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    STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
    1.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    辐射半导体部件

    公开(公告)号：WO2013026655A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：PCT/EP2012/064894

    申请日：2012-07-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KOPP, Fabian ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph ,  VIERHEILIG, Clemens ,  TAUTZ, Sönke

    Inventor： KOPP, Fabian ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph ,  VIERHEILIG, Clemens ,  TAUTZ, Sönke

    IPC: H01L33/00 ,  H01S5/026

    CPC classification number: G02B6/125 ,  H01L33/0045 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1085 ,  H01S2301/166

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist. Das Halbleiterbauelement weist einen Wellenleiter (5) auf, der für eine laterale Führung der im aktiven Bereich erzeugten Strahlung vorgesehen ist und der sich zwischen einer Spiegelfläche (3) und einer Auskoppelfläche (4) erstreckt. Der Wellenleiter trifft senkrecht auf die Spiegelfläche und schließt mit einer Normalen der Auskoppelfläche einen spitzen Winkel ein.

    Abstract translation: 提供了一种包括一个半导体主体（2）发射辐射的半导体器件（1），其中，所述半导体本体具有用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列。 该半导体器件包括一个波导（5），其被设置用于在有源区域中产生的辐射的侧向引导和反射镜表面（3）和输出表面（4）之间延伸。 波导垂直地撞击到镜面表面上并与一个垂直于输出表面形成锐角包括。

    LASERLICHTQUELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LASERLICHTQUELLE
    2.
    发明申请
    LASERLICHTQUELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LASERLICHTQUELLE 审中-公开
    激光光源及其制造方法的激光光源

    公开(公告)号：WO2009080012A1

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：PCT/DE2008/002127

    申请日：2008-12-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph ,  SCHMID, Wolfgang ,  TAUTZ, Sönke ,  REILL, Wolfgang ,  DINI, Dimitri

    Inventor： LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph ,  SCHMID, Wolfgang ,  TAUTZ, Sönke ,  REILL, Wolfgang ,  DINI, Dimitri

    IPC: H01S5/028 ,  H01S5/22

    CPC classification number: H01S5/1082 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1078 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/02 ,  H01S2301/166

    Abstract: Eine Laserlichtquelle umfasst insbesondere eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einem aktiven Bereich (45) und einer Strahlungsauskoppelfläche (12) mit einem ersten Teilbereich (121) und einem davon verschiedenen zweiten Teilbereich (122), und eine Filterstruktur (5), wobei der aktive Bereich (45) im Betrieb kohärente erste elektromagnetische Strahlung (51) mit einem ersten Wellenlängenbereich und inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) mit einem zweiten Wellenlängenbereich erzeugt, die kohärente erste elektromagnetische Strahlung (51) entlang einer Abstrahlrichtung (90) vom ersten Teilbereich (121) abgestrahlt wird, die inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) vom ersten Teilbereich (121) und vom zweiten Teilbereich (122) abgestrahlt wird, der zweite Wellenlängenbereich den ersten Wellenlängenbereich umfasst und die Filterstruktur (5) die vom aktiven Bereich abgestrahlte inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) entlang der Abstrahlrichtung (90) zumindest teilweise abschwächt.

    Abstract translation: 特别是激光光源包括具有有源区（45）和具有第一部分（121）和不同的第二部分（122）辐射输出（12），和一个滤波器结构（5）的半导体层序列（10），其中所述有源区 （45）被操作为沿着从第一局部区域的辐射（90）的方向上产生相干的第一电磁辐射（51）和具有第二波长范围的第一波长范围内和非相干第二电磁辐射（52），所述相干的第一电磁辐射（51）（121） 被辐射，从所述第一部分（121）和所述第二部分（122）的非相干第二电磁辐射（52）被发射，所述第二波长范围包含所述第一波长范围和滤波器结构（5）从所述有源区的非相干的第二电磁辐射辐射（ 52）沿Abstrahlricht UNG（90）至少部分地衰减。

    LASERLICHTQUELLE
    4.
    发明申请
    LASERLICHTQUELLE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2009080011A3

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：PCT/DE2008/002123

    申请日：2008-12-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  REILL, Wolfgang ,  TAUTZ, Sönke ,  BRICK, Peter ,  STRAUSS, Uwe

