公开(公告)号：WO2013039603A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：PCT/US2012/046745

申请日：2012-07-13

Applicant: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION ,  ADESTO TECHNOLOGIES FRANCE SARL ,  RAMBUS, INC. ,  LEE, Wei Ti ,  GOPALAN, Chakravarthy ,  MA, Yi ,  SHIELDS, Jeffrey ,  BLANCHARD, Philippe ,  JAMESON, John Ross ,  KOUSHAN, Foroozan Sarah ,  WANG, Janet ,  KELLAM, Mark

Inventor： LEE, Wei Ti ,  GOPALAN, Chakravarthy ,  MA, Yi ,  SHIELDS, Jeffrey ,  BLANCHARD, Philippe ,  JAMESON, John Ross ,  KOUSHAN, Foroozan Sarah ,  WANG, Janet ,  KELLAM, Mark

IPC: H01L29/02

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1658

Abstract: A resistive switching device comprises a bottom electrode (115), a switching layer (130) disposed over the bottom electrode (115), and a electrode (150) disposed over the switching layer (130). The top electrode (150) comprises an alloy of a memory metal and an alloying element. The top electrode (150) provides a source of the memory metal. The memory metal is configured to change a state of the switching layer (130).

Abstract translation: 电阻式开关装置包括底部电极（115），设置在底部电极（115）上方的开关层（130）和设置在开关层（130）上方的电极（150）。 顶部电极（150）包括记忆金属和合金元素的合金。 顶部电极（150）提供存储金属的源。 存储器金属被配置为改变开关层（130）的状态。