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公开(公告)号：WO2007102458A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/JP2007/054167
申请日：2007-03-05
IPC: C09K11/08
CPC classification number: C09K11/663 , C09K11/02 , C09K11/574 , C09K11/584 , C09K11/595 , C09K11/642 , C09K11/662 , C09K11/665 , C09K11/7706 , C09K11/7727 , C09K11/7734 , C09K11/7736 , C09K11/7737 , C09K11/774 , C09K11/7741 , C09K11/777 , C09K11/7771 , C09K11/7774 , C09K11/778 , C09K11/7784 , C09K11/7786 , C09K11/7787 , C09K11/7789 , C09K11/7792 , C09K11/7794 , C09K11/7797 , Y10T428/2991
Abstract: 本発明は、バイオナノテクノロジー分野に適する微粒子性を有し、蛍光観察に最適な励起波長を備え、フォトルミネッセンスの発光輝度及び耐久性に優れたコア／シェル型微粒子蛍光体を提供する。このコア／シェル型微粒子蛍光体は、反応晶析法で合成した前駆体粒子を焼成して得た蛍光体をコア微粒子蛍光体とし、該コア微粒子蛍光体の表面に、該コア微粒子蛍光体を構成する成分とは異なる金属化合物でシェル部を形成したコア／シェル型微粒子蛍光体において、ＰＬ（ｐｈｏｔｏ ｌｕｍｉｎｅｓｅｎｃｅ）による該コア微粒子蛍光体のＰＬ強度をＰＬ１とし、コア／シェル型微粒子蛍光体のＰＬ強度をＰＬ２としたとき、そのＰＬ強度比Ａ（ＰＬ１／ＰＬ２）が０．００１≦Ａ≦０．１であり、かつコア／シェル型微粒子蛍光体の平均粒径が０．１μｍ以下であることを特徴とする。
Abstract translation: 旨在提供一种核 - 壳型纳米粒子荧光体，其具有用于生物纳米技术领域的合适的纳米粒子性质，具有最适于荧光观察的激发波长，并且具有优异的光致发光和耐久性。 该核 - 壳型纳米粒子荧光体是通过使用通过烧结由结晶化反应法合成的前体粒子而形成的核心纳米粒子荧光体，并形成由与构成核心纳米粒子荧光体的成分不同的金属化合物制成的壳部， 核心纳米粒子荧光体的表面的特征在于，当将PL的核心纳米粒子荧光体的PL（光发光）强度称为PL1，将核 - 壳型纳米粒子荧光体的PL强度称为PL2时， 强度比A（PL1 / PL2）满足0.001 = A = 0.1，核 - 壳型纳米粒子荧光体的平均粒径为0.1μm以下。
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公开(公告)号：WO2006092990A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2006/303113
申请日：2006-02-22
CPC classification number: C09K11/774 , C09K11/595 , C09K11/7734 , H01J2211/42
Abstract: 本発明は、残光時間が短くて発光強度が大きい蛍光体を提供する。 本発明に係る蛍光体は、励起線の被照射により励起して発光する蛍光体であって、発光後の経過時間（ｘ）とその経過時間に対応する発光強度（ｙ）との関係を示す残光曲線を下記式（１）で近似したとき、その相関係数が０．９５以上である。 ｙ＝Ａｅｘｐ（Ｂｘ） … （１）
Abstract translation: 荧光物质在余辉时间短，发光强度大。 荧光物质是通过激发射线而被激发而发光的物质，并且当表示发光后经过时间（x）与对应于经过时间的发光强度（y）之间的关系的余辉曲线 由下式（1）近似，其相关系数至少为0.95。 y = Aexp（Bx）（1）
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公开(公告)号：WO2007083625A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/JP2007/050493
申请日：2007-01-16
CPC classification number: C09K11/595
Abstract: 本発明は、輝度が高く、耐久性に優れた蛍光体を提供する。この蛍光体は、組成分布の変動係数が１～１００％であることを特徴とする。
Abstract translation: 公开了具有高亮度和优异耐久性的荧光体。 该荧光体的特征在于组成分布的变异系数为1-100％。
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公开(公告)号：WO2007023677A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/JP2006/315795
申请日：2006-08-10
IPC: C09D11/08
Abstract: 本発明は、高純度で単分散性に優れ、且つ、発光特性の改善された蛍光体の製造方法及びその製造方法から得られた蛍光体を提供する。 本発明の蛍光体の製造方法は、蛍光体を構成する少なくとも２種類の元素イオンを含む水溶液を用いて、該蛍光体の前駆体を作製する工程、該蛍光体の前駆体を作製する工程時に生成された副産物に起因する凝集を防止する工程、該前駆体の作製時に生成された副産物を除去する工程及び副産物が除去された前駆体の分散液を焼成する工程を有することを特徴とする。