    Inventor： REILL, Wolfgang ,  TAUTZ, Sönke ,  BRICK, Peter ,  STRAUSS, Uwe

    IPC: H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40 ,  H01S5/20

    Abstract: Eine Laserlichtquelle umfasst insbesondere eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer aktiven Schicht mit zumindest zwei aktiven Bereichen (45), die geeignet sind, im Betrieb elektromagnetische Strahlung über eine als Strahlungsauskoppelfläche (12) ausgeführte Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (10) entlang einer Abstrahlrichtung (90) abzustrahlen, jeweils eine elektrische Kontaktfläche (30) über jedem der zumindest zwei aktiven Bereiche (45) auf einer Hauptoberfläche (14) der Halbleiterschichtenfolge (10) und eine Oberflächenstruktur in der Hauptoberfläche (14) der Halbleiterschichtenfolge (10), wobei die zumindest zwei aktiven Bereiche (45) quer zur Abstrahlrichtung (90) zueinander beabstandet in der aktiven Schicht (40) angeordnet sind, jede der elektrischen Kontakt flächen (30) einen ersten Teilbereich (31) aufweist und einen zweiten Teilbereich (32) mit einer sich entlang der Abstrahlrichtung (90) zur Strahlungsauskoppelfläche (12) hin vergrößernden Breite, die Oberflächenstruktur zwischen den zumindest zwei elektrischen Kontakt flächen (30) zumindest eine erste Vertiefung (6) entlang der Abstrahlrichtung (90) sowie zweite Vertiefungen (7) aufweist und die ersten Teilbereiche (31) der elektrischen Kontaktflächen (30) jeweils zwischen zumindest zwei zweiten Vertiefungen (7) angeordnet sind.

    HALBLEITERLICHTQUELLE MIT EINER PRIMÄRSTRAHLUNGSQUELLE UND EINEM LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT
    5.
    发明申请
    HALBLEITERLICHTQUELLE MIT EINER PRIMÄRSTRAHLUNGSQUELLE UND EINEM LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT 审中-公开
    与主辐射源和发光半导体光源

    公开(公告)号：WO2009039827A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/DE2008/001529

    申请日：2008-09-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OTT, Hubert ,  LELL, Alfred ,  TAUTZ, Sönke ,  STRAUSS, Uwe ,  BAUMANN, Frank ,  PETERSEN, Kirstin

    Inventor： OTT, Hubert ,  LELL, Alfred ,  TAUTZ, Sönke ,  STRAUSS, Uwe ,  BAUMANN, Frank ,  PETERSEN, Kirstin

    IPC: H01L33/00 ,  F21K7/00

    CPC classification number: F21K9/64 ,  F21V9/30 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird eine Halbleiterlichtquelle mit einer Primärstrahlungsquelle (1), welche im Betrieb der Halbleiterlichtquelle elektromagnetische Primärstrahlung (5) in einem ersten Wellenlängenbereich emittiert, und mit einem Lumineszenzkonversionsmodul (2), in welches von der Primärstrahlungsquelle (1) emittierte Primärstrahlung (5) eingekoppelt wird, angegeben. Das Lumineszenzkonversionsmodul (2) enthält ein Lumineszenzkonversionselement (6), welches mittels eines Leuchtstoffs Primärstrahlung (5) aus dem ersten Wellenlängenbereich absorbiert und elektromagnetische Sekundärstrahlung (15) in einem zweiten Wellenlängenbereich emittiert. Das Lumineszenzkonversionselement (6) ist von der Primärstrahlungsquelle (1) beabstandet an einem Kühlkörper (3) angeordnet. Es weist eine Reflektorfläche (7, 71, 72) auf, die durch das Lumineszenzkonversionselement (6) tretende, von diesem nicht absorbierte Primärstrahlung (5) in das Lumineszenzkonversionselement (6) zurückreflektiert und/oder Sekundärstrahlung (15) in Richtung einer Lichtauskoppelfläche (601) des Lumineszenzkonversionselements (6) reflektiert.

