公开(公告)号：WO2004046416A1

公开(公告)日：2004-06-03

申请号：PCT/CH2003/000742

申请日：2003-11-12

Applicant: UNAXIS BALZERS AG

Inventor： OSTERMANN, Rainer ,  BUECHEL, Arthur ,  ELYAAKOUBI, Mustapha

IPC: C23C14/56

CPC classification number: H01L21/67178 ,  C23C14/566 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54 ,  F27B5/04 ,  F27B5/12 ,  F27B17/0025 ,  F27D3/0084 ,  F27D3/06 ,  F27D2003/0065 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67781 ,  Y10S414/139

Abstract: So as to simplify and improve flexibility of multiple step substrate vacuum processing a loadlock- and processing tower LLPTl comprises a loadlock arrangement LLA as well as a processing arrangement PMA. The loadlock arrangement LLA communicates on the one hand with an outside atmosphere AT and on the other hand with a vacuum atmosphere V in a transport arrangement TA. Handling of substrates between process module arrangement PMA and transport arrangement TA is performed via openings.

Abstract translation: 为了简化并提高多步基板真空处理的灵活性，装载锁和加工塔LLPT1包括装载锁定装置LLA以及处理装置PMA。 负载锁定装置LLA一方面与外部气氛AT连通，另一方面在输送装置TA中具有真空气氛V。 通过开口执行处理模块装置PMA和输送装置TA之间的基板的处理。

公开(公告)号：WO2011042666A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：PCT/FR2010/052114

申请日：2010-10-07

Applicant: SNECMA PROPULSION SOLIDE ,  AGILIS ENGINEERING S.A. ,  ABBE, François ,  CRISTINI, Baptiste ,  DREVET, Olivier ,  VIOLLEAU, Marc-Antoine ,  BESSETTES, Rémi

Inventor： ABBE, François ,  CRISTINI, Baptiste ,  DREVET, Olivier ,  VIOLLEAU, Marc-Antoine ,  BESSETTES, Rémi

IPC: F27D3/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: F27D3/0084 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67754

Abstract: L'invention concerne un dispositif de support (100) pour le chargement de plaques ou substrats dans un four de traitement thermique (200), Ie dispositif comprenant un manche et une partie de chargement destinée à supporter les substrats ou plaques à l'intérieur du four. Le dispositif comprend au moins des premier et deuxième éléments de structure (110, 120) en matériau composite thermostructural, le premier élément (110) formant le manche du dispositif tandis que le deuxième élément (120) forme la partie de chargement dudit dispositif. Les premier et deuxième éléments (110, 120) sont assemblés entre eux par un système de fixation démontable (160). Un ou plusieurs éléments unitaires (130) peuvent en outre être ajoutés afin d'allonger le dispositif de support.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在热处理炉（200）中装载板或基板的支撑装置（100），该装置包括手柄和用于支撑炉内的基板或板的装载部分。 所述装置包括由热结构复合材料制成的至少第一和第二结构元件（110,120），所述第一元件（110）形成所述装置的手柄，而所述第二元件（120）形成所述装置的装载部分。 第一和第二元件（110,120）由可拆卸的连接系统（160）相互组装。 还可以添加一个或多个单独元件（130）以延长支撑装置。

公开(公告)号：WO2014074982A3

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/US2013069423

申请日：2013-11-11

Applicant: FIRST SOLAR MALAYSIA SDN BHD ,  GOSSMAN ROBERT DWAYNE ,  OSBORN KALI NICOLE ,  PENG HONGYING

Inventor： GOSSMAN ROBERT DWAYNE ,  OSBORN KALI NICOLE ,  PENG HONGYING

IPC: H01L21/44 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: F27D3/0084 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543

Abstract: Methods are generally provided for forming a conductive oxide layer on a substrate by sputtering a target to deposit a transparent conductive oxide layer (e.g., comprising comprises cadmium, tin, and oxygen) on the substrate; positioning an anneal surface in close proximity to the transparent conductive oxide layer (e.g., about 3 cm or less); and, annealing the transparent conductive oxide layer while the anneal surface is in close proximity to the transparent conductive oxide layer (e.g., at an anneal temperature of about 500 C to about 700 C) to create a localized cadmium vapor between the transparent conductive oxide layer and the anneal surface. The anneal surface can include a material reactive with oxygen at the anneal temperature. Apparatus is also provided for annealing a thin film layer on a substrate.

Abstract translation: 通常提供了通过溅射靶以在衬底上沉积透明导电氧化物层（例如包括镉，锡和氧）来在衬底上形成导电氧化物层的方法; 将退火表面定位在靠近透明导电氧化物层（例如，约3cm或更小）处; 并且在退火表面靠近透明导电氧化物层（例如，在约500℃至约700℃的退火温度）下退火透明导电氧化物层，以在透明导电氧化物层之间产生局部镉蒸汽 和退火表面。 退火表面可以包括在退火温度下与氧反应的材料。 还提供了用于对衬底上的薄膜层进行退火的设备。

公开(公告)号：WO2012074891A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/US2011/062176

申请日：2011-11-28

Applicant: TP SOLAR, INC. ,  GARCIA, Luis, Alejandro, Rey ,  PARKS, Richard, W. ,  RAGAY, Peter, G.

