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    COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR AND TRANSISTOR
    3.
    发明申请
    COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR AND TRANSISTOR 审中-公开
    复合氧化物半导体和晶体管

    公开(公告)号：WO2017199130A1

    公开(公告)日：2017-11-23

    申请号：PCT/IB2017/052714

    申请日：2017-05-10

    申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： YAMAZAKI, Shunpei ,  HOSAKA, Yasuharu ,  SHIMA, Yukinori ,  KOEZUKA, Junichi ,  OKAZAKI, Kenichi

    IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/08

    CPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

    摘要： A novel material is provided. A composite oxide semiconductor includes a first region and a second region. The first region contains indium. The second region contains an element M (the element M is one or more of Ga, Al, Hf, Y, and Sn). The first region and the second region are arranged in a mosaic pattern. The composite oxide semiconductor further includes a third region. The element M is gallium. The first region contains indium oxide or indium zinc oxide. The second region contains gallium oxide or gallium zinc oxide. The third region contains zinc oxide.

    摘要翻译：

    提供了一种新型材料。 复合氧化物半导体包括第一区域和第二区域。 第一个区域包含铟。 第二区域包含元素M（元素M是Ga，Al，Hf，Y和Sn中的一种或多种）。 第一区域和第二区域以马赛克图案排列。 复合氧化物半导体还包括第三区域。 元素M是镓。 第一区域包含氧化铟或氧化铟锌。 第二区域含有氧化镓或氧化镓锌。 第三个区域含有氧化锌。

    薄膜トランジスタ
    4.
    发明申请
    薄膜トランジスタ 审中-公开
    薄膜晶体管

    公开(公告)号：WO2017179504A1

    公开(公告)日：2017-10-19

    申请号：PCT/JP2017/014516

    申请日：2017-04-07

    申请人： シャープ株式会社

    发明人： 宮本　忠芳 ,  織田　明博

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/78648 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

    摘要： ゲートドライバＴＦＴ３０は、ゲート電極３０ａと、ゲート電極３０ａに対してゲート絶縁膜１６を介して重畳し半導体膜である酸化物半導体膜１７からなるチャネル部３０ｄと、チャネル部３０ｄの一端側に接続されるソース電極３０ｂと、チャネル部３０ｄの他端側に接続されるドレイン電極３０ｃと、チャネル部３０ｄのうち、ソース電極３０ｂまでの距離Ｌ２よりもドレイン電極３０ｃまでの距離Ｌ１の方が大きくなる位置に接続される中間電極２２と、を備える。

    摘要翻译：

    TFT30具有栅极电极30A，由氧化物半导体膜17的沟道部30d栅极驱动器通过栅极叠加半导体膜绝缘膜16与栅电极30A中，信道 源电极30B被连接到部分30d的一端，和漏极电极30C被连接到通道部分30d的另一端，通道部分30d的，到漏电极30c的比距离L2到源电极30b的 并且连接到距离L1较大的位置的中间电极22。

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
    5.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    半导体装置和包括半导体装置的显示装置

    公开(公告)号：WO2017115214A1

    公开(公告)日：2017-07-06

    申请号：PCT/IB2016/057801

    申请日：2016-12-20

    申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： MIYAKE, Hiroyuki ,  OKAZAKI, Kenichi ,  HOSAKA, Yasuharu ,  SHIMA, Yukinori

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

    CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/005

    摘要： Provided is a novel semiconductor device. The semiconductor device comprises a first transistor and a second transistor. The first transistor comprises a first gate electrode; a first insulating film over the first gate electrode; a first oxide semiconductor film over the first insulating film; a first source electrode and a first drain electrode over the first oxide semiconductor film; a second insulating film over the first oxide semiconductor film, the first source electrode, and the first drain electrode; and a second gate electrode over the second insulating film. The second transistor comprises a first drain electrode; the second insulating film over the second drain electrode; a second oxide semiconductor film over the second insulating film; a second source electrode and a second drain electrode over the second oxide semiconductor film; a third insulating film over the second oxide semiconductor film, the second source electrode, and the second drain electrode; and a third gate electrode over the third insulating film. The first oxide semiconductor film partly overlaps with the second oxide semiconductor film.

    摘要翻译： 提供了一种新颖的半导体器件。 该半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。 第一晶体管包括第一栅电极; 在第一栅电极上的第一绝缘膜; 在第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜; 在所述第一氧化物半导体膜上的第一源电极和第一漏电极; 在第一氧化物半导体膜，第一源电极和第一漏电极之上的第二绝缘膜; 以及在第二绝缘膜上的第二栅电极。 第二晶体管包括第一漏电极; 在第二漏电极上的第二绝缘膜; 在第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜; 所述第二氧化物半导体膜上的第二源电极和第二漏电极; 在所述第二氧化物半导体膜，所述第二源电极和所述第二漏电极之上的第三绝缘膜; 以及在第三绝缘膜上的第三栅电极。 第一氧化物半导体膜部分地与第二氧化物半导体膜重叠。

    表示装置
    9.
    发明申请
    表示装置 审中-公开
    显示设备

    公开(公告)号：WO2016117609A1

    公开(公告)日：2016-07-28

    申请号：PCT/JP2016/051586

    申请日：2016-01-20

    申请人： 株式会社ジャパンディスプレイ

    发明人： 佐藤　敏浩

    IPC分类号： G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

    CPC分类号： H01L29/78612 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/13685 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0842 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/50

    摘要： 　キンク現象の発生を抑え、表示装置の画質を向上させること。　表示装置は、画素に設けられた薄膜トランジスタを有する。薄膜トランジスタは、半導体層（ＳＣ）と、半導体層（ＳＣ）の下に設けられた第１絶縁層（ＩＮ１）と、半導体層（ＳＣ）の上に設けられた第２絶縁層（ＩＮ２）と、半導体層（ＳＣ）に間隔をあけて対向するゲート電極（ＬＧ、ＨＧ、ＳＧ）と、を有する。ゲート電極は、半導体層（ＳＣ）の下面と対向する第１ゲート電極部（ＬＧ）と、半導体層（ＳＣ）の上面と対向する第２ゲート電極部（ＨＧ）と、半導体層（ＳＣ）の側面と対向して第１ゲート電極部（ＬＧ）及び第２ゲート電極部（ＨＧ）に接続する第３ゲート電極部（ＳＧ）と、を含む。半導体層（ＳＣ）の周囲に、第１絶縁層（ＩＮ１）及び第２絶縁層（ＩＮ２）とが互いに積層する積層部を有する。積層部の一部が半導体層（ＳＣ）の側面と第３ゲート電極部（ＳＧ）との間に位置する。

    摘要翻译： 本发明的目的是抑制扭结现象的发生并提高显示装置的图像质量。 显示装置包括设置在像素中的薄膜晶体管。 薄膜晶体管具有半导体层（SC），设置在半导体层（SC）下方的第一绝缘层（IN1），设置在半导体层（SC）上方的第二绝缘层（IN2）和栅极电极 LG，HG，SG），其跨越其间的间隙面向半导体层（SC）。 栅电极包括面向半导体层（SC）的下表面的第一栅电极部分（LG），面对半导体层（SC）的上表面的第二栅电极部分（HG）和第三栅电极 部分（SG），其面对半导体层（SC）的侧表面并连接到第一栅电极部分（LG）和第二栅电极部分（HG）。 在半导体层（SC）的周围设置有层叠有第一绝缘层（IN1）和第二绝缘层（IN2）的层叠部。 层叠部分的一部分位于半导体层（SC）和第三栅电极部分（SG）的侧表面之间。