公开(公告)号：WO2017021309A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：PCT/EP2016/068181

申请日：2016-07-29

Applicant: MANZ AG

Inventor： MERZ, Thomas ,  RACK, Andreas

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/505 ,  C23C16/458 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/505 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6776

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Substratbearbeitungsvorrichtung, mit - einer Eingangsschleuse (110) zur Aufnahme zumindest eines Substrats (40, 41, 42, 43, 44, 46) und zur Weitergabe des Substrats (40, 41, 42, 43, 44, 46) entlang einer vorgegebenen Transportrichtung (T), - einer ersten Prozesskammer (210) mit einer ersten Prozessquelle (220) zur Durchführung zumindest eines ersten Oberflächenbehandlungsprozesses, wobei die erste Prozesskammer (210) in Transportrichtung (T) an die Eingangsschleuse (110) angrenzt und mittels eines Schleusenventils (12) hermetisch von der Eingangsschleuse (110) trennbar ist, - zumindest einer zweiten Prozesskammer (310, 410, 510) mit einer zweiten Prozessquelle (320, 420) zur Durchführung zumindest eines zweiten Oberflächenbehandlungsprozesses, wobei die zweite Prozesskammer (310, 410, 510) in Transportrichtung (T) an die erste Prozesskammer (210) angrenzt und mittels eines Schleusenventils (12) hermetisch von der ersten Prozesskammer (210) trennbar ist, und mit - einer Transportvorrichtung (20) zum diskontinuierlichen, schrittweisen Transportieren des zumindest einen Substrats (40, 41, 42, 43, 44, 46) in Transportrichtung (T) von der ersten Prozesskammer (210) in die zumindest zweite Prozesskammer (310, 410, 510).

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置，包括： - 一入口锁（110），用于接收至少一个基板（40，41，42，43，44，46）和用于使所述基板（40，41，42，43，44，46） 沿着规定的输送方向（T）， - 具有用于执行至少一个第一表面处理过程中，第一处理源（220）的第一处理腔室（210），其特征在于，在输送方向（T）到入口锁（110）相邻并借助于所述第一处理室（210） 闸门阀（12）气密地从入口锁（110）是可分的， - 至少一个第二处理室（310，410，510）具有用于至少执行第二表面处理工艺的第二处理源（320，420），所述第二处理室（310， 410，510）（在传送方向T）到所述第一处理室（210）邻近于并密封（由闸门阀（12单元）的第一处理室210的）TR 是ennbar，并具有 - 与输送装置（20），用于不连续的阶梯状，至少在第二处理室中的输送方向的第一处理室（210）的（T），输送所述至少一个基板（40，41，42，43，44，46） （310，410，510）。

公开(公告)号：WO2016185984A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/JP2016/064066

申请日：2016-05-11

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 谷藤　保 ,  湯浅　珠樹 ,  川上　聡

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67173 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68707

Abstract: 処理システムは、１つ以上の処理ユニット（２０）を備える。それぞれの処理ユニット（２０）は、複数の処理チャンバ（２２）と、ユーティリティモジュール（３０）とを有する。それぞれの処理チャンバ（２２）は、供給された処理ガスを用いて被処理体を処理する。ユーティリティモジュール（３０）は、複数の処理チャンバ（２２）のそれぞれに供給される処理ガスの流量を制御する流量制御部（３１）を含む。複数の処理チャンバ（２２）は、上下方向に重ねて配置される。ユーティリティモジュール（３０）は、複数の処理チャンバ（２２）のうち、上下方向に隣接する２つの処理チャンバ（２２）の間に配置される。

Abstract translation: 该处理系统设置有一个或多个处理单元（20）。 每个处理单元（20）具有多个处理室（22）和实用模块（30）。 每个处理室（22）使用供应的处理气体处理待处理的对象。 实用模块（30）包括流量控制单元（31），其控制要供应到每个处理室（22）的处理气体的流量。 处理室（22）在垂直方向上彼此重叠地设置。 实用模块（30）设置在垂直方向上彼此相邻的两个处理室（22）之间，所述两个处理室位于处理室（22）之间。

公开(公告)号：WO2016141675A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：PCT/CN2015/087022

