公开(公告)号：WO2010136007A3

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：PCT/DE2010000514

申请日：2010-05-08

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH ,  RWTH AACHEN ,  LINN EIKE ,  KUEGELER CARSTEN ,  ROSEZIN ROLAND DANIEL ,  WASER RAINER

Inventor： LINN EIKE ,  KUEGELER CARSTEN ,  ROSEZIN ROLAND DANIEL ,  WASER RAINER

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/02 ,  H03K19/177

CPC classification number: G11C13/0002 ,  G11C13/00 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/02 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H03K19/177

Abstract: The invention relates to a memory element, to stacking, and to a memory matrix in which said memory element can be used, to a method for operating the memory matrix, and to a method for determining the truth value of a logic operation in an array composed of the memory elements. The memory element has at least one first stable state 0 and a second stable state 1. By applying a first write voltage V0, said memory element can be transferred into the high-impedance state 0 and by applying a second write voltage V1, it can be transferred into the likewise high-impedance state 1. By applying a read voltage VR, the amount of which is smaller than the write voltages V0 and V1, the memory element exhibits different electrical resistance values. In the parasitic current paths occurring in a memory matrix, the memory element acts as a high-impedance resistor, without in principle being limited to unipolar switching. A method has been developed, with which an array composed of the memory elements according to the invention can be turned into a gate for arbitrary logic operations.

Abstract translation: 本发明涉及一种存储元件，堆叠和存储器阵列，其中使用这种存储元件，用于操作所述存储器阵列和确定在所述存储器元件的阵列的逻辑运算的真值的方法的方法。 该存储元件具有至少一个第一稳定状态0和第二稳定1个状态。 通过在该存储元件施加第一写入电压V0可以在高阻抗状态0和通过将第二写入电压被转换成高阻抗状态也1 V1。 当一个读出电压VR，其在量值小于写入电压V0和V1的应用，所述存储器元件具有不同的电阻值。 存储元件作用于在存储器阵列中存在的寄生电流路径为高值电阻器而不限于单极切换原理之中。 我们已经开发出由根据本发明的存储元件的配置可以用于随机逻辑的操作的栅极进行的方法。

公开(公告)号：WO2010136007A2

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/DE2010/000514

申请日：2010-05-08

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH ,  RHEINISCH-WESTFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE AACHEN (RWTH) ,  LINN, Eike ,  KÜGELER, Carsten ,  ROSEZIN, Roland Daniel ,  WASER, Rainer

Inventor： LINN, Eike ,  KÜGELER, Carsten ,  ROSEZIN, Roland Daniel ,  WASER, Rainer

IPC: G11C13/02

CPC classification number: G11C13/0002 ,  G11C13/00 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/02 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H03K19/177

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Speicherelement, eine Stapelung und eine Speichermatrix, in denen dieses Speicherelement einsetzbar ist, Verfahren zum Betreiben der Speichermatrix sowie Verfahren zur Bestimmung des Wahrheitswerts einer logischen Verknüpfung in einer Anordnung aus den Speicherelementen. Das Speicherelement weist mindestens einen ersten stabilen Zustand 0 und einen zweiten stabilen Zustand 1 auf. Durch Anlegen einer ersten Schreibspannung V 0 lässt sich dieses Speicherelement in den hochohmigen Zustand 0 und durch Anlegen einer zweiten Schreibspannung V 1 in den ebenfalls hochohmigen Zustand 1 überführen. Bei Anlegen einer Auslesespannung V R , welche betragsmäßig kleiner ist als die Schreibspannungen V 0 und V 1 , zeigt das Speicherelement unterschiedliche elektrische Widerstandswerte. Das Speicherelement fungiert in den in einer Speichermatrix auftretenden parasitären Strompfaden als hochohmiger Widerstand, ohne dabei prinzipiell auf unipolares Schalten eingeschränkt zu sein. Es wurde ein Verfahren entwickelt, mit dem eine Anordnung aus den erfindungsgemäßen Speicherelementen zu einem Gatter für beliebige logische Verknüpfungen gemacht werden kann.

