公开(公告)号：WO2008033332A2

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：PCT/US2007/019710

申请日：2007-09-10

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  SPANSION LLC ,  PANGRLE, Suzette, K. ,  AVANZINO, Steven ,  HADDAD, Sameer ,  VANBUSKIRK, Michael ,  RATHOR, Manuj ,  XIE, James ,  SONG, Kevin ,  MARRIAN, Christie ,  CHOO, Bryan ,  WANG, Fei ,  SHIELDS, Jeffrey, A.

Inventor： PANGRLE, Suzette, K. ,  AVANZINO, Steven ,  HADDAD, Sameer ,  VANBUSKIRK, Michael ,  RATHOR, Manuj ,  XIE, James ,  SONG, Kevin ,  MARRIAN, Christie ,  CHOO, Bryan ,  WANG, Fei ,  SHIELDS, Jeffrey, A.

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: A present method of fabricating a memory device includes the steps of providing a dielectric layer (110), providing an opening (1 12) in the dielectric layer (110), providing a first conductive body ( 116A) in the opening (112), providing a switching body ( 118A) in the opening (112), the first conductive body ( 116A) and switching body (118A) filling the opening (112), and providing a second conductive body (120A) over the switching body (118A). In an alternate embodiment, a second dielectric layer (150) is provided over the first-mentioned dielectric layer (110), and the switching body (156A) is provided in an opening (152) in the second dielectric layer (150).

Abstract translation: 制造存储器件的当前方法包括以下步骤：提供介电层（110），在介电层（110）中提供开口（112），提供第一导电体（116A ）在开口（112）中，在开口（112）中提供切换主体（118A），第一导电主体（116A）和开关主体（118A）填充开口（112），并且提供第二导电主体（120A ）在切换体（118A）上方。 在替代实施例中，在第一介电层（110）上提供第二介电层（150），并且在第二介电层（150）中的开口（152）中提供开关体（156A） / p>

公开(公告)号：WO2008033332A3

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：PCT/US2007019710

申请日：2007-09-10

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES INC ,  SPANSION LLC ,  PANGRLE SUZETTE K ,  AVANZINO STEVEN ,  HADDAD SAMEER ,  VANBUSKIRK MICHAEL ,  RATHOR MANUJ ,  XIE JAMES ,  SONG KEVIN ,  MARRIAN CHRISTIE ,  CHOO BRYAN ,  WANG FEI ,  SHIELDS JEFFREY A

Inventor： PANGRLE SUZETTE K ,  AVANZINO STEVEN ,  HADDAD SAMEER ,  VANBUSKIRK MICHAEL ,  RATHOR MANUJ ,  XIE JAMES ,  SONG KEVIN ,  MARRIAN CHRISTIE ,  CHOO BRYAN ,  WANG FEI ,  SHIELDS JEFFREY A

IPC: H01L45/00 ,  G11C16/02 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: A present method of fabricating a memory device includes the steps of providing a dielectric layer (110), providing an opening (1 12) in the dielectric layer (110), providing a first conductive body ( 116A) in the opening (112), providing a switching body ( 118A) in the opening (112), the first conductive body ( 116A) and switching body (118A) filling the opening (112), and providing a second conductive body (120A) over the switching body (118A). In an alternate embodiment, a second dielectric layer (150) is provided over the first-mentioned dielectric layer (110), and the switching body (156A) is provided in an opening (152) in the second dielectric layer (150).

Abstract translation: 制造存储器件的现有方法包括提供电介质层（110）的步骤，在电介质层（110）中提供开口（112），在开口（112）中提供第一导电体（116A）， 在所述开口（112）中设置切换主体（118A），所述第一导电体（116A）和切换主体（118A）填充所述开口（112），并且在所述开关体（118A）之上提供第二导电体（120A） 。 在替代实施例中，在第一介电层（110）上提供第二介电层（150），并且开关体（156A）设置在第二介电层（150）的开口（152）中。