Inventor： GARCIA, Luis, Alejandro, Rey ,  PARKS, Richard, W. ,  RAGAY, Peter, G.

IPC: B65G19/00

CPC classification number: B65G17/12 ,  B65G17/26 ,  B65G17/32 ,  F27B17/0025 ,  F27D3/0084 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/67742

Abstract: A new class of work-piece conveyors, comprising zero-mass, shadow-less transport systems, with a drive having a pair of parallel, laterally spaced, movable chains defining a processing path, with fingers projecting transversely toward the process path centerline. The gap between fingers eliminates conveyor tube/rod supports, improving wafer quality and conserving energy. Implementations include wire chain, band and roller chain transports to which fingers are secured. Fingers are angled down so that the intersection of the bottom and side edges of the work-piece make only point contacts with each finger. A pair of finger chains implement a single lane drive; adding center bilateral finger drive chains with oppositely pointing fingers implement a multi-lane system. The inventive method includes individually configurable processing temperature profiles in side-by-side lanes, on a zone-by-zone, upper and lower half basis for broad processing flexibility. A novel transducer-based lamp-voltage control system provides stable lamp power for precise temperature control.

Abstract translation: 一种新型的工件输送机，包括零质量，无阴影传输系统，驱动器具有一对平行的，横向间隔的可移动的链，其限定了处理路径，手指横向于过程路径中心线突出。 手指之间的间隙消除输送管/杆支撑，提高晶圆质量并节约能源。 实施包括固定手指的线链，带和滚链链条输送。 手指向下倾斜，使得工件的底部和侧边的交点仅与每个手指进行点接触。 一对手指链实现单车道驱动; 用指向手指的中心双手指驱动链加上多通道系统。 本发明的方法包括在逐行通道中的单独配置的处理温度曲线，逐区，上下半部分，用于广泛的处理灵活性。 一种新型的基于传感器的灯电压控制系统提供稳定的灯功率，用于精确的温度控制。

公开(公告)号：WO2011010074A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：PCT/FR2010/051559

申请日：2010-07-22

Applicant: S'TILE ,  STRABONI, Alain

Inventor： STRABONI, Alain

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C30B1/02 ,  C30B1/12 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  C30B35/002 ,  F27D3/0084 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6776

Abstract: L'invention concerne un dispositif et un procédé pour recristalliser une plaquette de silicium ou une plaquette comportant au moins une couche de silicium. La plaquette de silicium ou la au moins une couche de silicium de la plaquette est totalement fondue.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于使包含至少一个硅层的硅晶片或晶片再结晶的装置和方法。 硅晶片或晶片的至少一个硅层完全熔化。

公开(公告)号：WO2018036487A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：PCT/CN2017/098525

申请日：2017-08-22

Applicant: 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司

Inventor： 肖岳南 ,  张勇

IPC: H01L21/677 ,  F27D5/00 ,  H01L31/18 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67309 ,  B65G47/901 ,  F27D3/0084 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L31/18

Abstract: 一种用于扩散炉内的石英舟传送机构，包括固定于扩散炉（9）内一侧的竖直向上的立柱（1），固定于扩散炉内另一侧的推舟机构（2）以及固定于扩散炉底部的侧向出舟机构（6），所述立柱上由上至下固定有多个间隔开的暂存区（3），所述推舟机构上水平伸出一SIC桨（4），所述SIC桨与所述暂存区之间设有升降通道区（5），所述立柱上还设有一沿该立柱上下运动的机械手（7），所述侧向出舟机构（6）固定于扩散炉（9）底部的位置位于所述暂存区（3）的正下方。该扩散炉内的石英舟传送机构，在SIC桨（4）的取放舟位置较低时，机械手（7）在抓取SIC桨（4）上的石英舟（8）后传输到升降通道区（5）时不会与侧向出舟机构（6）上传输的石英舟（8）发生碰撞。

公开(公告)号：WO2015057023A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：PCT/KR2014/009807

申请日：2014-10-17

Applicant: 주식회사 유진테크

Inventor： 현준진 ,  송병규 ,  김경훈 ,  김용기 ,  신양식 ,  김창돌

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  F27B1/02 ,  F27B1/10 ,  F27B1/20 ,  F27B1/21 ,  F27B3/02 ,  F27B5/04 ,  F27B5/06 ,  F27B5/14 ,  F27B5/16 ,  F27B5/18 ,  F27D3/0084 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67757