申请日：2015-08-14

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 薛大鹏

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6776

Abstract: 一种湿法刻蚀设备。该湿法刻蚀设备包括：刻蚀腔（200），其具有位于前端的刻蚀腔入口（203）和位于后端的刻蚀腔出口（204），其中在该刻蚀腔（200）内，基片（400）上的待刻蚀薄膜通过刻蚀液进行刻蚀；以及去结晶装置（500），其利用清洗液清洗在刻蚀腔入口（203）和／或刻蚀腔出口（204）处残留的刻蚀液或由刻蚀液形成的刻蚀液结晶（601）。本发明通过去结晶装置，可有效去除在刻蚀腔入口和刻蚀腔出口处残留的刻蚀液或由刻蚀液形成的刻蚀液结晶，藉此提高设备的稼动率和洁净度以及产品质量。

公开(公告)号：WO2016073330A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/US2015/058556

申请日：2015-11-02

Applicant: BROOKS AUTOMATION, INC.

Inventor： BONORA, Anthony, C. ,  GRACIANO, Justo

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68707 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/681 ,  H01L21/682 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor wafer transport apparatus includes a frame, a transport arm movably mounted to the frame and having at least one end effector movably mounted to the arm so the at least one end effector traverses, with the arm as a unit, in a first direction relative to the frame, and traverses linearly, relative to the transport arm, in a second direction, and an edge detection sensor mounted to the transport arm so the edge detection sensor moves with the transport arm as a unit relative to the frame, the edge detection sensor being a common sensor effecting edge detection of each wafer simultaneously supported by the end effector, wherein the edge detection sensor is configured so the edge detection of each wafer is effected by and coincident with the traverse in the second direction of each end effector on the transport arm.

Abstract translation: 一种半导体晶片传送装置，包括：框架，可运动地安装在框架上的传送臂，并且具有可移动地安装到臂的至少一个端部执行器，使得至少一个端部执行器以臂作为一个单元在第一方向相对于第一方向 并且相对于传送臂在第二方向上线性地穿过，以及安装到传送臂的边缘检测传感器，使得边缘检测传感器以传送臂作为相对于框架的单位移动，边缘检测 传感器是影响由末端执行器同时支撑的每个晶片的边缘检测的公共传感器，其中边缘检测传感器被配置为使得每个晶片的边缘检测由第二方向上的每个末端执行器的第二方向上的横越来实现， 运输臂

公开(公告)号：WO2016047493A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：PCT/JP2015/076101

申请日：2015-09-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 村松　誠 ,  冨田　忠利 ,  源島　久志 ,  楊　元 ,  北野　高広

IPC: H01L21/027 ,  C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67173 ,  C08J7/18 ,  D06M14/18 ,  G03D5/003 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3255 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L29/511 ,  H01L29/66545 ,  H05H1/46

Abstract: 　本発明の基板処理方法は、親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する基板処理方法であって、基板上にレジスト膜により所定のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程（Ｓ３）と、レジストパターンの表面に、当該レジストパターンの変形を抑制するための薄膜を形成する薄膜形成工程（Ｓ４）と、薄膜形成後の基板に対してブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程（Ｓ５）と、ブロック共重合体を親水性ポリマーと疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離工程（Ｓ６）と、を有している。

Abstract translation: 该基板处理方法是使用含有亲水性聚合物和疏水性聚合物的嵌段共聚物来处理基板的方法，其特征在于，包括：抗蚀剂图案形成工序（S3），用于在基板上形成预定的抗蚀剂图案，通过 抗蚀膜; 用于在抗蚀剂图案的表面上形成用于抑制抗蚀剂图案的变形的薄膜的薄膜形成步骤（S4） 在薄膜形成之后将嵌段共聚物施加到基板上的嵌段共聚物施加步骤（S5） 和聚合物分离步骤（S6），使嵌段共聚物相分离成亲水性聚合物和疏水性聚合物。

公开(公告)号：WO2016007874A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：PCT/US2015/039974

申请日：2015-07-10

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： VERHAVERBEKE, Steven ,  CHEN, Han-Wen ,  GOUK, Roman ,  LESCHKIES, Kurtis

