電気信号伝送装置
    1.
    发明申请
    電気信号伝送装置 审中-公开
    电信号传输装置

    公开(公告)号:WO2016178281A1

    公开(公告)日:2016-11-10

    申请号:PCT/JP2015/063142

    申请日:2015-05-01

    摘要: 高速動作時における配線間の反射を低減することを課題とする。 第1の信号伝送経路を備える第1の基板と、第1の基板に搭載され、第2の信号伝送経路を備える第2の基板と、第2の基板に搭載され、伝送レートが14Gbps以上の電気信号が入出力され、内部信号経路を備える半導体集積回路装置と、を有する電気信号伝送装置である。ここで、第1の基板と第2の基板の間に配置され、第1の信号経路と第2の信号経路を接続する第1の接続部材と、第2の基板と半導体集積回路装置の間に配置され、第2の信号経路と内部信号経路を接続する第2の接続部材とを有する。この装置では、半導体集積回路装置が動作する際に、第1及び第2の信号経路に伝送される信号の周波数帯域において、第2の信号伝送線路のインピーダンスは、第1の信号伝送線路のインピーダンスより20%以上低く、第2の信号伝送線路のインピーダンスは、第1または第2の接続部材のインピーダンスに対してプラスマイナス35%の範囲で一致している。

    摘要翻译: 本发明解决了在高速运转时减少电线之间的反射的问题。 提供一种电信号传输装置,包括:第一电路板,包括第一信号传输路径; 第二电路板,其安装在第一电路板上并且包括第二信号传输路径; 以及半导体集成电路装置,其安装在第二电路板上,输入/输出具有14Gbps或更高传输速率的电信号,并且包括内部信号路径。 这里,包括第一连接部件,其配置在第一电路基板和第二电路基板之间,并连接第一信号路径和第二信号路径; 以及第二连接构件,其设置在第二电路板和半导体集成电路装置之间,并且连接第二信号路径和内部信号路径。 在该装置中,当半导体集成电路装置工作时,在通过第一和第二信号路径发送的信号的频带中,第二信号传输路径的阻抗比阻抗低20%以上 的第一信号传输路径的阻抗,并且第二信号传输路径的阻抗与第一或第二连接构件的阻抗在±35%的范围内匹配。

    インターポーザ、半導体装置、およびそれらの製造方法
    2.
    发明申请
    インターポーザ、半導体装置、およびそれらの製造方法 审中-公开
    间插器,半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016114133A1

    公开(公告)日:2016-07-21

    申请号:PCT/JP2016/000137

    申请日:2016-01-13

    摘要:  貫通孔内部の基板と導電層との密着性の高いインターポーザ、半導体装置、およびそれらの製造方法、または貫通孔内部における高周波伝送損失が少なく、高い電気特性と微細配線形成とを有するインターポーザ、半導体装置、およびそれらの製造方法を提供する。 インターポーザは、貫通孔を持つ基板と、シード層を介して基板上に配置された1層以上の配線層と、貫通孔の壁面に形成された金属または絶縁体で構成される密着層と、密着層上に形成される基板の両面側を導通可能な貫通電極とを含む。

    摘要翻译: 提供了一种插入器,其在通孔内部提供衬底和导电层之间的高粘合性; 半导体器件; 制造这些的方法; 在通孔内具有最小的高频率传输损耗的插入器,以及先进的电气特性和细线形成性能; 半导体器件; 及其制造方法。 插入器包括:具有通孔的基板,设置在基板上的一个或多个布线层,同时插入种子层,形成在通孔的壁表面上的由金属或绝缘体构成的粘合层,以及形成在粘合层上的通孔电极 ,用于在基板的两侧之间提供电连续性。

    熱伝導性シリコーン組成物、熱伝導性層及び半導体装置
    6.
    发明申请
    熱伝導性シリコーン組成物、熱伝導性層及び半導体装置 审中-公开
    导热硅胶组合物,导热层和半导体器件

    公开(公告)号:WO2014115456A1

    公开(公告)日:2014-07-31

    申请号:PCT/JP2013/084211

    申请日:2013-12-20

    摘要:  発熱性電子部品と放熱用部材の間に配置される熱伝導性シリコーン組成物であって、 (A)1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有する、25℃の動粘度が10~100,000mm 2 /sのオルガノポリシロキサン、 (B)一般式(1)で表される片末端3官能の加水分解性ジメチルポリシロキサン、 (C)10W/m℃以上の熱伝導率を有する熱伝導性充填材、 (D)一般式(2)で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、 (E)(D)成分以外の、1分子中に少なくとも2個のケイ素原子に直結した水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、 (F)白金及び白金化合物からなる群より選択される触媒 を含有してなり、貯蔵弾性率、損失弾性率及び損失係数の適切な範囲を有し、冷熱サイクル時のポンプアウトや剥離が発生しづらく、熱抵抗の上昇が抑制された硬化物を与える熱伝導性シリコーン組成物を提供する。

