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公开(公告)号：WO2020197082A1
公开(公告)日：2020-10-01
申请号：PCT/KR2020/001767
申请日：2020-02-07
Applicant: 무진전자 주식회사
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/68
Abstract: 본 발명은 기판 건조 챔버에 관한 것이다. 본 발명은 상부 하우징, 하부 하우징, 실링부, 기판 배치판, 건조용 초임계유체의 공급경로를 제공하는 상부 공급포트, 초기 가압용 초임계유체의 공급경로 및 건조용 초임계유체의 공급에 따른 건조 후 건조용 초임계유체에 유기용제가 용해된 혼합유체의 배출경로를 제공하는 일체형 공급/배출포트 및 상부 공급포트의 종단에 결합되어 혼합유체가 상부 공급포트로 역류되는 것을 방지하는 체크 밸브를 포함한다. 본 발명에 따르면, 건조용 초임계유체의 공급과 건조용 초임계유체에 유기용제가 용해된 혼합유체의 배출이 반복되는 플러싱(flushing) 공정 완료 후, 혼합유체의 배출(감압) 시, 혼합유체가 상 분리(phase separation)되어 기판에 입자상 오염을 유발하는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020067642A1
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：PCT/KR2019/010145
申请日：2019-08-12
Applicant: 무진전자 주식회사
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 본 발명은 에어 커튼을 이용한 케미컬 퓸 제거장치에 관한 것이다. 본 발명은 챔버 내부에 배치되어 있으며 상단에 개구부가 형성되어 있는 처리 용기, 상기 처리 용기 내부에 배치되어 있으며 처리 대상인 기판이 배치된 척, 상기 척에 배치된 기판에 케미컬을 분사하는 케미컬 분사부 및 상기 처리 용기의 개구부에 에어 커튼을 형성하여 상기 케미컬 분사부에 의해 분사되는 케미컬에 의한 기판 처리 과정에서 발생하는 케미컬 퓸이 상기 처리 용기의 개구부를 통해 상기 처리 용기 외부의 챔버 공간으로 확산되는 것을 방지하는 에어 커튼부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 반도체 공정의 에칭 또는 세정 과정에서 발생하는 케미컬 퓸(chemical fume)을 에어 커튼을 이용하여 차단한 상태에서 외부로 배출시킴으로써 케미컬 퓸이 처리 용기 외부의 챔버 영역으로 확산되어 챔버 내부를 오염시키는 문제를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019107728A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：PCT/KR2018/011758
申请日：2018-10-05
Applicant: 무진전자 주식회사
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02 , H01J37/32
Abstract: 본 발명은 고 선택적 실리콘 산화물 제거를 위한 건식 세정 장치 및 방법으로서, 반응 과정에서, RF 전원, 불소함유가스, 수소함유가스 중에서 적어도 하나를 설정된 주기에 따라 단속적으로(on-and off) 공급함으로써, 실리콘 질화물이 헥사플루오로규산암모늄((NH 4 ) 2 SiF 6 )으로 변화하는 것을 억제하면서 실리콘 산화물의 적어도 일부를 헥사플루오로규산암모늄으로 변화시키고, 반응 과정 이후에 수행되는 열처리 과정에서, 열처리를 통해 헥사플루오로규산암모늄을 제거함으로써 실리콘 산화물이 선택적으로 제거한다. 본 발명에 따르면, 실리콘 산화물과 실리콘 질화물이 형성되어 있는 기판을 세정하는 과정에서 실리콘 질화물의 불필요한 식각을 억제하면서 실리콘 산화물만 고 선택적으로 식각할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020189892A1
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：PCT/KR2020/001764
申请日：2020-02-07
Applicant: 무진전자 주식회사
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 본 발명은 기판 건조 챔버에 관한 것이다. 본 발명은 상부 하우징, 하부 하우징, 실링부, 기판 배치판, 건조용 초임계유체의 공급경로를 제공하는 상부 공급포트, 초기 가압용 초임계유체의 공급경로 및 건조용 초임계유체의 공급에 따른 건조 후 건조용 초임계유체에 유기용제가 용해된 혼합유체의 배출경로를 제공하는 일체형 공급/배출포트 및 상부 공급포트를 통해 공급되는 건조용 초임계유체가 기판 배치판을 향하여 균일하게 분사되도록 분산시키는 멀티 노즐부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 초임계유체가 기판을 향하여 균일하게 분사되도록 분산시켜 공급함으로써 기판 중앙부의 패턴 도괴를 방지하고 기판 건조 효율을 증대시키고 공정 시간을 단축할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020175787A1
公开(公告)日：2020-09-03
申请号：PCT/KR2020/000160
申请日：2020-01-06
Applicant: 무진전자 주식회사
Inventor： 신용식
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 본 발명은 기판 건조 챔버에 관한 것이다. 본 발명은 상부 하우징의 하단에 교체 가능하게 결합된 상부 강화처리부, 하부 하우징의 상단에 교체 가능하게 결합되어 상부 강화처리부와 개폐 가능하게 결합되는 하부 강화처리부, 하부 강화처리부와 상부 강화처리부의 결합면에 구비된 실링부, 유기용제로 습윤된 패턴이 형성되어 있는 기판이 배치되는 기판 배치판, 건조용 초임계유체의 공급경로를 제공하는 상부 공급포트 및 초기 가압용 초임계유체의 공급경로 및 건조용 초임계유체에 유기용제가 용해된 혼합유체의 배출경로를 제공하는 일체형 공급/배출포트를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2020040464A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：PCT/KR2019/010144
申请日：2019-08-12
