公开(公告)号：WO2011107344A1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：PCT/EP2011/052233

申请日：2011-02-15

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH ,  MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  EIBL, Johann

Inventor： MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  EIBL, Johann

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Eine funktionelle Schicht (6) zur Verminderung der Korrosion und/oder Verbesserung der Haftung der Spiegelschicht (5) ist auf der Spiegelschicht (5) angeordnet, wobei ein Material, aus dem die funktionelle Schicht (6) gebildet ist, in der gesamten Spiegelschicht (5) verteilt ist. Das Material der funktionellen Schicht (6) weist in der Spiegelschicht (5) einen Konzentrationsgradienten auf, wobei die Konzentration des Materials der funktionellen Schicht (6) in der Spiegelschicht (5) ausgehend von der funktionellen Schicht (6) in Richtung zur Halbleiterschichtenfolge (2) hin abnimmt.

Abstract translation: 它是一种具有（2）所示的半导体层序列，其具有适合于产生电磁辐射活性层（3）发光二极管芯片，其特征在于，上辐射出射表面的前侧上的LED芯片（1）（4）。 的发光二极管芯片（1）具有在至少的区域中的辐射出射表面（4）相对的后侧中的一个，反射镜层（5）含有银。 用于减小反射镜层中的腐蚀和/或改善的（5）被布置在反射层（5）上，的粘附性的功能层（6），其特征在于其中的形成所述功能层（6）的材料（在整个镜面层 5）是分布式的。 镜中的层（5）（6）的功能层的材料具有浓度梯度，其中，所述功能层（6）的材料在反射镜层中的浓度（5），从功能层开始（6）（在所述半导体层序列2的方向 ）向下降。

公开(公告)号：WO2012028513A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/064556

申请日：2011-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie

Inventor： ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (10) geeignete aktive Schicht (4) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (11) aufweist, der Leuchtdiodenchip (1) an einer der Strahlungsaustrittsfläche (11) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (6) aufweist, die Silber enthält, wobei auf der Spiegelschicht (6) eine Schutzschicht (7) angeordnet ist, die Pt enthält, und die Schutzschicht (7) eine derartige Struktur aufweist, dass sie die Spiegelschicht (6) nur in Teilbereichen (8) bedeckt.

Abstract translation: 公开的是（1）具有的半导体层序列（2）中，合适的一种用于制造电磁辐射（10），有源层（4），发光二极管芯片，其中所述LED芯片（1）辐射出射面的前侧（11），所述 包括发光二极管芯片（1）上的辐射出射表面中的一个（11）相对的后侧至少局部，（6）含银，其中，所述反射镜层上的反射镜层（6）的保护层（7）被布置，其含有Pt，和所述保护层（7 ）具有这样的结构，使得其只覆盖在（8）的部分区域的反射镜层（6）。

公开(公告)号：WO2009103266A3

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：PCT/DE2009/000191

申请日：2009-02-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  EICHLER, Christoph

Inventor： BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterkörper umfasst ein Substrat (10), das auf einer ersten Hauptfläche (12) in einem ersten Bereich (14) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete, epitaktische Halbleiterschichtenfolge (20) und in einem zu dem ersten Bereich (14) benachbarten zweiten Bereich (22) einen ersten Graben (24) aufweist, und wenigstens einen zweiten Graben (30), der außerhalb des ersten Bereichs (14) angeordnet ist. Die Erfindung betrifft auch einen optoelektronischen Halbleiterkörper und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers.

公开(公告)号：WO2012028511A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/064554

申请日：2011-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KLEMP, Christoph ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus ,  WALTER, Robert ,  GUENTHER, Oliver

Inventor： KLEMP, Christoph ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus ,  WALTER, Robert ,  GUENTHER, Oliver

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/382 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2) auf einem Substrat (5) und mit einer Spiegelschicht (3) angegeben, die vollständig in einer Schicht (4) mit einem transparenten leitenden Oxid eingebettet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有（1）具有的半导体层序列的光电子半导体芯片的有源区（2）的基板（5）上，并用一个反射镜层（3）完全在一个层（4）嵌入有透明导电氧化物。 此外，被指定用于制造光电子半导体芯片的方法。

公开(公告)号：WO2010069282A2

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：PCT/DE2009/001448

申请日：2009-10-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LELL, Alfred ,  TAUTZ, Sönke ,  STRAUSS, Uwe ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  DINI, Dimitri ,  EISERT, Dominik ,  EICHLER, Christoph

