摘要:
On réalise un générateur électrique sensible aux rayonnements ionisants en montant une diode en inverse en parallèle entre une pile de polarisation inverse et un transformateur d'impulsions ou seulement avec un transformateur d'impulsions. On montre qu'on peut créer un générateur utilisable à l'intérieur d'un véhicule spatial ou atmosphérique en exploitant les rayonnements cosmiques ou dans un environnement contenant des rayonnements ionisants comme par exemple, dans le domaine nucléaire ou médical, de préférence directement monté sur la carte d'un circuit imprimé qui reçoit un capteur déporté.
摘要:
L'invention a pour objet un dispositif (1) de test de circuit intégré (2) comportant: une platine (3) pour recevoir le circuit intégré (2) et le soumettre au test; la platine (3) comportant des circuits (4) pour alimenter et faire fonctionner le circuit intégré (2) et des circuits (5) pour mesurer le fonctionnement du circuit intégré (2) pendant le test; un dispositif d'irradiation (6) pour soumettre le circuit (2) à un bombardement de protons (7), caractérisé en ce qu'il comporte un masque (8) d'épaisseur variable interposé entre une région d'accès (9) du bombardement sur le circuit intégré (2) et une zone implantée (10) du circuit intégré (2).
摘要:
Pour tester une application logicielle, on soumet une carte électronique (16) portant un composant (1 ) mettant en œuvre une application à un rayonnement laser (15) produit par une installation (17) de test. On excite le composant avec des impulsions laser de très courtes durées réparties pendant des phases complexes de fonctionnement du composant pour réaliser l'application et on observe la réaction du composant et de l'application.
摘要:
Pour analyser un composant électronique en profondeur, on prévoit de soumettre ce composant à un rayonnement laser focalisé. On montre qu'en modifiant l'altitude du foyer dans le composant, on peut caractériser plus facilement certaines parties internes de ce composant.
摘要:
Procédé de caractérisation des conditions d'utilisation d'un composant électronique permettant de limiter sa sensibilité aux interactions énergétiques. On mesure le comportement d'un composant soumis à un rayonnement laser pulsé. On détermine pour quelles valeurs de polarisation, de fréquence et de température(ou autres conditions d'utilisation), ce composant y est sensible en détectant un défaut transitoire ou permanent de fonctionnement du composant. Si nécessaire, on empêche que les courants parasites produits ne détruisent, au moment de ces tests, le composant testé. On en déduit une susceptibilité du composant aux interactions énergétiques et les conditions préférables de fonctionnement de ce composant.
摘要:
To produce a memory which resists ion or photon attack, a memory structure is chosen whose memory point behaves asymmetrically with regard to these attacks. It is shown that in this case, it is sufficient to have a reference cell for an identical and periodic storage structure in order to be able to correct all the memory cells assailed by an attack. An error correction efficiency of 1/2 is thus obtained, with a simple redundancy, whereas the conventional methods make provision, for the same result, to triple the storage, to obtain a less beneficial efficiency of 1/3.
摘要:
The invention relates to a method for characterising operating conditions for an electronic component permitting the sensitivity thereof to energetic interactions to be limited. The behaviour of a component subjected to a pulsed laser radiation is measured. The values of polarisation frequency and temperature (or other operating conditions) to which the component is sensitive are determined by detecting a transitory or permanent fault in the operation of the component. If necessary, the parasite currents generated are prevented from destroying the tested component at the moment of testing. A susceptibility of the component to energetic interactions and the preferred operating conditions for the component are deduced.
摘要:
Pour analyser un composant électronique, on prévoit de soumettre ce composant à un rayonnement laser focalisé. La connaissance fournie par la cartographie laser relative à la position et à la profondeur des zones de sensibilité du composant est utilisée en tant que paramètre d'entrée dans des codes de prédiction pour quantifier la sensibilité du composant cartographie vis-à-vis des particules ionisantes de l'environnement radiatif naturel. Les codes de prédiction permettent d'évaluer l'occurrence des dysfonctionnements dans le composant électronique. L'évaluation des risques liés à l'environnement radiatif impose deux aspects : l'un, probabiliste, prend en compte l'interaction particule/matière, l'autre, électrique, prend en compte la collection de charges à l'intérieur du composant électronique.
摘要:
Pour protéger un composant en circuit intégré muni d'un crypto- processeur contre les agressions visant à révéler les secrets, on prévoit d'utiliser un composant sensible au déclenchement d'un thyristor parasite (latchup) et/ou déclenchement d'un transistor bipolaire parasite ou de 10 concevoir un circuit ayant cette propriété. Si le composant est agressé, du fait de la présence de ce circuit, il se met immédiatement hors service, empêchant de fait la révélation de ses secrets.
摘要:
L'invention a pour objet un procédé de caractérisation de la sensibilité d'un composant électronique vis-à-vis d'un environnement radiatif naturel, dans lequel : on met le composant électronique en service, pour des caractéristiques d'une particule ou d'un faisceau incident données, telles que l'énergie, l'incidence et/ou le parcours, on détermine un domaine de tension SOA au-delà duquel des événements destructifs dudit composant auront lieu, on excite le composant électronique ainsi mis en service avec les caractéristiques de la particule ou du faisceau incident, dans des conditions de fonctionnement proches de la plus grande valeur de tension du domaine de tension SOA déterminé, on détermine une section efficace des événements transitoires amplifiés, cette section efficace correspondant à une estimation des phénomènes destructifs dudit composant, on modifie les caractéristiques de ladite particule ou dudit faisceau, et on réitère l'excitation dudit composant, on détermine la section efficace pour chaque modification de caractéristiques.