公开(公告)号：WO2011081844A2

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/US2010/059843

申请日：2010-12-10

申请人： INTEL CORPORATION ,  ROBERTS, Brent M. ,  ROY, Mihir K. ,  SRINIVASAN, Sriram

发明人： ROBERTS, Brent M. ,  ROY, Mihir K. ,  SRINIVASAN, Sriram

IPC分类号： H01L23/482

CPC分类号： H05K1/112 ,  G06F1/183 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include attaching a patch structure to an interposer by thermal compression bonding, forming an underfill around an array of interconnect structures disposed on a top surface of the interposer, curing the underfill, and then attaching a die to the patch structure.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括通过热压粘合将贴片结构附接到插入件，在布置在插入件的顶表面上的互连结构的阵列周围形成底部填充物，固化底部填充物，然后将裸片附接到贴片结构。

公开(公告)号：WO2011081844A3

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/US2010059843

申请日：2010-12-10

申请人： INTEL CORP ,  ROBERTS BRENT M ,  ROY MIHIR K ,  SRINIVASAN SRIRAM

发明人： ROBERTS BRENT M ,  ROY MIHIR K ,  SRINIVASAN SRIRAM

IPC分类号： H01L23/482

CPC分类号： H05K1/112 ,  G06F1/183 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include attaching a patch structure to an interposer by thermal compression bonding, forming an underfill around an array of interconnect structures disposed on a top surface of the interposer, curing the underfill, and then attaching a die to the patch structure.

摘要翻译： 描述了形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括通过热压结合将贴片结构附着到插入件，围绕设置在插入件的顶表面上的互连结构阵列形成底部填充物，固化底部填充物，然后将管芯附接到贴片结构。

公开(公告)号：WO2011059569A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/US2010/049521

申请日：2010-09-20

申请人： INTEL CORPORATION ,  GUZEK, John, S. ,  ROY, Mihir, K. ,  ROBERTS, Brent, M.

发明人： ROY, Mihir, K. ,  ROBERTS, Brent, M.

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14

CPC分类号： H05K1/165 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0254 ,  H05K1/0262 ,  H05K1/116 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09527 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2203/1572 ,  H01L2924/00

摘要： A microelectronic device comprises a first substrate (110) having a first electrically conductive path (111) therein and a second substrate (120) above the first substrate and having a second electrically conductive path (121) therein, wherein the first electrically conductive path and the second electrically conductive path are electrically connected to each other and form a portion of a current loop (131) of an inductor (130).

摘要翻译： 微电子器件包括其中具有第一导电路径（111）的第一衬底（110）和在第一衬底上方的第二衬底（120），并且其中具有第二导电路径（121），其中第一导电路径和 第二导电路径彼此电连接并形成电感器（130）的电流回路（131）的一部分。