Applicant: 무진전자 주식회사
Abstract: 본 발명은 대기압 플라즈마와 스팀을 이용한 건식 세정 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 장치는 실리콘 산화물과 실리콘 질화물이 형성된 실리콘 기판이 배치되는 척(chuck), 플라즈마 발생을 위한 RF 전원이 인가되는 RF 전극, 상기 RF 전극과 플라즈마 생성영역을 사이에 두고 이격되도록 설치된 샤워 헤드 및 상기 샤워 헤드로 고온 세정가스를 공급하는 스팀 공급 장치를 포함하고, 상기 플라즈마 생성영역으로 공급되는 반응가스가 상기 RF 전원에 의해 플라즈마 처리되어 상기 실리콘 기판으로 공급됨으로써 상기 실리콘 산화물과 상기 실리콘 질화물이 헥사플루오로규산암모늄((NH 4 ) 2 SiF 6 )을 포함하는 반응층으로 변화되고, 상기 스팀 공급 장치에 의해 공급되는 고온 세정가스가 상기 샤워 헤드를 통해 상기 반응층으로 분사되어 상기 반응층이 제거되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 건식 세정 공정 중에서 반응층 제거에 소요되는 시간을 단축함으로써 전체적인 공정 시간을 단축할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019059621A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/KR2018/011010
申请日：2018-09-19
Applicant: 무진전자 주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판에 형성된 산화물 또는 질화물을 제거하는 건식 세정 방법으로서, 챔버 내부에 배치된 상태로 가열된 실리콘 기판에 상기 실리콘 산화물 또는 상기 실리콘 질화물과 반응하는 반응가스를 공급하여 상기 실리콘 산화물 또는 상기 실리콘 질화물의 적어도 일부를 헥사플루오로규산암모늄((NH 4 ) 2 SiF 6 )으로 변화시키는 반응 생성물 생성단계 및 상기 헥사플루오로규산암모늄이 형성된 실리콘 기판에 가열된 열전달 가스를 공급하여 상기 헥사플루오로규산암모늄을 제거하는 반응 생성물 제거단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 기판에 형성된 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 제거하기 위하여, 하나의 챔버에서 헥사플루오로규산암모늄을 생성시키고 제거하는 공정을 수행할 수 있으며, 생산성과 하드웨어 안정성을 개선할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020213852A1
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：PCT/KR2020/004270
申请日：2020-03-27
Applicant: 무진전자 주식회사
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 본 발명에 따른 기판 건조 챔버는 상부 하우징과 하부 하우징 중에서 적어도 하나에 내장된 히터부, 하부 하우징의 바닥면에 결합되어 있으며 유기용제가 형성되어 있는 기판이 배치되는 기판 배치판, 하부 하우징의 일측면에서 타측면까지 연장 형성되고 일측면과 타측면의 중간영역에서 기판 배치판을 향하도록 형성되어, 초기 가압용 초임계유체의 공급경로 및 건조후 기판에 형성된 유기용제가 용해된 혼합유체의 배출경로를 제공하는 일체형 공급/배출포트 및 상부 하우징의 중앙영역에서 기판 배치판을 향하도록 형성되어 건조용 초임계유체의 공급경로를 제공하는 상부 공급포트를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2020149556A1
公开(公告)日：2020-07-23
申请号：PCT/KR2020/000157
申请日：2020-01-06
Applicant: 무진전자 주식회사
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 본 발명은 기판 건조 챔버에 관한 것이다. 본 발명은 상부 하우징, 상부 하우징에 개폐 가능하게 결합되는 하부 하우징, 하부 하우징과 상부 하우징의 결합면에 구비된 실링부, 하부 하우징의 바닥면에 결합되어 있으며 유기용제가 형성되어 있는 기판이 배치되는 기판 배치판, 하부 하우징의 일측면에서 타측면까지 연장 형성되고 일측면과 타측면의 중간영역에서 기판 배치판을 향하도록 형성되어, 초기 가압용 초임계유체의 공급경로 및 건조후 기판에 형성된 유기용제가 용해된 초임계유체의 배출경로를 제공하는 일체형 공급/배출포트 및 상부 하우징의 중앙영역에서 기판 배치판을 향하도록 형성되어 건조용 초임계유체의 공급경로를 제공하는 상부 공급포트를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2019124736A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：PCT/KR2018/013607
申请日：2018-11-09
Applicant: 무진전자 주식회사
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32422 , H01L21/67034
Abstract: 본 발명은 플라즈마를 구성하는 반응 활성종(Radical)의 밀도와 산포를 정밀하게 제어할 수 있는 반도체 기판의 건식 세정을 위한 플라즈마 장치에 관한 것이다. 본 발명은 챔버의 하단부에 구비되며 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중에서 하나 이상이 형성되어 있는 기판이 배치되는 척, 플라즈마 생성영역의 상부에 배치된 상부 RF 전극과 상기 플라즈마 생성영역의 하부에 배치된 하부 RF 전극을 포함하는 CCP 방식의 RF 전극부 및 상기 RF 전극부에 제1 RF 주파수를 갖는 제1 RF 전원과 상기 제1 RF 주파수보다 낮은 제2 RF 주파수를 갖는 제2 RF 전원을 공급하는 RF 전원부를 포함하고, 상기 제1 RF 주파수를 갖는 제1 RF 전원에 의해 상기 실리콘 산화물, 상기 실리콘 질화물 중에서 적어도 하나를 헥사플루오르규산암모늄((NH 4 ) 2 SiF 6 )으로 변화시키기 위한 플라즈마가 생성되어 유지되고, 상기 제2 RF 주파수를 갖는 제2 RF 전원에 의해 상기 플라즈마를 구성하는 반응 활성종의 밀도가 조절된다.
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