Abstract:
Beschichtung (104) für ein Trägermaterial aus einem Stahlwerkstoff zur Verbindung mit einem Aluminiumwerkstoff, die Beschichtung (104) aufweisend eine erste kernteilseitige Subschicht (106) und eine zweite außenseitige Subschicht (108), wobei die Beschichtung (104) durchschnittlich ca. 1 bis ca. 10Gew.-% Silizium (Si), Eisen (Fe) und Rest Aluminium (Al), die erste Subschicht (106) wenigstens ca. 42Gew.-% Eisen (Fe), wenigstens ca. 11Gew.-% Silizium (Si) und höchstens ca. 45Gew.-% Rest Aluminium (Al), die erste Subschicht (106) eine Dicke von höchstens ca. 3,5µm, insbesondere von höchstens ca. 3µm, die zweite Subschicht (108) ca. 1 bis ca. 10Gew.-% Silizium (Si), insbesondere ca. 7 bis ca. 10Gew.-% Silizium (Si), und Rest Aluminium (Al) und die zweite Subschicht (108) eine Dicke von ca. 5 bis ca. 95mm aufweist, Kernteil (100) zum Herstellen eines Verbundteils, das Kernteil (100) aufweisend ein Trägermaterial (102) aus einem Stahlwerkstoff und eine derartige Beschichtung (104), Verbundteil, wobei das Verbundteil ein derartiges Kernteil (100) und ein mit dem Kernteil (100) verbundenes Außenteil aus einem Aluminiumwerkstoff aufweist, und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Verbundteils.
Abstract:
Werkstoff probe (100) zum Ermitteln eines Werkstoffverhaltens und/oder von Werkstoffkennwerten in einem Belastungsversuch, dadurch gekennzeichnet, dass die Werkstoffprobe (100) einen plastisch deformierbaren Hauptdeformationsabschnitt (108), einen elastisch deformierbaren Deformationsabschnitt (112) und einen plastisch deformierbaren Nebendeformationsabschnitt (114) aufweist, wobei der Hauptdeformationsabschnitt (108), der elastisch deformierbare Deformationsabschnitt (112) und der Nebendeformationsabschnitt (114) unter Berücksichtigung eines Probenmaterials, einer Materialdimension, eines Messverfahrens und/oder einer Belastungsgeschwindigkeit aufeinander abgestimmt sind, um auch bei hohen Dehnraten eine schwingungsreduzierte Ermittlung von Verformungskräften zu ermöglichen, Verfahren zum Festlegen einer Probengeometrie einer derartigen Werkstoffprobe (100), Verfahren zum Ermitteln eines Werkstoffverhaltens und/oder von Werkstoffkennwerten in einem Belastungsversuch mithilfe einer derartigen Werkstoff probe (100), Spannungs-Dehnungs-Kurve eines Werkstoffs, wobei die Spannungs-Dehnungs-Kurve mithilfe einer derartigen Werkstoffprobe ermittelt ist, und Produkt, wobei das Produkt unter Verwendung von Werkstoffkennwerten ausgelegt ist, die mithilfe einer derartigen Werkstoff probe ermittelt wurden.