Abstract translation: 本发明涉及一种存储元件，堆叠和存储器阵列，其中使用这种存储元件，用于操作所述存储器阵列和确定在所述存储器元件的阵列的逻辑运算的真值的方法的方法。 该存储元件具有至少一个第一稳定状态0和第二稳定1个状态。 通过在该存储元件施加第一写入电压V0可以在高阻抗状态0和通过将第二写入电压被转换成高阻抗状态也1 V1。 当一个读出电压VR，其在量值小于写入电压V0和V1的应用，所述存储器元件具有不同的电阻值。 存储元件作用于在存储器阵列中存在的寄生电流路径为高值电阻器而不限于单极切换原理之中。 我们已经开发出由根据本发明的存储元件的配置可以用于随机逻辑的操作的栅极进行的方法。

公开(公告)号：WO2012113365A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：PCT/DE2012/000096

申请日：2012-02-03

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH ,  RHEINISCH-WESTFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE AACHEN (RWTH) ,  ROSEZIN, Roland, Daniel ,  LENTZ, Florian ,  BRUCHHAUS, Rainer ,  LINN, Eike ,  VALOV, Ilia ,  WASER, Rainer ,  TAPPERTZHOFEN, Stefan ,  NIELEN, Lutz

Inventor： ROSEZIN, Roland, Daniel ,  LENTZ, Florian ,  BRUCHHAUS, Rainer ,  LINN, Eike ,  VALOV, Ilia ,  WASER, Rainer ,  TAPPERTZHOFEN, Stefan ,  NIELEN, Lutz

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0061 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/76

Abstract: Im Rahmen der Erfindung wurde ein Verfahren zum Auslesen eines Speicherelements, welches eine Serienschaltung von mindestens zwei Speicherzellen A und B aufweist, entwickelt. Dabei haben die Speicherzellen A und B jeweils einen stabilen Zustand A0 bzw. B0 mit höherem Widerstand und einen stabilen Zustand A1 bzw. B1 mit geringerem elektrischem Widerstand. Bei dem Verfahren wird eine elektrische Größe der Reihenschaltung gemessen. Erfindungsgemäß wird für diese Messung eine elektrische Größe gewählt, zu der die Speicherzelle A im Zustand A0 einen anderen Beitrag leistet als die Speicherzelle B im Zustand B0 und/oder zu der die Speicherzelle A im Zustand A1 einen anderen Beitrag leistet als die Speicherzelle B im Zustand B1. Es wurde erkannt, dass die beiden Zustandskombinationen A1 und B0 bzw. A0 und B1 dann zu unterschiedlichen Werten für die über die Reihenschaltung gemessene elektrische Größe führen. Somit können diese Zustandskombinationen voneinander unterschieden werden, ohne dass der logische Zustand des Speicherelementes beim Lesen verändert werden muss.

Abstract translation: 在本发明的读取存储元件，其包括至少两个存储单元A和B的串联电路的方法已被开发出来。 的存储单元A和B各自有一个稳定状态A0和B0具有较高电阻并以稳定的状态A1或者具有较低电阻B1。 在该方法中，所述串联电路的电量被测量。 根据本发明，被选择用于该测量到的电尺寸存储单元中的状态A0确实另一篇文章时的状态B0的存储单元B和/或该存储器单元A使在状态到状态A1的另一个贡献和存储单元乙 B1。 它已认识到状态A1和B0和A0和B1的两个组合然后导致对经由串联电路的电学量所测量的不同的值。 需要读取时将被改变。因此，这些状态组合可以彼此区分开，而不存储元件的逻辑状态。

公开(公告)号：WO2005096348A3

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：PCT/DE2005000559

申请日：2005-03-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KLAUK HAGEN ,  HALIK MARCUS ,  ZSCHIESCHANG UTE ,  SCHMID GUENTER ,  DARLINSKI GRZEGORZ ,  WASER RAINER ,  BREDERLOW RALF

Inventor： KLAUK HAGEN ,  HALIK MARCUS ,  ZSCHIESCHANG UTE ,  SCHMID GUENTER ,  DARLINSKI GRZEGORZ ,  WASER RAINER ,  BREDERLOW RALF

IPC: G01L9/00 ,  G06F3/033 ,  G06K9/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/20

CPC classification number: G06K9/00053

Abstract: The invention relates to a force sensor based on an organic field effect transistor (10) that is applied to a substrate (1; 11). According to the invention, a mechanical force that acts on the transistor causes a corresponding modification of the source-drain voltage or the source-drain current (ID), whereby said modification can be respectively detected as a measured variable (Vmess, Imess) for the exerted force. The invention also relates to a membrane-based pressure sensor that uses a force sensor of this type, to a one- or two-dimensional position sensor that uses a plurality of force sensors of this type and to a fingerprint sensor that uses a plurality of force sensors of this type.

