近场光,以及输出端(17,110,205,304,403,504),其为 能够将近场光的能量的至少一部分输出到外部。

    ホログラム記録再生システム
    7.
    发明申请
    ホログラム記録再生システム 审中-公开
    HOLOGRAM记录/再现系统

    公开(公告)号:WO2004013705A1

    公开(公告)日:2004-02-12

    申请号:PCT/JP2003/006142

    申请日:2003-05-16

    CPC classification number: G03H1/265 G03H1/16 G03H1/26 G03H2260/54 G11B7/0065

    Abstract: 互換性あるホログラム記録再生システムは、光感応材料からなる記録媒体を装着自在に支持する支持部と、所定データに応じて変調された可干渉性光ビームを記録媒体に入射しその内部にて3次元的な光干渉パターンを設けて回折格子を生成する信号光生成部と、回折格子からの回折光を検出し光電気変換する検出部と、検出部の出力から所定データを復調する復調部と、を有する。検出部は中間データを生成する中間データ生成部を備え、復調部は、中間データと所定データとを一意に関連付けた変換テーブルを保持し、変換テーブルの対応関係に基づいて演算して、所定データを復調する。

    Abstract translation: 一种兼容的全息图记录/再现系统包括一个支持单元,用于清除支持由感光材料制成的记录介质,信号光产生单元,用于将预定数据调制的相干光束引导到记录介质上,以便通过 在其中形成三维光干涉图案,用于感测来自衍射光栅的衍射光并对其进行光电转换的传感器单元,以及用于从传感器单元的输出解调预定数据的解调单元。 传感器单元具有用于创建中间数据的中间数据创建部分。 解调部分保存中间数据与预定数据唯一相关的转换表,根据转换表的对应关系进行计算,并解调预定数据。

    光論理回路、その制御方法及び集積回路
    9.
    发明申请
    光論理回路、その制御方法及び集積回路 审中-公开
    光逻辑电路及其控制方法及集成电路

    公开(公告)号:WO2011161773A1

    公开(公告)日:2011-12-29

    申请号:PCT/JP2010/060575

    申请日:2010-06-22

    Inventor: 杉浦 聡

    CPC classification number: G02F3/00 B82Y20/00 G02F1/017 G02F2001/01791

    Abstract: 量子ドットを用いた光論理回路において、回路規模の肥大化を抑制し、効率的な論理動作を可能にする。 光論理回路は、ベース光用レイヤー及び信号光用レイヤーが積層されてなる量子ドットレイヤー部(10)と、ベース光をベース光用レイヤーに向けて発するベース光源手段(25)と、信号光を信号光用レイヤーに向けて発する信号光源手段(21、22)と、信号光を、実行されるべき論理演算に供される情報の値に応じて変化させると共に、ベース光及び信号光のうち少なくとも一つの光の波長を、前記論理演算の種類に応じて適宜切り替える制御手段(20)とを備える。ベース光用レイヤー及び信号光用レイヤーのうち少なくとも一つのレイヤー(21、22、25)は、(i)波長が第1波長に切り替えられている場合に、第1種類の論理動作が行われると共に、(ii)波長が第2波長に切り替えられている場合に、第2種類の論理動作が行われるように構成されている。

    Abstract translation: 采用量子点的光逻辑电路提供了一种不会在规模上过大的电路,并且可以有效地进行逻辑运算。 光逻辑电路配备有:通过层叠基底层和信号光层形成的量子点层部分(10); 基底光源装置(25),其向基底层发射基底光; 信号光源装置(21,22),其向信号光层发射信号光; 以及响应于提供给要执行的逻辑计算的信息值而改变信号光的控制装置(20),同时适当地切换基本光和信号光的至少一个光的波长,响应于 逻辑计算。 基底层和信号光层的至少一层(21,22,25)被构造成:(i)如果波长被切换到第一波长,则进行第一类逻辑运算,并且(ii )如果波长切换到第二波长,则进行第二类逻辑运算。

    4-置換ベンゾチオアミド誘導体の製造法
    10.
    发明申请
    4-置換ベンゾチオアミド誘導体の製造法 审中-公开
    生产4-取代苯并二恶英衍生物的方法

    公开(公告)号:WO2010143735A1

    公开(公告)日:2010-12-16

    申请号:PCT/JP2010/060003

    申请日:2010-06-08

    Inventor: 杉浦 聡

    CPC classification number: C07C327/48

    Abstract: 本発明の課題は、痛風治療薬として使用される2-(3-シアノフェニル)チアゾール誘導体の、製造中間体として有用な4-置換ベンゾチオアミド誘導体を、安全、安価、容易且つ高収率に製造するのに適した方法を提供することである。本発明は、下記式で表される4-置換ベンゾチオアミド誘導体の製造方法に関する。

    Abstract translation: 公开了一种适合安全,经济和容易地以高产率生产4-取代的苯并硫代酰胺衍生物的方法,其可用作制备可用作痛风补救剂的2-(3-氰基苯基)噻唑衍生物的中间体。 具体公开了由式(A)表示的4-取代苯并硫代酰胺衍生物的制造方法。

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