Abstract translation: 一种制造高纯度，优异的单分散并且发光特性提高的荧光体的方法; 和通过该方法制造的荧光体。 提供一种荧光体的制造方法，其特征在于包括以下步骤：由含有至少两种元素离子的水溶液制备荧光体的前体，构成荧光体; 防止在荧光体前体制备步骤中产生的副产物的聚集; 去除在前体制备步骤中产生的副产物; 并且除去副产物产生的前体分散体。
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公开(公告)号：WO2006109396A1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：PCT/JP2006/305108
申请日：2006-03-15
CPC classification number: C09K11/595
Abstract: 本発明は、光学特性及び劣化特性の向上が図られた蛍光体の製造方法を提供するものであり、液相法によって得られた蛍光体の前駆体を、酸素含有雰囲気下で所定の温度によって焼成処理する第１焼成工程の後に、焼成処理後の蛍光体の前駆体を第１焼成工程における焼成温度以下の温度によって焼成処理する第２焼成工程とを具備する。
Abstract translation: 公开了一种提高光学特性和劣化特性的荧光体的制造方法。 该方法包括第一烧制步骤，其中通过液相法获得的荧光体的前体在含氧气氛中在一定温度下烧制，以及随后的第二烧成步骤，其中将如此烧制的荧光体的前体在 在第一烧成工序中不高于烧成温度的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2009116408A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/JP2009/054288
申请日：2009-03-06
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 星野 秀樹 , 午菴 一賀 , 岡田 尚大
CPC classification number: H01L21/02532 , B82Y30/00 , C01G9/02 , C01G15/00 , C01G33/00 , C01P2002/82 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C09K11/02 , C09K11/59 , C09K11/592 , H01L21/02521 , H01L21/02601
Abstract: 本発明は、コアおよびシェル層を有するコア／シェル型半導体ナノ粒子の製造方法であって、該シェル層に含有される元素を含有し、孔径制御された細孔を複数有する多孔質材料の該細孔中で該コアを作製し、その後、該多孔質材料の一部を溶解し、さらに該細孔中で作製された該コア上に、該元素を含む化合物を再結晶させ、シェル層を形成しコア／シェル型半導体ナノ粒子を製造することを特徴とし、発光スペクトルのばらつきが小さく、発光強度の高いコア／シェル型半導体ナノ粒子が提供できる。
Abstract translation: 公开了一种可以生产核/壳型半导体纳米颗粒的生产方法，其包括具有小的发光光谱变化和高发光强度的芯和壳层。 该制造方法的特征在于，在包含壳层中含有的元素的多孔材料的孔中制备核，并且具有多个具有受控孔径的孔，然后溶解一部分多孔材料，并使含元素化合物 在孔中制备的芯上以形成壳层以产生核/壳型半导体纳米颗粒。
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公开(公告)号：WO2008108266A1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/JP2008/053502
申请日：2008-02-28
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 午菴 一賀 , 岡田 尚大 , 星野 秀樹
IPC: C01B33/021 , B82B3/00 , H01L33/00
CPC classification number: C01B33/021 , B01J19/10 , C09K11/565 , C09K11/59
Abstract: 本発明は、半導体ナノ粒子の製造方法であって、半導体前駆体を含む反応液を用いる液相法であり、該半導体前駆体を含む反応液に超音波を照射しつつ半導体前駆体から半導体粒子を形成することを特徴とし、発光材料として用いた場合に、発光効率が高いコアシェル型半導体ナノ粒子を提供することができる。
Abstract translation: 公开了一种使用含有半导体前体的反应液的液相法制造半导体纳米粒子的方法。 该半导体纳米粒子的制造方法的特征在于，通过用超声波照射含有半导体前体的反应液，由半导体前体形成半导体纳米粒子。 该方法能够获得当用作发光材料时显示出高发光效率的核 - 壳半导体纳米颗粒。
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公开(公告)号：WO2007086302A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2007/050677