Abstract translation: 本发明涉及一种基于一个力传感器的基板上（1; 11）施加的有机场效应晶体管（10），其特征在于，作用在所述晶体管的机械力相应改变其源 - 漏电压或它的源极 - 漏极这些力中的一个的力 电流（ID）给出，其中各测量变量（VMEAS，Imess）是可检测的对所施加的力，一个这样的力传感器中使用基于膜的压力传感器，多个这样的力传感器的使用的一个或二维位置传感器和多个使用指纹传感器这样的力传感器。

公开(公告)号：WO2005096348A2

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：PCT/DE2005/000559

申请日：2005-03-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KLAUK, Hagen ,  HALIK, Marcus ,  ZSCHIESCHANG, Ute ,  SCHMID, Günter ,  DARLINSKI, Grzegorz ,  WASER, Rainer ,  BREDERLOW, Ralf

Inventor： KLAUK, Hagen ,  HALIK, Marcus ,  ZSCHIESCHANG, Ute ,  SCHMID, Günter ,  DARLINSKI, Grzegorz ,  WASER, Rainer ,  BREDERLOW, Ralf

IPC: H01L21/00

CPC classification number: G06K9/00053

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Kraftsensor auf der Basis eines auf einem Substrat (1; 11) aufgebrachten organischen Feldeffekttransistors (10), bei dem eine auf den Transistor einwirkende mechanische Kraft eine dieser Kraft entsprechende Änderung seiner Source-Drain-Spannung oder seines Source-Drain-Stroms (I D ) verursacht, die jeweils als Messgröße (V mess , I mess ) für die einwirkende Kraft erfassbar sind, einen einen derartigen Kraftsensor verwendenden membranbasierten Drucksensor, einen eine Vielzahl derartiger Kraftsensoren verwendenden ein- oder zweidimensionalen Positionssensor und einen eine Vielzahl solcher Kraftsensoren verwendenden Fingerabdrucksensor.

Abstract translation: 本发明涉及一种基于一个力传感器的基板上（1; 11）施加的有机场效应晶体管（10），其特征在于，作用在所述晶体管的机械力相应改变其源 - 漏电压或它的源极 - 漏极这些力中的一个的力 电流（ID）给出，其中各测量变量（VMEAS，Imess）是可检测的对所施加的力，一个这样的力传感器中使用基于膜的压力传感器，多个这样的力传感器的使用的一个或二维位置传感器和多个使用指纹传感器这样的力传感器。

公开(公告)号：WO0143179A3

公开(公告)日：2002-05-10

申请号：PCT/DE0004313

申请日：2000-12-04

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH ,  WASER RAINER ,  BALDUS OLIVER ,  KRASSER WOLFGANG

Inventor： WASER RAINER ,  BALDUS OLIVER ,  KRASSER WOLFGANG

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31691

Abstract: The invention relates to a method for producing a crystallized ceramic layer by means of laser annealing, whereby: a generating device (10), which has at least one pulse laser (22), generates a first laser beam (16) and a second laser beam (18) that is spatially separate therefrom; a shifting device (12) temporally shifts the second laser beam (18) with regard to the first laser beam (16); a combining device (14) combines both spatially separate laser beams (16, 18) to form an output beam (20), whereby the pulse duration of the output beam (20) is controlled by controlling the temporal shifting of the second laser beam (18) with regard to the first laser beam (16), and; the temperature profile in the ceramic layer is adjusted by controlling the pulse duration of the output beam (20). The invention also relates to a laser system which is especially developed for carrying out said method and which comprises: a generating device (10), which has at least one pulse laser (22) and which is provided for generating a first laser beam (16) and a second laser beam (18) that is spatially separate therefrom; a shifting device (12) which is provided for temporally shifting the second laser beam (18) with regard to the first laser beam (16), and comprises; a combining device (14) which is provided for combining both spatially separate laser beams (16, 18) to form an output beam (20).

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造通过激光退火结晶陶瓷层，其特征在于，发生装置（10），（22），其生成第一激光束（16），并且该空间上分离的第二激光束（18），至少一个脉冲激光器的一个 ; 一个位移装置（12）移动，相对于第一激光束（16）时所述第二激光束（18）; 一个合并装置（14），所述两个激光束在空间上分离（16，18）成一输出光束（20）引出，其特征在于，通过控制第一激光束相对的第二激光束（18）的时间偏移的输出光束（20）的脉冲持续时间（16）控制的 会; 并且通过控制输出光束（20）的脉冲持续时间在陶瓷层的温度分布进行调整。 本发明还涉及一种激光系统，特别是用于进行该方法，包括产生装置（10），其设计，其包括至少一个脉冲激光器（22），并且被设计成使得其包括第一激光束（16），并且该空间上分离的激光束的第二 生成（18）; 一个位移装置（12），其从所述第一激光束形成为使得它在时间（16）移动所述第二激光束（18）; 和合并装置，该装置形成为使得它结合了两束激光束在空间上分离（16，18）成一输出光束（20）（14）。

