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    POINTE, TETE ET DISPOSITIF DE LECTURE/ECRITURE, ET SON UTILISATION, ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF
    2.
    发明申请
    POINTE, TETE ET DISPOSITIF DE LECTURE/ECRITURE, ET SON UTILISATION, ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF 审中-公开
    阅读/书写提示，头和设备及其用途及其制作方法

    公开(公告)号：WO2007045739A1

    公开(公告)日：2007-04-26

    申请号：PCT/FR2006/002243

    申请日：2006-10-05

    Applicant: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE - CNRS ,  GIERAK, Jacques ,  MARTROU, David

    Inventor： GIERAK, Jacques ,  MARTROU, David

    IPC: G12B21/04 ,  G12B21/02 ,  G11B9/00 ,  G01N13/12 ,  H01J27/22

    CPC classification number: G11B9/1409 ,  B82Y10/00 ,  G01Q80/00 ,  G11B9/149

    Abstract: Pointe de lecture/écriture configurée sous la forme d'une aiguille formée d'un noyau (3) d'un matériau réfractaire recouvert d'une couche (9) de matériau électriquement conducteur, et présentant une géométrie externe d'aiguille de microscope par effet tunnel, pour l'obtention d'une information relative à une surface (17a) par microscopie par effet tunnel. L'aiguille (2) émet une particule chargée depuis la couche (9) de matériau électriquement conducteur, pour former la surface. La pointe comprend un réservoir (11) pouvant être liquéfié pour s'écouler le long de la pointe.

    Abstract translation: 本发明涉及一种以由导电材料的涂层（9）覆盖的耐火材料芯（3）构成的针的形状的读/写尖端，并且通过隧道效应具有外显微镜针几何形状，以获得 关于通过隧道效应显微镜的表面（17a）的信息。 针（2）从导电材料层（9）发射带电粒子以形成表面。 尖端包括能够被液化以沿着尖端流动的储存器（11）。

    強誘電体記録媒体用の情報再生装置
    3.
    发明申请
    強誘電体記録媒体用の情報再生装置 审中-公开
    用于电磁记录介质的信息再现装置

    公开(公告)号：WO2005098846A1

    公开(公告)日：2005-10-20

    申请号：PCT/JP2005/006942

    申请日：2005-04-08

    Applicant: パイオニア株式会社 ,  長 康雄 ,  尾上 篤

    Inventor： 長 康雄 ,  尾上 篤

    IPC: G11B9/02

    CPC classification number: G11B9/06 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B11/08

    Abstract: 　記録媒体１の強誘電体層２の容量Ｃｓと共振子１４とにより共振回路１７を形成し、この共振回路により、強誘電体層２の容量Ｃｓの変化を発振信号の周波数に変換する。共振子１４として、ＳＡＷ共振子などのＱの高い共振素子を用いる。

    Abstract translation: 谐振电路（17）由记录介质（1）的铁电体层（2）的电容器Cs和谐振器（14）构成。 铁电层（2）的电容器Cs的变化通过谐振电路转换为振荡信号的频率。 作为谐振器（14），使用具有高Q的谐振元件，例如SAW谐振器。

    PROCEDE D’ENREGISTREMENT DE DONNEES ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE COMPORTANT UN SUPPORT DE MEMOIRE DEFORMABLE
    5.
    发明申请
    PROCEDE D’ENREGISTREMENT DE DONNEES ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE COMPORTANT UN SUPPORT DE MEMOIRE DEFORMABLE 审中-公开
    用于记录数据的方法及其包含可变记忆体支持的装置

    公开(公告)号：WO2005013270A1

    公开(公告)日：2005-02-10

    申请号：PCT/FR2004/001677

    申请日：2004-06-30

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  GIDON, Serge

    Inventor： GIDON, Serge

    IPC: G11B9/00

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1436 ,  G11B9/1454 ,  G11B9/1472 ,  G11B11/16 ,  G11B2005/0021

    Abstract: Le dispositif d'enregistrement comporte un réseau de micro-pointes (6), de dimension d'apex nanométrique, solidaires d'un même substrat 7. Ce réseau de micropointes coopère avec un support de mémoire (1), déformable, absorbant la dispersion de hauteur des micro-pointes (6) lors de la mise en contact du réseau et du support de mémoire, avant enregistrement, thermique, électrique et/ou mécanique des données. Le support de mémoire (1) comporte un empilement comprenant au moins une couche mémoire déformable déposée sur un substrat (4). La couche mémoire déformable peut être constituée par l'empilement d'une couche mémoire (2) et d'une couche souple (3), cette dernière étant déposée sur le substrat (4). Une couche (5) d'interface avec les micro-pointes (6) peut recouvrir la couche mémoire (2). L'appui d'une micro-pointe (6) sur le support de mémoire (1) provoque une déformation progressive de l'empilement, jusqu'à la couche souple (3).