申请日：2007-01-18
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 午菴 一賀 , 星野 秀樹 , 塚田 和也
CPC classification number: B01J19/0093 , B01J2219/00873 , B01J2219/00889 , B01J2219/00932 , B82Y30/00 , C30B7/00 , C30B11/10 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/48 , C30B29/60
Abstract: 本発明は、優れた光学特性の光学素子となり得るコア・シェル構造のナノ半導体粒子の製造方法を提供することを目的とする。 本発明のナノ半導体粒子の製造方法は、管径1μm～3mmのマイクロリアクタ流路内に、液滴化させたナノ半導体粒子前駆体を加熱焼成する工程を少なくとも含むことを特徴としている。好ましくは、管径1μm～3mmのマイクロリアクタ流路内に、ナノ半導体粒子前駆体を形成する前駆体形成工程、形成された前記ナノ半導体粒子前駆体を含む溶液を液滴化する工程、ならびに液滴化された前記ナノ半導体粒子を含む溶液を加熱焼成する工程、とを含むことを特徴とするナノ半導体粒子の製造方法である。
Abstract translation: 一种制造核/壳结构的半导体纳米颗粒的方法，其能够成为具有优异光学特性的光学元件。 半导体纳米颗粒生产方法的特征在于包括以下步骤：将液滴形式的半导体纳米颗粒前体在管直径为1μm至3mm的微反应器通道中加热/燃烧。 优选地，半导体纳米颗粒生产方法的特征在于包括其中形成半导体纳米颗粒前体的前体形成步骤，其中将含有形成的半导体纳米颗粒前体的溶液形成为液滴的步骤， 含有半导体纳米颗粒前体的溶液被加热/燃烧，这些步骤在管直径为1μm至3mm的微反应器通道中进行。
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公开(公告)号：WO2008035565A1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：PCT/JP2007/067182
申请日：2007-09-04
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 星野 秀樹 , 塚田 和也 , 午菴 一賀
IPC: G01N33/532 , G01N33/53 , G01N33/543 , G01N37/00
CPC classification number: G01N33/532 , B82Y15/00 , G01N33/54346 , G01N33/588
Abstract: 半導体ナノ粒子表面上に、生体検出用分子が均等に存在し、蛍光強度のばらつきが小さく、蛍光強度の低減・変動が少ない生体分子検出用試薬、特に半導体ナノ粒子１個当たり、生体分子と特異的に結合する検出用分子が１個存在する生体分子検出用試薬は、半導体ナノ粒子集合体を構成する各半導体ナノ粒子が表面上に生体分子と特異的に結合する検出用分子を有し、かつ各半導体ナノ粒子上に存在する該検出用分子数の標準偏差が５％以下であることを特徴とする。
Abstract translation: 公开了一种生物分子检测试剂，其包含均匀地存在于纳米颗粒表面上的半导体纳米颗粒和生物分子检测分子，并且其荧光强度的劣化和荧光强度的降低/变化较小。 具体地，试剂具有能够每一半导体纳米粒子特异性结合生物分子的检测分子。 在试剂中，构成半导体纳米颗粒聚集体的每个半导体纳米颗粒在其表面上具有能够特异性结合生物分子的检测分子，并且每个半导体的表面上的检测分子的数量的标准偏差 纳米颗粒为5％以下。
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公开(公告)号：WO2008032618A1
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：PCT/JP2007/067279
申请日：2007-09-05
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 午菴 一賀 , 塚田 和也 , 星野 秀樹
CPC classification number: H01G9/2054 , B82Y30/00 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 発光素子材料としての半導体ナノ粒子の光学特性を間接遷移型から直接遷移型に変換し、量子収率を向上させた半導体ナノ粒子及びその製造方法で、平均粒径が２～５０ｎｍの、表面が変性された半導体ナノ粒子であって、該半導体ナノ粒子についてのＴａｕｃプロットにより得られる接線の傾きが、該半導体ナノ粒子のコア部と同じ化学組成のバルク結晶についての該接線の傾きの２～５倍であることを特徴とする。
Abstract translation: 半导体纳米颗粒不仅将半导体纳米颗粒作为发光器件材料的光学性质从间接转变类型转换为直接转变型，而且还提高了量子产率; 及其制造方法。 半导体纳米颗粒是其表面改性的2至50nm平均粒径之一，其特征在于，通过Tauc图获得的相对于半导体纳米颗粒的切线的梯度在相对于相对于半导体纳米颗粒的切线的梯度的2至5倍的范围内 具有与半导体纳米颗粒的核心部分相同的化学组成的本体晶体。
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