公开(公告)号：WO2008032746A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：PCT/JP2007/067755

申请日：2007-09-12

Applicant: 国立大学法人東京大学 ,  染谷 隆夫 ,  桜井 貴康 ,  高宮 真 ,  関谷 毅

Inventor： 染谷 隆夫 ,  桜井 貴康 ,  高宮 真 ,  関谷 毅

IPC: H01F38/14 ,  H02J17/00

CPC classification number: H01F38/14 ,  H01F5/003 ,  H02J5/005 ,  H02J7/025 ,  H02J50/12 ,  H02J50/40 ,  H02J50/80 ,  H02J50/90

Abstract: 　マトリックス状に複数の給電用コイル５２を配置した給電用コイルシート５０と、各給電用コイル５２に給電用の電力を印加するための給電用回路６０ａが形成された給電用回路シート６０と、マトリックス状に位置検出用コイル３２を配置した位置検出用コイルシート３０と、各位置検出用コイル３２を走査するように通電するための位置検出用回路４０ａが形成された位置検出用回路シート４０と、により給電シート２２を構成する。給電シート２２上に受電用のコイルを備える電子機器が存在するか否かを検出すると共に電子機器を検出したときには電子機器の位置に対応する給電用コイル５２だけに給電用の電力を印加する。これにより、電子機器への給電効率を向上させることができると共に電子機器の給電シート２２上の載置の自由度を高くすることができる。

Abstract translation: 电源片（22）通过以下方式形成：电源线圈片（50），具有以矩阵排列的多个电源线圈（52）; 电源电路板（60），具有形成为向各个电源线圈（52）供电的电力供给电路（60a）; 具有排列成矩阵状的位置检测线圈（32）的位置检测用线圈片（30） 以及位置检测电路板（40），其具有用于电连接以扫描各个位置检测线圈（32）的位置检测电路（40a）。 电源片（22）检测在电源片（22）上是否存在具有电力接收线圈的电子设备，并且仅向与电子设备的位置对应的电源线圈（52）施加电力供电， 检测一个。 这提高了对电子设备的供电效率，并增加了电子设备在电源片（22）上的放置自由度。

公开(公告)号：WO2013065277A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/JP2012/006900

申请日：2012-10-26

Applicant: 日本電気株式会社 ,  国立大学法人 東京大学 ,  塚越 常雄 ,  小林 直樹 ,  イム ヒョングン ,  高宮 真 ,  桜井 貴康

Inventor： 塚越　常雄 ,  小林　直樹 ,  イム　ヒョングン ,  高宮　真 ,  桜井　貴康

IPC: H02J17/00 ,  H01F38/14

CPC classification number: H01F38/14 ,  H02J5/005 ,  H02J50/12 ,  H02J50/50 ,  H02J50/90

Abstract: 　送電コイルと受電コイルとの位置ずれに対して高い送受電効率を維持する磁界共鳴型の無線給電装置を提供することを目的とする。本発明の無線給電装置（１００）は、磁界共鳴方式を用いて受電コイルに電力を供給する無線給電装置であって、発振回路（１３）に接続される送電コイル（１１０）を少なくとも１つ含む第１コイルアレー層と、送電コイル（１１０）に跨る状態で配置された電力中継コイル（１２０）を少なくとも１つ含む第２コイルアレー層と、を有する。当該構成とすることで、送電コイル直上以外の場所に受電コイルが位置している場合においても高い給電効率で給電が可能となる。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种磁共振无线电源装置，用于相对于电力传输线圈和受电线圈之间的位置偏差来维持高效率的发送/接收。 该无线供电装置（100）通过使用磁共振格式向受电线圈供电，其中该装置具有第一线圈阵列层，该第一线圈阵列层包括至少一个连接到振荡电路（13）的电力传输线圈 ）和第二线圈阵列层，所述第二线圈阵列层包括以跨过所述电力传输线圈（110）的状态布置的至少一个功率继电器线圈（120）。 采用这种配置使得即使当电力接收线圈位于电力传输线圈正上方的别处时也可以高效率地供电。

公开(公告)号：WO2012157569A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/JP2012/062175

申请日：2012-05-11

Applicant: 国立大学法人東京大学 ,  竹内 健 ,  畑中 輝義 ,  石田 光一 ,  安福 正 ,  高宮 真 ,  桜井 貴康

Inventor： 竹内　健 ,  畑中　輝義 ,  石田　光一 ,  安福　正 ,  高宮　真 ,  桜井　貴康

IPC: H02M3/155 ,  G11C16/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H02M3/155 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3418 ,  H02M3/158 ,  H02M2001/007