    Abstract translation: 它是具有（1）在所述半导体光源的操作发射初级辐射源的半导体光源电磁初级辐射（5）在第一波长范围内，并用一个Lumineszenzkonversionsmodul（1）发射的初级辐射（5）被耦合（2），在其中主辐射源的 表示。 所述Lumineszenzkonversionsmodul（2）包含一个发光转换元件（6），其发射由一个荧光体初级辐射（5）和在第二波长范围内的电磁辐射的二次（15）的装置从所述第一波长范围吸收。 初级辐射源（1）的发光转换元件（6）间隔开，在散热片（3）。 它具有被反射回来通过发光转换元件（6）通过一个反射器表面（7，71，72），从在发光转换元件（6）和/或次级辐射（15）这种非吸收的初级辐射（5）（在光输出表面601的方向 ）发光转换元件（6）的被反射。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERLASER
    6.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERLASER 审中-公开
    方法用于制造光电半导体器件和光电半导体激光器

    公开(公告)号：WO2013064306A1

    公开(公告)日：2013-05-10

    申请号：PCT/EP2012/068427

    申请日：2012-09-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EICHLER, Christoph ,  TAUTZ, Sönke

    Inventor： EICHLER, Christoph ,  TAUTZ, Sönke

    IPC: H01S5/028

    CPC classification number: H01S5/34333 ,  G02B1/11 ,  H01L33/58 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/16 ,  H01S2301/18

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten: - epitaktisches Wachsen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht auf einem Aufwachssubstrat (3), - Formen einer Frontfacette (4) an der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Aufwachssubstrat (3), - Beschichten eines Teils der Frontfacette (4) mit einer Lichtblockschicht (5) für die in dem fertigen Halbleiterbauteil (1) erzeugte Strahlung (R), wobei die Lichtblockschicht (5) mit einem gerichteten Beschichtungsverfahren erzeugt wird und eine Strukturierung der Lichtblockschicht (5) beim Beschichten mittels Abschattung durch das Aufwachssubstrat (3) und/oder durch mindestens einen Blindbarren (6), der an und/oder neben dem Aufwachssubstrat (3) angeordnet wird, erfolgt.

    Abstract translation: 一种用于生产包括以下步骤的光电子半导体器件（1）的方法： - 外延（2）与生长衬底（3）上的有源层生长的半导体层序列， - 形成前端面（4）上的半导体层序列（2）和所述生长衬底（3 ）， - 涂覆前端面的部分（4），其具有阻光层（5）为（在完成的半导体器件1）中产生的辐射（R），其中，所述挡光层（5）与定向涂布法（光阻挡层的结构化产生 5）涂布由遮蔽的手段通过在生长衬底（3）和/或（通过其设置在和/或（除了生长衬底3），发生至少一个虚设棒6）时。

    LASERLICHTQUELLE
    7.
    发明申请
    LASERLICHTQUELLE 审中-公开
    激光光源

    公开(公告)号：WO2011128233A1

    公开(公告)日：2011-10-20

    申请号：PCT/EP2011/055320

    申请日：2011-04-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BREIDENASSEL, Andreas ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  LELL, Alfred ,  TAUTZ, Sönke

    Inventor： BREIDENASSEL, Andreas ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  LELL, Alfred ,  TAUTZ, Sönke

    IPC: H01S5/028 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/024

    CPC classification number: H01S5/0078 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/18

    Abstract: Es wird eine Laserlichtquelle zur Abstrahlung von kohärenter elektromagnetischer Strahlung (10) mit einem vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung der kohärenten elektromagnetischen Strahlung mit einem aktiven Bereich (3) auf einem Substrat (2), wobei die kohärente elektromagnetische Strahlung im Betrieb mindestens von einem Hauptemissionsbereich (5) einer Strahlungsauskoppelfläche (4) mit einer Abstrahlrichtung (11) abgestrahlt wird und die Strahlungsauskoppelfläche (4) durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet ist, und einem Filterelement (13), das im Betrieb erzeugte kohärente elektromagnetische Strahlung (12), die von einem zum Hauptemissionsbereich (5) vertikal versetzten und räumlich getrennten Nebenemissionsbereich (6) der Strahlungsauskoppelfläche (4) abgestrahlt wird, im vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) unterdrückt.

    Abstract translation: 它是用于发射具有用于（3）在基材上产生具有有源区相干的电磁辐射的半导体层序列（1）相干的电磁辐射（10）的激光的光源（2），其具有垂直远场光束轮廓（121），所述相干 从主发射区域至少在操作期间电磁辐射（5）辐射耦合的（4），其具有发射（11）照射并通过半导体层序列（1）的一个侧表面上的辐射（4）形成，并且在一个过滤器元件（13） 操作产生相干的电磁辐射（12）从一个垂直位移的主发光区域（5）和空间分离的子发射区域（6）的辐射（4）发出的在垂直远场光束轮廓（121）被抑制。

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