Abstract:
Der Matrixumrichter zum Umwandeln einer ein- oder mehrphasigen Eingangsspannung mit einer variablen oder festen Frequenz und einer variablen oder festen Amplitude in eine ein- oder mehrphasige Ausgangsspannung mit variabler Frequenz und/oder Amplitude ist versehen mit mindestens zwei Eingangsanschlüssen, mindestens zwei Ausgangsanschlüssen, einer Vielzahl von steuerbaren, elektronischen Umrichterschaltern, die jeweils zwischen den Eingangsanschfüssen und den Ausganganschlüssen angeordnet sind, einem steuerbaren Freilaufkreis, der zwischen den Eingangsanschlüssen und den Ausgangsanschlüssen angeordnet ist und pro Eingangsanschluss einen ersten und einen zweiten steuerbaren, elektronischen Freilaufkreisschalter und pro Ausgangsanschluss eine erste und eine zweite Freilaufdiode aufweist. Die ersten Freilaufkreisschalter sind zwischen einem gemeinsamen ersten Knoten und den jeweiligen Eingangsanschlüssen und die zweiten Freilaufkreisschalter zwischen einem gemeinsamen zweiten Knoten und den jeweiligen Eingangsanschlussen angeordnet. Die ersten Freilaufdioden sind zwischen dem ersten Knoten und den jeweiligen Ausgangsanschlüssen und die zweiten Freilaufdioden zwischen dem zweiten Knoten und den jeweiligen Ausgangsanschlüssen angeordnet sowie jeweils vom Speisenetz aus gesehen in Sperrrichtung vom Verbraucher aus gesehen in Durchlassrichtung geschaltet. Der Matrixumrichter ist ferner versehen mit einer Umrichteransteuereinheit zur Ansteuerung der Umrichterschalter dergestalt, dass an den Ausgangsanschlüssen die mehrphasige Ausgangsspannung mit gewünschter Frequenz und/oder Amplitude erzeugbar ist, und einer Freilaufkreis-Ansteuereinheit zur Ansteuerung der Freilaufkreisschalter. Die Freilaufkreis-Ansteuereinheit steuert die Freilaufkreisschalter in Abhängigkeit von der Größe der Eingangsspannungen der einzelnen Phasen derart an, dass jeweils nur diejenigen der ersten und zweiten Freilaufkreisschalter eingeschaltet sind, die einerseits mit dem Eingangsanschluss mit der größten positiven und der größten negativen Eingangsspannung und andererseits mit einer aufgrund der Vorzeichen der größten positiven und der größten negativen Eingangsspannungen in Sperrrichtung liegenden ersten bzw. zweiten Freilaufdiode verbunden sind.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Mahlvorrichtijng umfassend einen Mahlbehälter, welcher wenigstens ein Mahlwerk aufweist mit wenigstens einem auf einer mittels eines Motors antreibbaren Welle befestigten Rotor zur Beschleunigung einer Vielzahl von in dem Mahlbehälter vorgesehenen Mahlkörpern, wobei der Mahlbehälter (B) wenigstens in einem Teilbereich senkrecht zur, insbesondere parallel zu einer Welle (5) verlaufenden Mahlbehälterlängsachse (4) einen von der Kreisform abweichenden Querschnitt aufweist. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Mahlbehälter, insbesondere zur Verwendung in einer solchen Mahlvorrichtung.
Abstract:
Fahrzeugtür (100), wobei die Fahrzeugtür (100) in Hybridbauweise unter Verwendung eines metallischen Werkstoffs, eines ersten Faserverbundwerkstoffsmit einem hohen Elastizitätsmodul und einer hohen Zugfestigkeit und eines zweiten Faserverbundwerkstoffs mit einem geringen Elastizitätsmodul und einer geringen Zugfestigkeit hergestellt ist, wobei die Fahrzeugtür (100) einen oberen ersten Rand (102), einen scharnierseitigen zweiten Rand (104), einen schlossseitigen dritten Rand (106) und einen unteren vierten Rand (108) aufweist, wobei die Ränder (102, 104, 106, 108) der Fahrzeugtür einen Randabschnitt (110) bilden und einen Innenabschnitt (112) begrenzen, wobei die Fahrzeugtür (100) ein hauptlasttragendes Modul mit einer ersten Ringstruktur (120) und ein leichtlasttragendes Modul aufweist, wobei die erste Ringstruktur (120) zumindest abschnittsweise in dem Innenabschnitt (112) verläuft.