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리장치는, 일측에 형성된 통로를 통해 기판이 이송되며, 상부 및 하부가 개방된 챔버본체; 상기 챔버본체의 상부에 설치되어 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정공간을 제공하며, 하부가 개방된 형상을 가지는 내부반응튜브; 상기 챔버의 개방된 하부에 배치되어 상기 통로를 통해 이송된 상기 기판을 상하방향을 따라 적재하는 적재위치 및 상기 공정공간을 향해 상승하여 적재된 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정위치로 전환가능한 기판홀더; 상기 기판홀더의 하부에 연결되어 상기 기판홀더와 함께 승강하며, 상기 공정위치에서 상기 내부반응튜브의 개방된 하부를 폐쇄하는 차단플레이트; 상기 차단플레이트의 하부에 기립설치되어 상기 차단플레이트와 함께 승강하는 연결실린더; 상기 챔버본체의 개방된 하부면과 상기 연결실린더 사이에 연결되며, 개방된 상기 챔버본체의 하부를 외부로부터 격리하는 차단부재를 포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的一个实施例，一种基板处理装置包括：主室主体，其中基板通过一侧形成的通道传送，主室主体的上部和下部打开; 提供处理空间的内部反应管，其中执行基板的处理并且具有开放的下部; 衬底保持器，其布置在腔室的敞开的下部中，并且当衬底通过通道传送到衬底沿垂直方向堆叠的堆叠位置时，可以将衬底运送到处理位置， 执行向处理位置提升的堆叠的基板; 屏蔽板，其连接到所述衬底保持器的下部并与所述衬底保持器一起提升，并且将所述内部反应管的所述开放的下部屏蔽在所述处理位置; 连接圆筒，其竖立地安装在屏蔽板的下部并与屏蔽板一起提升; 连接在主室主体的敞开的下部与连接筒之间并将主室主体的开口下部与外部隔开的遮蔽部件。

公开(公告)号：WO2014074982A2

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/US2013/069423

申请日：2013-11-11

Applicant: FIRST SOLAR MALAYSIA SDN. BHD. ,  GOSSMAN, Robert Dwayne ,  OSBORN, Kali Nicole ,  PENG, Hongying

Inventor： GOSSMAN, Robert Dwayne ,  OSBORN, Kali Nicole ,  PENG, Hongying

IPC: F27D3/00 ,  H01L21/44

CPC classification number: F27D3/0084 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543

Abstract: Methods are generally provided for forming a conductive oxide layer on a substrate by sputtering a target to deposit a transparent conductive oxide layer (e.g., comprising comprises cadmium, tin, and oxygen) on the substrate; positioning an anneal surface in close proximity to the transparent conductive oxide layer (e.g., about 3 cm or less); and, annealing the transparent conductive oxide layer while the anneal surface is in close proximity to the transparent conductive oxide layer (e.g., at an anneal temperature of about 500 C to about 700 C) to create a localized cadmium vapor between the transparent conductive oxide layer and the anneal surface. The anneal surface can include a material reactive with oxygen at the anneal temperature. Apparatus is also provided for annealing a thin film layer on a substrate.

Abstract translation: 通常提供了通过溅射靶以在衬底上沉积透明导电氧化物层（例如包括镉，锡和氧）来在衬底上形成导电氧化物层的方法; 将退火表面定位在靠近透明导电氧化物层（例如，约3cm或更小）处; 并且在退火表面靠近透明导电氧化物层（例如，在约500℃至约700℃的退火温度）下退火透明导电氧化物层，以在透明导电氧化物层之间产生局部镉蒸汽 和退火表面。 退火表面可以包括在退火温度下与氧反应的材料。 还提供了用于对衬底上的薄膜层进行退火的设备。

公开(公告)号：WO2010054130A1

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：PCT/US2009/063460

申请日：2009-11-05

Applicant: TOSOH QUARTZ, INC. ,  SANDIFER, Mark ,  WEISS, Carl, H. ,  PAGE, Daniel

Inventor： SANDIFER, Mark ,  WEISS, Carl, H. ,  PAGE, Daniel

IPC: F27D5/00

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  F27D3/0084 ,  F27D5/0006

Abstract: A structural member for use in extremely high temperature environments that has substantially flat exterior for resting on a flat surface. The substantially flat exterior of the structural member has a low angle chamfer that is preferably less than 45 degrees and that rises far enough above the flat surface so that when the edge is rolled using conventional processing methods, the resulting high point does not extend a distance far enough to contact with the surface.

Abstract translation: 用于极高温度环境的结构件，其具有基本平坦的外部，用于搁置在平坦表面上。 结构构件的基本平坦的外部具有优选小于45度的低角度倒角，并且在平坦表面上方足够上升，使得当使用常规处理方法滚动边缘时，所得到的高点不会延伸一段距离 足够与表面接触。