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公开(公告)号：WO2019107728A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：PCT/KR2018/011758
申请日：2018-10-05
Applicant: 무진전자 주식회사
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02 , H01J37/32
Abstract: 본 발명은 고 선택적 실리콘 산화물 제거를 위한 건식 세정 장치 및 방법으로서, 반응 과정에서, RF 전원, 불소함유가스, 수소함유가스 중에서 적어도 하나를 설정된 주기에 따라 단속적으로(on-and off) 공급함으로써, 실리콘 질화물이 헥사플루오로규산암모늄((NH 4 ) 2 SiF 6 )으로 변화하는 것을 억제하면서 실리콘 산화물의 적어도 일부를 헥사플루오로규산암모늄으로 변화시키고, 반응 과정 이후에 수행되는 열처리 과정에서, 열처리를 통해 헥사플루오로규산암모늄을 제거함으로써 실리콘 산화물이 선택적으로 제거한다. 본 발명에 따르면, 실리콘 산화물과 실리콘 질화물이 형성되어 있는 기판을 세정하는 과정에서 실리콘 질화물의 불필요한 식각을 억제하면서 실리콘 산화물만 고 선택적으로 식각할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020040464A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：PCT/KR2019/010144
申请日：2019-08-12
Applicant: 무진전자 주식회사
Abstract: 본 발명은 대기압 플라즈마와 스팀을 이용한 건식 세정 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 장치는 실리콘 산화물과 실리콘 질화물이 형성된 실리콘 기판이 배치되는 척(chuck), 플라즈마 발생을 위한 RF 전원이 인가되는 RF 전극, 상기 RF 전극과 플라즈마 생성영역을 사이에 두고 이격되도록 설치된 샤워 헤드 및 상기 샤워 헤드로 고온 세정가스를 공급하는 스팀 공급 장치를 포함하고, 상기 플라즈마 생성영역으로 공급되는 반응가스가 상기 RF 전원에 의해 플라즈마 처리되어 상기 실리콘 기판으로 공급됨으로써 상기 실리콘 산화물과 상기 실리콘 질화물이 헥사플루오로규산암모늄((NH 4 ) 2 SiF 6 )을 포함하는 반응층으로 변화되고, 상기 스팀 공급 장치에 의해 공급되는 고온 세정가스가 상기 샤워 헤드를 통해 상기 반응층으로 분사되어 상기 반응층이 제거되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 건식 세정 공정 중에서 반응층 제거에 소요되는 시간을 단축함으로써 전체적인 공정 시간을 단축할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019059621A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/KR2018/011010
申请日：2018-09-19
Applicant: 무진전자 주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판에 형성된 산화물 또는 질화물을 제거하는 건식 세정 방법으로서, 챔버 내부에 배치된 상태로 가열된 실리콘 기판에 상기 실리콘 산화물 또는 상기 실리콘 질화물과 반응하는 반응가스를 공급하여 상기 실리콘 산화물 또는 상기 실리콘 질화물의 적어도 일부를 헥사플루오로규산암모늄((NH 4 ) 2 SiF 6 )으로 변화시키는 반응 생성물 생성단계 및 상기 헥사플루오로규산암모늄이 형성된 실리콘 기판에 가열된 열전달 가스를 공급하여 상기 헥사플루오로규산암모늄을 제거하는 반응 생성물 제거단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 기판에 형성된 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 제거하기 위하여, 하나의 챔버에서 헥사플루오로규산암모늄을 생성시키고 제거하는 공정을 수행할 수 있으며, 생산성과 하드웨어 안정성을 개선할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2020235822A1
公开(公告)日：2020-11-26
申请号：PCT/KR2020/005422
申请日：2020-04-24
Applicant: 무진전자 주식회사
Abstract: 본 발명에 따른 플라즈마와 증기를 이용한 건식 세정 장치는 상면부에 상부공급포트가 형성되고 있고 하면부에 배출포트가 형성되어 있고 측면부에 측면공급포트가 형성되어 있으며 세정 공간을 제공하는 챔버, 챔버의 하면부에 결합되어 있으며 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘 또는 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물이 형성된 단결정의 실리콘 기판이 배치되는 척, 챔버의 상면부에 결합되어 있으며 RF 전원이 인가되는 RF 전극, 챔버의 상면부에 형성된 상부공급포트와 연통되도록 상기 RF 전극에 결합되고 복수의 상부 분사공이 형성된 상부 샤워헤드, 챔버의 측면부에 결합되어 있으며 복수의 제1 하부 분사공 및 측면공급포트와 연통된 복수의 제2 하부 분사공이 형성되어 있고 전기적으로 접지된 하부 샤워헤드, 챔버의 상면부에 형성된 상부공급포트를 통해 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부 및 챔버의 측면부에 형성된 측면공급포트를 통해 고온 증기를 공급하는 증기 공급부를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2018026251A1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：PCT/KR2017/008515