公开(公告)号：WO2012155900A2

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/DE2012/100143

申请日：2012-05-16

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH ,  CHEMICAL CONSULTING DORNSEIFFER CCD GBR ,  PITHAN, Christian ,  KATSU, Hayoto ,  WASER, Rainer ,  DORNSEIFFER, Jürgen

Inventor： PITHAN, Christian ,  KATSU, Hayoto ,  WASER, Rainer ,  DORNSEIFFER, Jürgen

IPC: H01C7/02

CPC classification number: H01C7/025 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/54 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/465 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/62222 ,  C04B35/624 ,  C04B35/62615 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/785

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkeramikmaterials mit einem nichtlinearen elektrischen Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizienten vorgestellt, bei dem eine ein donatordotiertes ferroelektrisches Material mit Perowskit-Struktur und der allgemeinen Formel A x B y O 3 aufweisende Vorläufermasse in reduzierender Atmosphäre bei Temperaturen von höchstens 1200 °C gesintert wird, wobei das gesinterte Material eine mittlere Körnergröße im Submikrometerbereich aufweist. Das gesinterte Material wird anschließend an seinen Korngrenzen bei Temperaturen von höchstens 600 °C reoxidiert. Die Körnung der Vorläufermasse weist eine mittlere Primärkörnergröße im Submikrometerbereich, bevorzugt eine mittlere Primärkörnergröße von höchstens 50 nm, weiter bevorzugt von höchstens 20 nm und weiter bevorzugt von höchstens 10 nm auf. Das mit dem Verfahren hergestellte Halbleiterkeramikmaterial weist ebenfalls eine mittlere Körnergröße im Submikrometerbereich auf, bevorzugt derart, dass 80 % der Körner kleiner als 800 nm, weiter bevorzugt kleiner als 300 nm, weiter bevorzugt kleiner als 200 nm ist.

Abstract translation: 公开了一种用于与具有正温度系数，其中一个donatordotiertes具有钙钛矿结构并在还原气氛中的含通式AxByO3前体材料的铁电材料在至多1200℃的温度下进行烧结，其特征在于，非线性电阻的制造半导体陶瓷材料的方法 烧结材料具有在亚微米范围内的平均晶粒尺寸。 的烧结材料，然后在其晶界再氧化在至多600℃的温度下 所述前体材料的颗粒尺寸在亚微米范围内的平均一次粒径，为50nm以下的优选平均一次粒径，更优选为20nm以下，更优选至多为10nm。 由该方法制得的半导体陶瓷材料还具有在亚微米范围内的平均晶粒尺寸，晶粒小于800纳米，更优选小于300nm，更优选小于200纳米的优选使得80％。

公开(公告)号：WO2010136056A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/EP2009/006015

申请日：2009-08-19

Applicant: RHEINISCH-WETFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE AACHEN ,  FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH ,  LINN, Eike ,  WASER, Rainer ,  ROSEZIN, Roland ,  KÜGELER, Carsten

Inventor： LINN, Eike ,  WASER, Rainer ,  ROSEZIN, Roland ,  KÜGELER, Carsten

IPC: G11C13/00 ,  G11C13/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2013/0047 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77

Abstract: The invention relates to a resistive storage cell. According to the invention said resistive storage cell is a passive resistive storage cell (22) comprising a pair of two at least functionally identical resistive switching storage members (34, 36), said two resistive switching storage members (34, 36) are connected in series in a serial connection path (32) and are electrically anti-parallel orientated within the serial connection path (32). The invention further relates to a corresponding crossbar array circuit (12) comprising a plurality of said resistive storage cells (22), a corresponding resistive random access memory device (10) and a method for reading out information from a bipolar resistive storage cell.