Abstract:
The invention concerns a device for beaming and/or collecting of light emitted by a light source, the device comprising a reflector layer (3) and a director layer (4), wherein a dipole emitter (5) or an absorber is positioned at a distance d away from the reflector layer (3), wherein the director layer (4) is positioned in the radiation direction of the dipole emitter (5) or in the absorption direction of the absorber, respectively, wherein the director layer (4) is positioned at a distance d away from the dipole emitter (5) or the absorber, respectively, be- tween a host medium (2) hosting the dipole emitter (5) or the absorber, respectively, together with a collection medium, characterized in that between the reflector layer (3) and the host medium (2) a first intermediate layer (8) is provided and between the host medium (2) and the director layer (4) a second intermediate layer (9) is provided. In this way, a device for beam- ing and/or collecting of light emitted by light sources with an enhanced antenna configuration of a planar optical antenna and with an improved outcoupling efficiency and directionality is provided.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Kommunikationssystem zur Übertragung von Informationen über Bohrgestänge eines Bohrstrangs für Erdbohrungen. Das System umfasst mehrere miteinander verbindbare Bohrgestänge (3, 4, 5, 6, 8, 9, 10, 80), einen Bohrantrieb (7) und einen Oberflächenrechner (100, 101), wobei zumindest Bohrgestänge (8, 80) eine Aufnahme für einen Bohrkopf und eine Sensorik und/ oder Aktorik aufweist, zu oder von der Daten zu oder von dem Oberflächenrechner (100, 101) zu übertragen sind. Dabei wird jedes Bohrgestänge aus einem hohlzylinderförmigen Gestängerohr (11) mit zumindest einer sich in axialer Richtung erstreckenden Leitung (21, 22) und mit einem oberen Ende (13) und einem unteren Ende (14) gebildet. An den Enden (13, 14) sind jeweils Kommunikationseinheiten angeordnet, zwischen denen der Datenaustausch über die zumindest eine elektrische Leitung (21, 22) erfolgt, wobei die Kommunikationseinheiten (17, 19) per Funk Daten an die jeweils benachbarte Kommunikationseinheit (17, 19) des angeschlossenen Bohrgestänges übertragen.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erfassung von Millimeterwellen mit mindestens einem Feldeffekttransistor, der eine Source, einen Drain, ein Gate, einen Gate-Source-Kontakt, einen Source-Drain-Kanal und einen Gate-Drain-Kontakt aufweist. Gegenüber einer solchen Vorrichtung liegt der vorliegenden Erfindung unter anderem die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung bereitzustellen, welche es ermöglicht, einen Feldeffekttransistor zur Erfassung der Leistung und/oder der Phase elektromagnetischer Strahlung im THz-Frequenzbereich bereitzustellen. Um eine solche Vorrichtung zu schaffen, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, eine Vorrichtung bereitzustellen, die eine Antennenstruktur aufweist, wobei der Feldeffekttransistor so mit der Antennenstruktur verbunden ist, daß ein von der Antennenstruktur empfangenes elektromagnetisches Signal im THz-Frequenzbereich über den Gate-Source-Kontakt in den Feldeffekttransistors eingespeist wird und wobei der Feldeffekttransistor und die Antennenstruktur zusammen auf einem einzigen Substrat angeordnet sind.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Darstellung von Acetalen von Poly-, Oligo- oder Disacchariden, indem man diese in mindestens einer ionischen Flüssigkeit löst und mit einem Vinylether umsetzt. So erhaltene acetalisierte Poly- oder Oligosaccharide können durch Behandlung mit Säure vernetzt werden. Gegenstand der vorliegenden erfindung sind auch Acetale von Poly-, Oligo- oder Disacchariden sowie vernetzte Poly- oder Oligosaccharide.
Abstract:
LED (1) umfassend - eine Grundschicht (2) aus dotiertem Diamant oder dotiertem Siliziumkarbid mit darin eingebetteten Farbzentren (3), - einen an die Grundschicht (2) angebundenen Schottky-Kontakt (4), - einen an die Grundschicht (2) angebundenen ohmschen Kontakt (5).