公开(公告)号：WO2016046602A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：PCT/IB2014/064848

申请日：2014-09-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  金成吉 ,  南泌旭 ,  延国贤 ,  李圣海 ,  张佑赈 ,  刘东哲 ,  林宪亨 ,  池正根 ,  黃棋鉉

Inventor： 金成吉 ,  南泌旭 ,  延国贤 ,  李圣海 ,  张佑赈 ,  刘东哲 ,  林宪亨 ,  池正根 ,  黃棋鉉

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31116 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1157 ,  H01L28/00 ,  H01L29/1037

Abstract: 本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件可以包括：多个栅极，竖直地堆叠在基底上；竖直沟道，填充竖直地贯穿所述多个栅极的沟道孔；存储层，在沟道的内侧壁上竖直地延伸。竖直沟道可以包括：下沟道，填充沟道孔的下部区域并电连接至基底；上沟道，填充沟道孔的上部区域并接触下沟道。上沟道可以在沟道孔的上部区域中沿存储层和下沟道延伸并且可以具有均匀的厚度。