    Abstract translation: 记录装置包括具有固定到相同基底（7）上的纳米级尖端的微点网络（6）。 所述微点网络与可变形存储器支撑件（1）配合，所述可变形存储器支撑件（1）在热，电和/或之前使吸收网络与存储器支撑件接触的微点（6）的不同高度的范围， 机械记录数据。 存储器支撑件（1）包括布置在基板（4）上的具有至少一个可变形存储器层的堆叠。 可变形存储器层可以通过堆叠存储层（2）和柔性层（3）来实现，柔性层（3）被布置在衬底（4）上。 存储层（2）可以被与微点（6）接口的层（5）覆盖。 存储器支撑件（1）上的微点（6）的压力引起堆叠向柔性层（3）的逐渐变形。

    NANO-FABRICATED DATA STORAGE DEVICE AND OPERATION AND PRODUCTION METHODS THEREFOR
    7.
    发明申请
    NANO-FABRICATED DATA STORAGE DEVICE AND OPERATION AND PRODUCTION METHODS THEREFOR 审中-公开
    纳米制造的数据存储设备及其操作及其生产方法

    公开(公告)号：WO2004049323A1

    公开(公告)日：2004-06-10

    申请号：PCT/AU2002/001595

    申请日：2002-11-26

    Applicant: GRIFFITH UNIVERSITY ,  MYHRA, Sverre

    Inventor： MYHRA, Sverre

    IPC: G11B9/14

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/08 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/149 ,  G11B11/08

    Abstract: A nano-fabricated data storage device comprises a read/write/erase "head" in the form of a scanning probe microscope tip (2) and a data storage medium having an electrically conducting substrate (1) and a dielectric layer. The amplitude and duration of a voltage signal applied to the tip are controlled by a variable voltage source (3) and a temporal controller (4) respectively, to write data to and read and erase data from the storage medium. Data is written to the dielectric layer in the form of spatially resolved structures, which may be in the form of pits in the dielectric layer or structures protruding above the dielectric surface. Rastering the microscope tip over the dielectric surface reads the data by detecting the presence or absence of the structures. Previously written data may be erased by the removal of the dielectric layer at data locations or by filling in the pits.

    Abstract translation: 纳米制造的数据存储装置包括扫描探针显微镜尖端（2）形式的读/写/擦除“头”和具有导电衬底（1）和电介质层的数据存储介质。 施加到尖端的电压信号的幅度和持续时间分别由可变电压源（3）和时间控制器（4）控制，以将数据写入并从存储介质读取和擦除数据。 以空间分辨结构的形式将数据写入电介质层，该结构可以是在电介质层中凹陷的形式或突出在电介质表面上方的结构。 通过检测结构的存在或不存在，将显微镜尖端在电介质表面上进行扫描来读取数据。 以前的写入数据可以通过在数据位置移除电介质层或通过填充凹坑而被擦除。

    不揮発性メモリおよびその製造方法
    8.
    发明申请
    不揮発性メモリおよびその製造方法 审中-公开
    非易失性存储器及其制造方法

    公开(公告)号：WO2003085740A1

    公开(公告)日：2003-10-16

    申请号：PCT/JP2003/004066

    申请日：2003-03-31

    Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  田中 英行 ,  森本 廉

    Inventor： 田中 英行 ,  森本 廉

    IPC: H01L27/10

    CPC classification number: G11C13/0004 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1418 ,  G11B9/1463 ,  G11B9/149 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    Abstract: 表裏面を貫通する第１の電極（１８）を有する絶縁基板（１１）と、絶縁基板（１１）の一方面側に形成された第２の電極（１３）と、第１の電極（１８）と第２の電極（１３）との間に挟持され、第１の電極（１８）および第２の電極（１３）間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層（１２）とを備え、絶縁基板（１１）は、有機誘電体薄膜（１１２）と、有機誘電体薄膜（１１２）よりも厚みが小さい無機誘電体層（１１１）との積層構造を備えており、無機誘電体層（１１１）が形成された側に記録層（１２）が形成されている不揮発性メモリである。この不揮発性メモリによれば、省電力化を図りつつ、データの書き換え可能回数を増大することができる。

    Abstract translation: 非易失性存储器包括：绝缘基板（11），其具有穿过前表面和后表面的第一电极（18）;形成在绝缘基板（11）的一个表面上的第二电极（13）和记录层 12）夹在第一电极（18）和第二电极（13）之间，并且当在第一电极（18）和第二电极（13）之间施加电脉冲时改变其电阻值。 绝缘基板（11）具有由有机电介质薄膜（112）和厚度小于有机介电薄膜（112）的无机介电层（111）构成的层叠结构。 记录层（12）形成在无机介电层（111）形成的一侧。 该非易失性存储器使能省电并增加数据被重写的次数。

    MOLECULAR MEMORY SYSTEMS AND METHODS
    9.
    发明申请
    MOLECULAR MEMORY SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
    分子记忆系统和方法

    公开(公告)号：WO2002078005A2

    公开(公告)日：2002-10-03

    申请号：PCT/US2002/008863

    申请日：2002-03-21

    Applicant: HEWLETT-PACKARD COMPANY

    Inventor： CHEN, Yong ,  WALMSLEY, Robert G,

    IPC: G11C11

    CPC classification number: G11B9/149 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1454 ,  G11B9/1472 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/874 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/943 ,  Y10S977/947

    Abstract: A molecular memory system that includes a protective layer that is disposed over a molecular recording layer is described. The protective layer enables a scanning probe to write information to and read information from a molecular memory element by direct electrical contact without substantual risk of damage to either the scanning probe or the molecular recording medium. In this way, the invention avoids the high emission currents, which may damage the probeelectrode or the recording media, or both, and avoids other difficulties often associated molecular memory systems with noncontanting probe electrodes.

    Abstract translation: 描述了包括设置在分子记录层上的保护层的分子存储系统。 保护层使扫描探针能够通过直接的电接触将信息写入分子存储元件并从中读取信息，而不会对扫描探针或分子记录介质造成损伤。 以这种方式，本发明避免了可能损坏探针电极或记录介质或两者的高发射电流，并且避免了经常与分子存储器系统与非集成探针电极相关的其他困难。

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