公开(公告)号：WO2014109526A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：PCT/KR2014/000143

申请日：2014-01-07

Applicant: (주)에스티아이

Inventor： 이원구 ,  서현모 ,  안현환 ,  류수렬 ,  최우진

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 연속 처리장치 및 방법에 관한 것으로, 웨이퍼를 복수의 공정에 의해 처리하기 위한 다수의 챔버를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연속 처리장치에 있어서, 상기 다수의 챔버 중 하나 이상의 챔버는, 공정이 진행되는 동안 웨이퍼를 지지하기 위해 고정 설치된 서셉터; 상기 서셉터의 외측에 고정 설치되어, 상기 웨이퍼의 하부에 격리된 공정 공간을 형성하는 하부하우징; 상기 웨이퍼의 상부에 격리된 공정 공간을 형성하기 위해 상하 이동하는 상부하우징; 상기 상부하우징과 하부하우징 사이에 구비되고, 상기 서셉터의 상부를 노출시키는 홀이 형성되고, 상기 다수의 챔버 사이에서 상기 웨이퍼를 이송하기 위해 회전하며, 상기 서셉터 상부에서 상기 웨이퍼를 상하 이동시키는 턴테이블; 상기 홀에 상향으로 이탈이 가능하도록 삽입되어 상기 웨이퍼가 안착되는 안착링을 구비함으로써, 장치의 구성을 보다 단순화하고, 전력의 소비를 줄일 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于连续处理半导体晶片的装置和方法，其中所述装置包括多个腔室以通过多个步骤处理晶片，所述多个腔室中的一个或多个腔室包括：基座固定地 处置以在执行步骤期间支撑水; 固定地设置在所述基座的外侧的下壳体，以便在所述晶片的下部形成分离的处理空间; 上壳体垂直移动，以在晶片的上部形成分离的处理空间; 设置在上壳体和下壳体之间的转台，并且具有用于暴露感受体的上部的孔，并且旋转以在多个室之间输送晶片，并且从基座的上部垂直移动晶片 ; 以及通过插入孔中而将晶片置于其上以便允许其垂直移除的座环，因此本发明简化了装置的结构并且可以降低能量消耗。

公开(公告)号：WO2014109528A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：PCT/KR2014/000156

申请日：2014-01-07

Applicant: (주)에스티아이

Inventor： 이원구 ,  서현모 ,  안현환 ,  류수렬 ,  최우진

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/68764 ,  B23K3/0623 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68771 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 리플로우 방법에 관한 것으로, 다수의 챔버를 구비하고, 상기 챔버의 외부를 둘러싸는 외부몸체가 구비된 장치에서 웨이퍼를 처리하는 반도체 웨이퍼의 연속 처리방법에 있어서, 상기 다수의 챔버는 제1 내지 제5챔버로 이루어지고, 상기 제1챔버에 웨이퍼를 로딩한 후 불활성 가스를 주입하여 퍼지하는 제1단계; 상기 제1단계가 완료된 상기 웨이퍼를 제2챔버에 이송하고, 상기 제2챔버 내부에 공정가스를 주입한 후 웨이퍼를 가열하는 제2단계; 상기 제2단계가 완료된 상기 웨이퍼를 제3챔버로 이송하고, 상기 제3챔버 내부에 공정가스를 주입한 후 웨이퍼를 가열하는 제3단계; 상기 제3단계가 완료된 상기 웨이퍼를 제4챔버에 이송하고, 상기 제4챔버의 내부가 대기압 이하의 압력 상태에서 상기 웨이퍼를 가열하는 제4단계; 상기 제4단계가 완료된 상기 웨이퍼를 제5챔버에 이송하고, 상기 제5챔버의 내부에 공정가스를 주입한 후 웨이퍼를 가열하는 제5단계; 상기 제5단계가 완료된 상기 웨이퍼를 제1챔버에 이송하고 상기 웨이퍼를 냉각시킨 후 외부로 언로딩하고, 다른 웨이퍼를 상기 제1챔버에 로딩시키는 제6단계를 포함한다. 본 발명은 리플로우 장치의 스테이션 수를 줄일 수 있도록 공정단계를 단순화함으로써, 공정시간을 줄여 생산성을 향상시키며, 리플로우 장치의 크기를 줄이고 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于半导体晶片的回流方法，其中设置有多个室的设备和围绕其外部的外部主体处理晶片，所述多个室包括1-5个室，并且该方法 用于连续处理晶片，包括：第一步骤，在将晶片装入其中并将其清除之后，将惰性气体注入第一室; 将已经完成了第一步骤的晶片运送到第二室的第二步骤，然后在将工艺气体注入其内部之后加热晶片; 将已经完成了第二步骤的晶片运送到第三室的第三步骤，以及在将工艺气体注入其内部之后加热晶片; 将完成了第三步骤的晶片运送到第四室的第四步骤，以及在低于大气压的内部压力下加热晶片; 将完成了第四步骤的晶片运送到第五室的第五步骤，并且在其中注入工艺气体之后加热晶片; 以及将完成了第五步骤的晶片运送到第一室并在冷却之后将晶片卸载到外部并在第一室中装载不同的晶片的第六步骤。 本发明简化了处理步骤，以便减少回流装置中的站数，从而通过减少处理时间来提高生产率，从而允许回流装置的尺寸更小并且降低费用。