    摘要翻译: 提供了一种设置在发热电子部件和用于分散热的部件之间的导热硅氧烷组合物,其中导热性有机硅组合物含有(A)在一分子中具有至少两个烯基的有机聚硅氧烷,并且在25°下具有动态粘度 (B)在一端具有三个官能团的可水解的二甲基聚硅氧烷,其由式(1)表示,(C)导热性填料的导热率为10W / m℃以上, (D)由式(2)表示的有机氢聚硅氧烷,(E)含有与除(D)成分以外的一个分子中至少两个硅原子直接结合的氢的有机氢聚硅氧烷,(F)选自 由铂和铂化合物组成。 导热硅氧烷组合物提供在适当范围内具有储能模量,损耗模量和损失系数的固化物体; 在加热/冷却循环期间不发生剥离和抽出,并且抑制热阻的增加。

    LED晶片模组化封装工艺
    8.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2014086080A1

    公开(公告)日:2014-06-12

    申请号:PCT/CN2013/000138

    申请日:2013-02-16

    IPC分类号: H01L33/62

    摘要: 一种LED晶片模组化封装工艺,具体步骤是:首先将正装或倒装结构的单颗或多颗LED芯片(2)串并联组成LED芯片组,然后用LED芯片贴片设备,将LED芯片组贴到基板(4)或者支架上。单颗或多颗LED芯片串并联组成LED芯片组后,引出导线采用金属导线、金属薄膜导线或者氧化铟锡透明导线,其中,正装LED芯片用金线加上球焊焊点焊接在引出导线上,倒装LED芯片用共晶焊点焊接在引出导线上。LED芯片贴片设备为固晶机或贴片机。采用这种贴片电阻的贴片制造方式,能够提升LED封装制造的速度,增加产能,同时降低成本。

    発光装置
    9.
    发明申请
    発光装置 审中-公开
    发光装置

    公开(公告)号:WO2014081042A1

    公开(公告)日:2014-05-30

    申请号:PCT/JP2013/081818

    申请日:2013-11-26

    IPC分类号: H01L33/60 H01L33/50 H01L33/54

    摘要:  発光素子から照射された光が上方の領域に照射される発光装置を提供する。 発光装置1は、回路基板20と、回路基板の上面に実装された発光素子10と、発光素子10の上面に配置された蛍光体樹脂層12と、蛍光体樹脂層12の上面に配置され、発光素子10から照射された光を拡散する拡散樹脂層16mと、発光素子10の側面を囲むように配置された第1反射材14と、拡散樹脂層16mの側面を囲むように配置された第2反射材18と、を有することを特徴とする。

    摘要翻译: 提供了一种发光器件,其中发光元件上方的区域被从发光元件发射的光照射。 发光器件(1)的特征在于包括:电路板(20); 安装在电路板的上表面上的发光元件(10); 布置在所述发光元件(10)的上表面上的荧光体树脂层(12); 布置在荧光体树脂层(12)的上表面上并扩散从发光元件(10)发射的光的扩散树脂层(16m); 布置成围绕发光元件(10)的侧表面的第一反射材料(14); 以及布置成围绕扩散树脂层(16m)的侧表面布置的第二反射材料(18)。

    POWER DEVICE AND PACKAGING THEREOF
    10.
    发明申请
    POWER DEVICE AND PACKAGING THEREOF 审中-公开
    电源设备及其包装

    公开(公告)号:WO2014031823A1

    公开(公告)日:2014-02-27

    申请号:PCT/US2013/056126

    申请日:2013-08-22

    摘要: The present disclosure provides a power device and power device packaging. Generally, the power device of the present disclosure includes a die backside and a die frontside. A semi-insulating substrate with epitaxial layers disposed thereon is sandwiched between the die backside and the die frontside. Pads on the die frontside are coupled to the die backside with patterned backmetals that are disposed within vias that pass through the semi-insulating substrate and epitaxial layers from the die backside to the die frontside.

    摘要翻译: 本公开提供了功率器件和功率器件封装。 通常,本公开的功率器件包括管芯背面和管芯前端。 具有设置在其上的外延层的半绝缘基板夹在模具背面和模具前侧之间。 模具前端的垫片与模具背面耦合,图案化的背衬设置在通过半绝缘衬底和外延层从模具背面到模具前端的通孔内。