Inventor： LELL, Alfred ,  TAUTZ, Sönke ,  STRAUSS, Uwe ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  DINI, Dimitri ,  EISERT, Dominik ,  EICHLER, Christoph

IPC: H04N9/31 ,  G02F1/35

CPC classification number: H04N9/3161 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/4093 ,  H04N9/3129

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (1) beinhaltet dieses mindestens einen Halbleiterlaser (2), der dazu eingerichtet ist, eine Primärstrahlung (P) mit einer Wellenlänge zwischen einschließlich 360 nm und 485 nm zu emittieren. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (1) mindestens ein Konversionsmittel (3), das dem Halbleiterlaser (2) nachgeordnet und dazu eingerichtet ist, wenigstens einen Teil der Primärstrahlung (P) in eine Sekundärstrahlung (S) mit einer von der Primärstrahlung (P) verschiedenen, größeren Wellenlänge zu konvertieren. Die vom Leuchtmittel (1) emittierte Strahlung (R) zeigt hierbei eine optische Kohärenzlänge auf, die höchstens 50 μm beträgt.

Abstract translation: 在发光装置的至少一个实施例中（1）包括所述至少一个半导体激光器（2），其适合于接收一个初级辐射（P）为360纳米和485纳米之间的波长发射。 此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），半导体激光器（2）的下游，并适于至少一个初级辐射（P）的成次级辐射（S）与所述初级辐射（P）不同的一个部分， 转换波长更长。 通过在这种情况下，光源（1）辐射（R）发射的光示出了光学相干长度为至多50微米。

公开(公告)号：WO2011141383A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：PCT/EP2011/057328

申请日：2011-05-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  GALESIC, Ivan ,  ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus

Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  GALESIC, Ivan ,  ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus

IPC: H01L31/0216 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L31/0216 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein Träger für ein optoelektronisches Bauelement (5) wird angegeben, der auf einem Trägerelement (1) zumindest eine Spiegelschicht (2) und ein funktionelles Material (3) aufweist, wobei die Spiegelschicht (2) Silber enthält, das funktionelle Material (3) in direktem Kontakt mit dem Silber steht, so dass das funktionelle Material (3) eine Verminderung der Korrosion der Spiegelschicht (2) bewirkt. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement und eine optoelektronische Vorrichtung mit einem Träger angegeben.

Abstract translation: 一种用于光电子器件（5）支撑件设置，支撑元件（1）上具有至少一个反射镜层（2）和一个功能性材料（3），其特征在于，（2）反射镜层包含银，所述功能性材料（3）在 与银的直接接触是这样的功能性材料（3）使在反射层（2）的腐蚀的降低。 此外，制造载体用于光电装置和一个光电器件的方法都标有一个载体。

公开(公告)号：WO2011012100A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：PCT/DE2010/000751

申请日：2010-06-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LELL, Alfred ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie

Inventor： LELL, Alfred ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/4081

Abstract: Es ist ein Breitstreifenlaser (1) vorgesehen, der einen epitaktischen Schichtenstapel (2) mit einer Oberseite (22) und einer Unterseite (23) aufweist. Der Schichtenstapel (2) weist eine aktive, strahlungserzeugende Schicht (21) auf. Weiter weist der Schichtenstapel (2) Gräben (3) auf, in denen wenigstens eine Schicht des Schichtenstapels (2) zumindest teilweise entfernt ist und die von der Oberseite (22) in Richtung Unterseite (23) führen. Der Schichtenstapel (2) weist oberseitig Stege (4) auf, die jeweils an die Gräben (3) angrenzen, sodass der Schichtenstapel (2) oberseitig streifenförmig ausgebildet ist. Die Stege (4) und die Gräben (3) weisen jeweils eine Breite (d 1 , d 2 ) von höchstens 20 µm auf. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Breitstreifenlasers (1) vorgesehen.

Abstract translation: 提供了一种具有外延层堆叠（2），其具有顶部（22）和底部（23）宽条形激光器（1）。 层堆叠（2）具有活性，产生辐射的层（21）。 接下来，在沟槽（3），其中，所述层堆叠（2）中的至少一个层至少部分地移除，并且，所述上侧（22）朝向底部（23）铅的层（2）的叠层。 在顶侧层（2）的堆具有腹板（4），相邻的（3）中，使得形成在带的上侧层（2）的叠层每种情况下，沟槽。 （4）纤维网和所述沟槽（3）各自具有的宽度（D1，D2）至多20微米。 此外，提供了用于制造这样的宽条形激光器（1）的方法。