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207

Abstract: The present disclosure generally relates to apparatus and methods for forming a low-k dielectric material on a substrate. The method includes various substrate processing steps utilizing a wet processing chamber, a solvent exchange chamber, and a supercritical fluid chamber. More specifically, a dielectric material in an aqueous solution may be deposited on the substrate and a solvent exchange process may be performed to prepare the substrate for a supercritical drying process. During the supercritical drying process, liquids present in the solution and remaining on the substrate from the solvent exchange process are removed via sublimation during the supercritical drying process. The resulting dielectric material formed on the substrate may be considered a silica aerogel which exhibits a very low k-value.

Abstract translation: 本公开总体上涉及用于在衬底上形成低k电介质材料的装置和方法。 该方法包括利用湿处理室，溶剂交换室和超临界流体室的各种基板处理步骤。 更具体地说，水溶液中的介电材料可以沉积在基底上，并且可以进行溶剂交换过程以制备用于超临界干燥过程的基底。 在超临界干燥过程中，在超临界干燥过程中通过升华除去溶液中存在于溶液中并保留在溶剂交换过程中的液体。 形成在基底上的所形成的电介质材料可以被认为是表现出非常低k值的二氧化硅气凝胶。

公开(公告)号：WO2015013702A3

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：PCT/US2014048390

申请日：2014-07-28

Applicant: FIRST SOLAR INC

Inventor： PAVOL MARK JEFFREY

IPC: C23C16/54

CPC classification number: H01L31/1828 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/24 ,  C23C14/566 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: Vapor deposition apparatus for forming stacked thin films on discrete photovoltaic module substrates conveyed in a continuous non-stop manner through the apparatus are provided. The apparatus includes a first sublimation compartment positioned over a first deposition area of said apparatus, a second sublimation compartment positioned over a second deposition area of said apparatus, and an internal divider positioned therebetween and defining a middle seal member. An actuator is attached to the internal divider and is configured to move the internal divider to control intermixing of first source material vapors and second source material vapors within the first deposition area and the second deposition area. Methods are also generally provided for depositing stacked thin films on a substrate.

Abstract translation: 提供了用于在分立光伏模块基板上形成堆叠薄膜的蒸镀设备，所述分立光伏模块基板以连续不间断的方式通过设备输送。 该设备包括位于所述设备的第一沉积区域上方的第一升华隔间，位于所述设备的第二沉积区域上方的第二升华隔间以及位于其间的内部分隔件并限定中间密封构件。 致动器附接到内部分隔件并且构造成移动内部分隔件以控制第一沉积区域和第二沉积区域内的第一源材料蒸气和第二源材料蒸气的混合。 通常还提供用于在衬底上沉积堆叠薄膜的方法。

公开(公告)号：WO2015006844A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：PCT/BR2014/000237

申请日：2014-07-15

Applicant: WHIRLPOOL S.A. ,  UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA (UFSC)

Inventor： BINDER, Roberto ,  KLEIN, Aloisio Nelmo ,  BINDER, Cristiano ,  HAMMES, Gisele

IPC: H01J37/32 ,  B22F3/24

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B22F3/003 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/241 ,  B22F2003/248 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719

Abstract: The plasma reactor comprises a reaction chamber (23) connectable to a source of ionizable gases (25) and to a heating device (80), said reactor (10) being subjected to the phases of heating (A), cleaning (L) and/or surface treatment (S), cooling (R), unloading (D) and loading (C) of metallic pieces (1). The installation comprises: at least two reactors (10), each being selectively and alternately connected to: the same source of ionizable gases (25); the same vacuum source (60); the same electrical energy source (50); and to the same heating device (80), the latter being displaceable between operative positions, in each of which surrounding laterally and superiorly a respective reactor (10), while the latter is in its heating phase (A) and cleaning phase (L) and/or in the surface treatment phase (S) of the metallic pieces (1).

