秘密情報伝送方法、秘密情報伝送システム及び秘密情報送信装置
    1.
    发明申请
    秘密情報伝送方法、秘密情報伝送システム及び秘密情報送信装置 审中-公开
    机密信息传输方法,机密信息传输系统和机密信息传输设备

    公开(公告)号:WO2010055924A1

    公开(公告)日:2010-05-20

    申请号:PCT/JP2009/069395

    申请日:2009-11-13

    Abstract:  第1の装置により、マスタキーの情報を含む複数の分散情報を生成してこれらを無線通信により第2の装置へ送信し、第2の装置により、前記複数の分散情報を受信してマスタキーを復元する秘密情報伝送方法であって、第1の装置では、複数の乱数情報と、マスタキーとに対して順にEXOR演算を施すことにより求めた情報とを配列して秘密情報を生成し、前記複数の分散情報と前記秘密情報とに対して順にEXOR演算を施すことにより最後の分散情報を生成し、前記複数の分散情報を前記第2の装置へ送信し、前記第2の装置では、前記複数の分散情報に対して順にEXOR演算を行って前記秘密情報を復元し、復元された秘密情報を分割し、分割された情報に対してEXOR演算を行ってマスタキーを復元する、秘密情報伝送方法を提供する。

    Abstract translation: 提供了一种机密信息传输方法,其中包括主密钥信息的多条分布式信息由第一设备生成并被无线地发送到第二设备,并且接收上述多条分散信息,并且主密钥由 第二个设备。 第一设备通过将EXOR操作顺序地应用于多个随机数信息和主密钥而获得的信息,以便生成机密信息,通过依次将EXOR操作应用于上述多个 分发信息和上述机密信息,并将上述多条分散信息发送到第二设备。 上述第二装置将EXOR操作顺序地应用于前述的多条分散信息,以恢复前述的机密信息,对恢复的机密信息进行分割,并将EXOR操作应用于分割的信息以便恢复主密钥。

    画像処理装置、方法、プログラム及び記録媒体
    2.
    发明申请
    画像処理装置、方法、プログラム及び記録媒体 审中-公开
    图像处理设备,方法,程序和存储介质

    公开(公告)号:WO2011115142A1

    公开(公告)日:2011-09-22

    申请号:PCT/JP2011/056118

    申请日:2011-03-15

    Inventor: 一森 高示

    Abstract:  複数の撮影装置によって撮影された画像から立体物に相当する情報を短時間で抽出することを、簡易な構成・処理で実現する。 水平方向位置の異なる一対の撮影装置で撮影された一対の画像におけるX方向に沿った視差量を表す視差情報を、画像のY方向に沿った各位置について記憶部44に記憶しておき、視差補正制御部42は、前画像処理部14から入力された1ライン分の画像データのY座標値に対応する視差量を記憶部44から読み出し、一方の画像データの出力が視差量分だけ遅延するように、セレクタ38,44へ選択信号を出力する。差分画像生成部18は、入力された一対の画像データの差分の絶対値を画素毎に演算し、立体物を検出するための差分画像として出力する。

    Abstract translation: 所公开的发明使用简单的配置/过程从使用多个图像捕获设备拍摄的图像中快速提取与三维物体相当的数据。 视差数据示出了在由水平方向具有不同位置的一对图像捕获装置拍摄的一对图像中沿着x轴的视差量。 沿着图像的y轴的每个位置的视差信息被记录到存储器(44)。 视差校正控制单元(42)从存储器(44)读取与从图像预处理单元(14)输入的每行图像数据的y坐标相对应的视差量,并将选择信号输出到选择器 (38,40),使得输出的另一图像的数据仅被延迟视差量。 差分图像生成单元(18)计算每个图像的一对输入图像的差的绝对值,并输出用于检测三维对象的差分图像。

    半導体装置及び半導体装置の製造方法
    3.
    发明申请
    半導体装置及び半導体装置の製造方法 审中-公开
    半导体器件及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:WO2011111754A1

    公开(公告)日:2011-09-15

    申请号:PCT/JP2011/055546

    申请日:2011-03-09

    Abstract: 同一の基板上にダイオードとトランジスタとを混在させた半導体装置において、トランジスタのゲート電極による制御と無関係に発生するリーク電流を抑制することができる半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。高抵抗N型基板で形成されたN型半導体層中にP型ウェル拡散層及びP型取り出し電極領域を形成し、電極によりグランド電位に固定する。P型ウェル拡散層側に広がる空乏層が、埋め込み酸化膜との界面まで到達しないため、P型ウェル拡散層の表面付近の電位はグランド電位に保たれる。N型半導体層の裏面及びカソード電極に電源電圧から電圧を印加した場合、P型半導体層に形成したMOS型トランジスタの埋め込み酸化膜側のチャネル領域が動作しないため、ゲート電極による制御に無関係なリーク電流の発生を抑制することができる。

    Abstract translation: 公开了一种半导体器件,其中二极管和晶体管共存在同一衬底上,并且其中产生与由晶体管的栅电极执行的控制无关的漏电流被抑制,并且还提供了制造半导体的方法 设备。 在由高电阻N型衬底形成的N型半导体层中形成P型阱扩散层和P型引出电极区域,并通过电极固定为接地电位。 P型阱扩散层表面附近的电位保持在接地电位,因为向P型阱扩散层扩散的耗尽层不会与嵌入的氧化膜到达边界面。 当从电源电压向N型半导体层和阴极的背面施加电压时,由于嵌入的沟道区域可以抑制与由栅电极执行的控制无关的漏电流的产生 形成在P型半导体层中的MOS型晶体管的氧化膜侧不起作用。

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