Abstract: フラッシュメモリからデータを読み出す読み出し要求がなされたとき、電圧検出回路７２で検出された出力端子Ｖｏｕｔ１の電圧Ｖｍｉｄが電圧Ｖ１以下であるときにはオシレータ８０ａが予め定められたオン時間およびオフ時間の制御用クロック信号ＣＬＫをブーストコンバータ４２のトランジスタＮ１２に出力してトランジスタＮ１２をスイッチング制御し、出力端子Ｖｏｕｔ１の電圧Ｖｍｉｄが電圧Ｖｍになったことが電圧検出回路７２により検出されたときにはオシレータ８０ｂは選択回路７８ａから入力されたオン時間Ｔｏｎおよびオフ時間Ｔｏｆｆの制御用クロック信号ＣＬＫをブーストコンバータ４４のトランジスタＮ２２に出力してトランジスタＮ２２をスイッチング制御するよう、昇圧回路４０を構成した。

Abstract translation: 一种升压电路（40），其构成为：当发出读取请求以从闪速存储器读取数据时，当由电压检测电路（72）在输出端子（Vout1）上检测到的电压（Vmid）等于或等于 小于电压（V1），振荡器（80a）将具有预定的导通时间和关闭时间的控制时钟信号（CLK）输出到升压转换器（42）的晶体管（N12），并且控制晶体管（N12）的切换 ）; 当电压检测电路72检测到输出端子（Vout1）上的电压（Vmid）达到电压（Vm）时，振荡器（80b）向升压转换器（44）的晶体管（N22）输出 ）具有从选择电路（78a）输入的具有导通时间（Ton）和截止时间（Toff）的控制时钟信号（CLK），并且控制晶体管（N22）的切换。

公开(公告)号：WO2010143707A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：PCT/JP2010/059908

申请日：2010-06-11

Applicant: 国立大学法人東京大学 ,  平本 俊郎 ,  桜井 貴康 ,  鈴木 誠

Inventor： 平本　俊郎 ,  桜井　貴康 ,  鈴木　誠

IPC: G11C11/41 ,  G11C11/412 ,  G11C14/00

CPC classification number: G11C11/413

Abstract: 電圧Ｖｄｄを通常動作する際の電圧より低くし（ステップＳ１００）、その後、オンしているトランジスタのゲートと半導体基板との間やゲートとウェルとの間に比較的高い電圧が印加されるよう電源電圧印加点Ｖｄｄや接地電圧印加点，半導体基板，ウェルに電圧を印加する（ステップＳ１１０，Ｓ１２０）。これにより、オンしているトランジスタの閾値電圧を上昇させることができ、ラッチ回路を含むメモリセルを構成する複数のトランジスタ間の閾値電圧のばらつきを小さくしてメモリセルの電圧特性の向上を図ることができる。

Abstract translation: 电压（Vdd）被设定为低于正常工作期间的电压（步骤S100），然后将电压施加到施加电源电压的点（Vdd），施加接地电压的点，半导体 衬底和阱，使得在导通状态晶体管的栅极和半导体衬底之间以及栅极和阱之间施加相对高的电压（步骤S110，S120）。 通过这种方式，可以提高导通状态晶体管的阈值电压，并且可以减小构成具有锁存电路的存储单元的晶体管的阈值电压的变化，从而提高存储单元的电压特性。

公开(公告)号：WO2010047140A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：PCT/JP2009/057773

申请日：2009-04-17

Applicant: 国立大学法人東京大学 ,  竹内 健 ,  安福 正 ,  石田 光一 ,  高宮 真 ,  桜井 貴康

Inventor： 竹内 健 ,  安福 正 ,  石田 光一 ,  高宮 真 ,  桜井 貴康

IPC: G11C16/06 ,  G11C7/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: G11C5/04 ,  G11C5/02 ,  G11C5/145 ,  G11C11/005 ,  G11C16/12 ,  G11C16/30 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/00

Abstract: 　ＤＲＡＭチップ２０やフラッシュメモリチップ２２を積層した積層体２４の上面に、昇圧回路４０を有するインターポーザ３０を配置した。これにより、装置の小型化を図ることができる。また、昇圧回路４０として、インダクタを有するブーストコンバータを用いたから、複数のキャパシタを並列に接続してなるチャージポンプを用いるものに比して装置の小型化を図ることができる。

Abstract translation: 具有升压电路（40）的插入件（30）设置在叠层结构（24）的顶表面上，其中堆叠有DRAM芯片（20）和闪存芯片（22）。 因此，可以设计紧凑的装置。 此外，可以设计一种比采用具有串联连接的多个电容器的电荷泵的装置更紧凑的装置，因为使用具有电感器的升压转换器作为升压电路（40）。