申请日：2017-08-07
Applicant: 무진전자 주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L33/00 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L33/00
Abstract: 본 개시는 반도체 웨이퍼 세정 방법에 있어서, 웨이퍼를 준비하는 단계; 웨이퍼를 건식 세정 하는 단계;그리고, 웨이퍼를 습식 세정 하는 단계;를 포함하며, 웨이퍼를 습식 세정 하는 단계;에서, 웨이퍼를 가열하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本公开涉及一种半导体晶片清洁方法，包括：准备晶片; 本发明涉及一种半导体晶片的清洗方法，其特征在于在湿法清洗晶片的步骤中加热晶片，并湿法清洗晶片。
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公开(公告)号：WO2019124736A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：PCT/KR2018/013607
申请日：2018-11-09
Applicant: 무진전자 주식회사
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32422 , H01L21/67034
Abstract: 본 발명은 플라즈마를 구성하는 반응 활성종(Radical)의 밀도와 산포를 정밀하게 제어할 수 있는 반도체 기판의 건식 세정을 위한 플라즈마 장치에 관한 것이다. 본 발명은 챔버의 하단부에 구비되며 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중에서 하나 이상이 형성되어 있는 기판이 배치되는 척, 플라즈마 생성영역의 상부에 배치된 상부 RF 전극과 상기 플라즈마 생성영역의 하부에 배치된 하부 RF 전극을 포함하는 CCP 방식의 RF 전극부 및 상기 RF 전극부에 제1 RF 주파수를 갖는 제1 RF 전원과 상기 제1 RF 주파수보다 낮은 제2 RF 주파수를 갖는 제2 RF 전원을 공급하는 RF 전원부를 포함하고, 상기 제1 RF 주파수를 갖는 제1 RF 전원에 의해 상기 실리콘 산화물, 상기 실리콘 질화물 중에서 적어도 하나를 헥사플루오르규산암모늄((NH 4 ) 2 SiF 6 )으로 변화시키기 위한 플라즈마가 생성되어 유지되고, 상기 제2 RF 주파수를 갖는 제2 RF 전원에 의해 상기 플라즈마를 구성하는 반응 활성종의 밀도가 조절된다.
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公开(公告)号：WO2019107729A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：PCT/KR2018/011759
申请日：2018-10-05
Applicant: 무진전자 주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 본 발명은 폴리 실리콘을 선택적으로 제거하는 건식 세정 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 폴리 실리콘이 형성되어 있는 기판에 플라즈마 상태의 불소함유가스와 비 플라즈마 상태의 수소함유가스를 공급하여 실리콘 산화물, 실리콘 질화물의 표면을 헥사플루오로규산암모늄으로 변화시켜 보호막을 생성한 이후, 수소함유가스의 공급을 중단하고 플라즈마 상태의 불소함유가스를 계속 공급하여 불소 라디칼로 폴리 실리콘을 선택적으로 제거하고, 마지막으로, 열처리를 통해 헥사플루오로규산암모늄으로 이루어진 보호막을 제거하는 보호막 제거단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 기판에 형성된 실리콘 질화물, 실리콘 산화물의 표면을 헥사플루오로규산암모늄((NH 4 ) 2 SiF 6 ) 고체층으로 변화시키고, 이 헥사플루오로규산암모늄 고체층을 보호막으로 이용함으로써, 폴리 실리콘을 선택적으로 식각할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019059620A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/KR2018/011009
申请日：2018-09-19
Applicant: 무진전자 주식회사
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판에 형성된 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 제거하는 기판 처리 방법으로서, 챔버 내부에 배치된 상태로 가열된 실리콘 기판에 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 반응하는 반응가스를 공급하여 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물의 적어도 일부를 헥사플루오로규산암모늄((NH 4 ) 2 SiF 6 )으로 변화시키는 단계, 헥사플루오로규산암모늄이 생성된 실리콘 기판에 플라즈마 처리되지 않은 불활성 가스를 공급하여 헥사플루오로규산암모늄을 제거하는 단계 및 헥사플루오로규산암모늄이 제거된 실리콘 기판에 가열에 의해 여기 상태(excited state)로 전이된 수소 함유 가스를 분사하여 실리콘 기판의 표면에 잔류하는 플루오르(F)를 포함하는 잔류물을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 건식 세정 시 기판 표면에 잔류하는 플루오르를 일정 온도로 가열된 수소 함유 가스를 사용하여 제거함으로써, 플루오르 제거 효율 및 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.
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