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公开(公告)号：WO2004091767A1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/FR2004/050152
申请日：2004-04-09
Inventor： STRABONI, Alain
IPC: B01J2/00
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de granules semiconducteurs comportant une étape de frittage et/ou de fusion de poudres semiconductrices. Les poudres comprennent des poudres de taille nanométrique et/ou micrométrique.
Abstract translation: 本发明涉及一种生产半导体颗粒的方法，包括半导体粉末烧结和/或熔化的步骤。 粉末是纳米尺寸和/或微米尺寸的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2010112782A3
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/FR2010050628
申请日：2010-04-01
Applicant: TILE S , STRABONI ALAIN
Inventor： STRABONI ALAIN
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: The invention relates to a method and an electronic structure (35) including a substrate (26, 28), produced by sintering silicon powders, and at least one epitaxial layer (32). The invention also relates to photovoltaic cells and can be used in other fields, such as the fields of electronics, microelectronics or optoelectronics.
Abstract translation: 本发明涉及一种方法和电子结构（35），其包括通过烧结硅粉末产生的衬底（26,28）和至少一个外延层（32）。 本发明还涉及光伏电池，并且可以用于其他领域，例如电子学，微电子学或光电子学领域。
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公开(公告)号：WO2011010074A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/FR2010/051559
申请日：2010-07-22
Applicant: S'TILE , STRABONI, Alain
Inventor： STRABONI, Alain
IPC: H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/02532 , C30B1/02 , C30B1/12 , C30B29/06 , C30B35/00 , C30B35/002 , F27D3/0084 , H01L21/02667 , H01L21/67098 , H01L21/6776
Abstract: L'invention concerne un dispositif et un procédé pour recristalliser une plaquette de silicium ou une plaquette comportant au moins une couche de silicium. La plaquette de silicium ou la au moins une couche de silicium de la plaquette est totalement fondue.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于使包含至少一个硅层的硅晶片或晶片再结晶的装置和方法。 硅晶片或晶片的至少一个硅层完全熔化。
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公开(公告)号：WO2010112782A2
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/FR2010/050628
申请日：2010-04-01
Applicant: S'TILE , STRABONI, Alain
Inventor： STRABONI, Alain
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L21/20 , H01L21/22 , C04B35/645 , C04B35/65
CPC classification number: H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: L'invention concerne un procédé et une structure électronique (35) comprenant un support (26, 28) réalisé par frittage de poudres de silicium et au moins une couche épitaxiée (32). L'invention concerne aussi des cellules photovoltaïques et peut s'appliquer à d'autres domaines, comme l'électronique, la microélectronique ou l'optoélectronique.
Abstract translation: 本发明涉及一种方法和电子结构（35），其包括通过烧结硅粉末产生的衬底（26,28）和至少一个外延层（32）。 本发明还涉及光伏电池，并且可以用于其他领域，例如电子学，微电子学或光电子学领域。
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公开(公告)号：WO2010072956A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/FR2009/052620
申请日：2009-12-18
Applicant: S'TILE , STRABONI, Alain
Inventor： STRABONI, Alain
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: L'invention concerne une structure comprenant une première couche réalisée par frittage de poudres de silicium et une deuxième couche réalisée en silicium monocristallin, comprenant ou non une couche formant barrière de diffusion ou une couche isolante entre les première et deuxième couches. Application au domaine photovoltaïque et à divers domaines, comme en électronique, microélectronique, optique, opto-électronique.
Abstract translation: 本发明涉及一种结构，其包括通过烧结硅粉末制成的第一层和由单晶硅制成的第二层，并且其在第一层和第二层之间具有或不包括扩散阻挡层或绝缘层。 本发明可用于光伏工业和各种领域，例如在电子学，微电子学，光学学和光电学领域。
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公开(公告)号：WO2004093202A1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/FR2004/050151
申请日：2004-04-09
Inventor： STRABONI, Alain
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02363 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un matériau semiconducteur obtenu par frittage de poudres ainsi qu'un matériau semiconducteur. Le procédé comprend une étape de compression et de traitement thermique tel qu'une partie des poudres est fondue ou rendue visqueuse. Le matériau est utilisable dans le domaine photovoltaïque.
Abstract translation: 本发明涉及通过烧结粉末和半导体材料形成半导体材料的方法。 该方法包括压缩和热处理阶段，使得一部分粉末熔化或变得粘稠。 该材料可用于光伏领域。
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