Abstract translation: 等离子体反应器包括可连接到可电离气体源（25）和加热装置（80）的反应室（23），所述反应器（10）经受加热阶段（A），清洗（L）和 /或金属片（1）的表面处理（S），冷却（R），卸载（D）和装载（C）。 该装置包括：至少两个反应器（10），每个反应器选择性地交替地连接到：相同的可电离气体源（25）; 相同的真空源（60）; 相同的电能源（50）; 和相同的加热装置（80），后者可在各自的反应器（10）的横向和上方围绕操作位置之间移动，而后者处于其加热阶段（A）和清洗阶段（L） 和/或在金属片（1）的表面处理阶段（S）中。

公开(公告)号：WO2014199845A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：PCT/JP2014/064406

申请日：2014-05-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 木村　義雄

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67219 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178

Abstract: 　基板処理システム（１）は、処理ステーション（３）と搬入出ステーション（２）を有する。前記処理ステーション（３）は、基板の裏面を研削する研削装置（３０，３１）と、前記研削装置（３０，３１）で研削することで基板の裏面に形成されたダメージ層を除去するダメージ層除去装置（３２）と、前記ダメージ層除去装置（３２）で前記ダメージ層を除去した後、支持基板の裏面を洗浄する洗浄装置（３３）と、各装置に対して基板を搬送するための基板搬送領域（５０）とを有する。各装置は、それぞれ鉛直方向又は水平方向に複数配置自在である。各装置は、それぞれ内部に基板を収容する筐体（３０ａ，３１ａ，３２ａ，３３ａ，２００ａ，２０１ａ，２０２ａ）を備え、それぞれ独立して前記筐体内で基板に所定の処理を行う。

Abstract translation: 基板处理系统（1）具有处理站（3）和装载/卸载站（2）。 处理台（3）具有：抛光装置（30,31），用于抛光基板的后表面; 用于通过使用抛光装置（30,31）进行研磨来去除形成在基板的后侧的损伤层的损坏层去除装置（32）; 清洁装置，用于使用所述损伤层去除装置去除所述损伤层之后，清洁支撑基板的后表面; 以及用于将基板输送到装置的基板输送区域（50）。 每个设备在垂直和水平方向都是一次性的。 每个装置设置有容纳基板的壳体（30a，31a，32a，33a，200a，201a，202a），每个装置在壳体内的基板上独立地执行规定的处理。

公开(公告)号：WO2014185776A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/NL2014/050297

申请日：2014-05-12

Applicant: SMIT OVENS B.V.

Inventor： KAPER, Gerard ,  DIEPENS, Petrus Johannes Franciscus

IPC: H01L21/67 ,  B01D5/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: B01D5/0093 ,  B01D1/14 ,  B01D5/006 ,  B01D5/009 ,  B01D7/00 ,  C23C14/24 ,  C23C14/246 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: Device for heating a substrate for crystallizing a material on the substrate, provided with a process chamber which is provided with a first and a second sealable opening for a substrate to pass through, a first inlet for receiving a process gas and a first outlet for discharging an off-gas from the process chamber; an evaporator device for evaporating the material, which evaporator device is connected to the process chamber for supplying the process gas; a first condensation device which is connected to the process chamber for receiving the off-gas and wherein the first condensation device is designed to condense the material in the vapour phase in the off-gas to form a solid phase and a second condensation device for condensing part of the material in vapour phase in the off-gas to form a liquid phase, which second condensation device connects the first condensation device to the discharge duct and a connecting duct between the evaporator device and the second condensation device for transporting the material in the liquid phase between the second condensation device and the evaporator device.

Abstract translation: 用于加热用于使衬底上的材料结晶化的衬底的装置，设置有处理室，该处理室具有用于衬底通过的第一和第二可密封开口，用于接收处理气体的第一入口和用于放电的第一出口 来自处理室的废气; 用于蒸发材料的蒸发器装置，该蒸发器装置连接到处理室以供给处理气体; 第一冷凝装置，其连接到用于接收废气的处理室，并且其中第一冷凝装置被设计成在废气中的气相中的物质冷凝以形成固相，以及用于冷凝的第二冷凝装置 在废气中气相中的部分材料形成液相，该第二冷凝装置将第一冷凝装置连接到排放管道，以及在蒸发器装置和第二冷凝装置之间的连接管道，用于将材料输送到 第二冷凝装置和蒸发器装置之间的液相。