DISPOSITIF DE TEST DE CIRCUIT INTEGRE ET PROCEDE DE MISE EN OEUVRE
    2.
    发明申请
    DISPOSITIF DE TEST DE CIRCUIT INTEGRE ET PROCEDE DE MISE EN OEUVRE 审中-公开
    用于测试集成电路的装置及其实现方法

    公开(公告)号:WO2010076448A1

    公开(公告)日:2010-07-08

    申请号:PCT/FR2009/052377

    申请日:2009-12-02

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: L'invention a pour objet un dispositif (1) de test de circuit intégré (2) comportant: une platine (3) pour recevoir le circuit intégré (2) et le soumettre au test; la platine (3) comportant des circuits (4) pour alimenter et faire fonctionner le circuit intégré (2) et des circuits (5) pour mesurer le fonctionnement du circuit intégré (2) pendant le test; un dispositif d'irradiation (6) pour soumettre le circuit (2) à un bombardement de protons (7), caractérisé en ce qu'il comporte un masque (8) d'épaisseur variable interposé entre une région d'accès (9) du bombardement sur le circuit intégré (2) et une zone implantée (10) du circuit intégré (2).

    摘要翻译: 本发明涉及一种用于测试集成电路(2)的装置(1),包括:用于接收集成电路(2)并对其进行测试的压板(3),包括电路(4)的压板(3) 用于在测试期间为集成电路(2)供电和操作用于测量集成电路(2)的操作的电路(5); 用于对所述电路(2)进行质子轰击(7)的照射装置(6),其特征在于,所述照射装置包括设置在所述集成电路上的轰击访问区域(9)之间的具有可变厚度的掩模(8) (2)和所述集成电路(2)的植入区域(10)。

    DETECTION AND CORRECTION OF ERRORS FOR A MEMORY, THE BIT STATES OF WHICH HAVE A DIFFERENT RESISTANCE TO ERRORS
    6.
    发明申请
    DETECTION AND CORRECTION OF ERRORS FOR A MEMORY, THE BIT STATES OF WHICH HAVE A DIFFERENT RESISTANCE TO ERRORS 审中-公开
    对记忆的错误的检测和更正,其对错误具有不同的抵抗状态

    公开(公告)号:WO2009153527A3

    公开(公告)日:2010-02-25

    申请号:PCT/FR2009051165

    申请日:2009-06-18

    IPC分类号: G11C5/00

    摘要: To produce a memory which resists ion or photon attack, a memory structure is chosen whose memory point behaves asymmetrically with regard to these attacks. It is shown that in this case, it is sufficient to have a reference cell for an identical and periodic storage structure in order to be able to correct all the memory cells assailed by an attack. An error correction efficiency of 1/2 is thus obtained, with a simple redundancy, whereas the conventional methods make provision, for the same result, to triple the storage, to obtain a less beneficial efficiency of 1/3.

    摘要翻译: 为了产生抵抗离子或光子攻击的存储器,选择存储器结构,其存储器点对于这些攻击是不对称的。 显示在这种情况下,为了能够校正攻击所攻击的所有存储器单元,具有用于相同和周期性存储结构的参考单元就足够了。 因此,以简单的冗余度获得1/2的纠错效率,而常规方法提供了相同的结果,使存储器的三倍,以获得1/3的较不有效的效率。

    METHOD FOR CHARACTERISING THE SENSITIVITY OF AN ELECTRONIC COMPONENT TO ENERGETIC INTERACTIONS
    7.
    发明申请
    METHOD FOR CHARACTERISING THE SENSITIVITY OF AN ELECTRONIC COMPONENT TO ENERGETIC INTERACTIONS 审中-公开
    用于表征电子元件对能量相互作用的灵敏度的方法

    公开(公告)号:WO2009044058A3

    公开(公告)日:2009-08-27

    申请号:PCT/FR2008051593

    申请日:2008-09-05

    摘要: The invention relates to a method for characterising operating conditions for an electronic component permitting the sensitivity thereof to energetic interactions to be limited. The behaviour of a component subjected to a pulsed laser radiation is measured. The values of polarisation frequency and temperature (or other operating conditions) to which the component is sensitive are determined by detecting a transitory or permanent fault in the operation of the component. If necessary, the parasite currents generated are prevented from destroying the tested component at the moment of testing. A susceptibility of the component to energetic interactions and the preferred operating conditions for the component are deduced.

    摘要翻译: 本发明涉及一种用于表征电子部件的操作条件的方法,其允许其敏感性受限于能量相互作用。 测量经受脉冲激光辐射的部件的行为。 通过检测组件操作中的暂时性或永久性故障来确定组件敏感的极化频率和温度(或其他工作条件)的值。 如果需要,可以防止在测试时产生的寄生电流破坏测试组件。 推导出组件对能量相互作用的敏感性和组件的优选操作条件。

    PROCEDE DE CARACTERISATION DE LA SENSIBILITE DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES VIS-A-VIS DE MECANISMES DESTRUCTIFS
    10.
    发明申请
    PROCEDE DE CARACTERISATION DE LA SENSIBILITE DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES VIS-A-VIS DE MECANISMES DESTRUCTIFS 审中-公开
    表征电子元件对破坏机制灵敏度的方法

    公开(公告)号:WO2012001119A1

    公开(公告)日:2012-01-05

    申请号:PCT/EP2011/061034

    申请日:2011-06-30

    摘要: L'invention a pour objet un procédé de caractérisation de la sensibilité d'un composant électronique vis-à-vis d'un environnement radiatif naturel, dans lequel : on met le composant électronique en service, pour des caractéristiques d'une particule ou d'un faisceau incident données, telles que l'énergie, l'incidence et/ou le parcours, on détermine un domaine de tension SOA au-delà duquel des événements destructifs dudit composant auront lieu, on excite le composant électronique ainsi mis en service avec les caractéristiques de la particule ou du faisceau incident, dans des conditions de fonctionnement proches de la plus grande valeur de tension du domaine de tension SOA déterminé, on détermine une section efficace des événements transitoires amplifiés, cette section efficace correspondant à une estimation des phénomènes destructifs dudit composant, on modifie les caractéristiques de ladite particule ou dudit faisceau, et on réitère l'excitation dudit composant, on détermine la section efficace pour chaque modification de caractéristiques.

    摘要翻译: 本发明涉及一种用于表征电子部件相对于自然辐射环境的灵敏度的方法,包括:打开电子部件; 对于给定的粒子或入射光束的特性,例如能量,入射和/或路径,确定SOA电压范围,超过此范围发生所述部件的破坏性事件; 在接近预定的SOA电压范围的最高电压值的工作条件下,使具有粒子或入射光束的特性的由此导通的电子元件通电; 确定放大的瞬态事件的有效部分,所述有效部分对应于所述部件的破坏性事件的估计; 改变所述颗粒或所述光束的特性,并重复激发所述部件; 并确定每个特性修改的有效部分。