Abstract translation: 本发明涉及电阻式存储单元。 根据本发明，所述电阻存储单元是包括一对至少两个至少功能相同的电阻式开关存储构件（34,36）的无源电阻存储单元（22），所述两个电阻式开关存储构件（34,36）连接在 串联连接路径（32）并且在串联连接路径（32）内电反平行取向。 本发明还涉及包括多个所述电阻存储单元（22），相应的电阻随机存取存储器件（10）和从双极性电阻存储单元读出信息的方法的相应交叉开关阵列电路（12）。

公开(公告)号：WO2012155900A3

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：PCT/DE2012100143

申请日：2012-05-16

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH ,  CHEMICAL CONSULTING DORNSEIFFER CCD GBR ,  PITHAN CHRISTIAN ,  KATSU HAYOTO ,  WASER RAINER ,  DORNSEIFFER JUERGEN

Inventor： PITHAN CHRISTIAN ,  KATSU HAYOTO ,  WASER RAINER ,  DORNSEIFFER JUERGEN

IPC: H01C7/02 ,  C04B35/46

CPC classification number: H01C7/025 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/54 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/465 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/62222 ,  C04B35/624 ,  C04B35/62615 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/785

Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor ceramic material having a non-linear electrical resistance with a positive temperature coefficient, in which a precursor mass that comprises a donor-doped, ferroelectric material having a Perovskite structure and the general formula AxByO3 is sintered in a reduced atmosphere at temperatures of not more than 1200 °C. According to the invention, the sintered material has an average grain size in the sub-micrometer range. The sintered material is then reoxidized at its grain boundaries at temperatures of not more than 600 °C. The grain size of the precursor mass has an average primary grain size in the sub-micrometer range, preferably an average primary grain size of not more than 50 nm, more preferably of not more than 20 nm and even more preferably of not more than 10 nm. The semiconductor ceramic material produced by said method has also an average grain size in the sub-micrometer range, preferably in such a way that 80% of the grains are smaller than 800 nm, more preferably smaller than 300 nm and even more preferably smaller than 200 nm.

Abstract translation: 公开了一种用于与具有正温度系数，其中一个donatordotiertes具有钙钛矿结构并在还原气氛中的含通式AxByO3前体材料的铁电材料在至多1200℃的温度下进行烧结，其特征在于，非线性电阻的制造半导体陶瓷材料的方法 烧结材料具有在亚微米范围内的平均晶粒尺寸。 的烧结材料，然后在其晶界再氧化在至多600℃的温度下 所述前体材料的颗粒尺寸在亚微米范围内的平均一次粒径，为50nm以下的优选平均一次粒径，更优选为20nm以下，更优选至多为10nm。 由该方法制得的半导体陶瓷材料还具有在亚微米范围内的平均晶粒尺寸，晶粒小于800纳米，更优选小于300nm，更优选小于200纳米的优选使得80％。

公开(公告)号：WO2007138088A3

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/EP2007055277

申请日：2007-05-31

Applicant: RWTH AACHEN ,  PITHAN CHRISTIAN ,  HAEGEL FRANZ-HUBERT ,  DORNSEIFFER JUERGEN ,  SCHNELLER THEODOR ,  WASER RAINER

Inventor： PITHAN CHRISTIAN ,  HAEGEL FRANZ-HUBERT ,  DORNSEIFFER JUERGEN ,  SCHNELLER THEODOR ,  WASER RAINER

IPC: C04B35/468 ,  C01G23/00 ,  C04B35/47 ,  C04B35/486 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/47 ,  C04B35/486 ,  C04B35/49 ,  C04B35/62227 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5454 ,  C09C1/36 ,  C09C1/3669 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1266 ,  C23C18/1275 ,  C23C24/08 ,  C23C26/00 ,  C23C30/00

Abstract: The invention relates to coating solutions for producing tight mesoscopic ceramic layers, consisting of concentrated oxidic nanoparticle dispersions which are produced from humidity-sensitive precursor solutions by a hydrolysis reaction, by means of microemulsions containing cationic surfactants and optionally admixtures of organometallic CSD solutions in a proportion smaller than 50 % in relation to the metal oxide. The CSD solution is added in order to reduce the sintering temperatures required, to produce ceramic composite layers with nanoscale heterogeneity or containing dopings, using other metal combinations, and to increase the density.

Abstract translation: 的比例作为用于生产由通过从潮湿敏感的前体溶液进行水解反应通过微乳液与阳离子表面活性剂的方法制备浓缩的氧化物纳米颗粒分散体的致密介观陶瓷层，并用的金属 - 有机CSD溶液外加剂任选较少的涂布溶液 提供50％，基于所述金属氧化物。 该CSD混合溶液的目的是减少所需的烧结温度，以产生具有纳米级异质或掺杂剂以及通过使用其它金属组合，以及密度的增加陶瓷复合层。