超高速シンチレータとしてのZnO単結晶およびその製造方法
    8.
    发明申请
    超高速シンチレータとしてのZnO単結晶およびその製造方法 审中-公开
    ZnO单晶作为超高速扫描仪及其制备方法

    公开(公告)号:WO2005114256A1

    公开(公告)日:2005-12-01

    申请号:PCT/JP2005/009243

    申请日:2005-05-20

    IPC分类号: G01T1/202

    摘要: 【課題】BaF 2 などに代わる高速シンチレータ用結晶材料を見出すこと、その材料の安価な製造法を見出すことが目的である。 【解決手段】(Zn 1-x M x )O 1+x (M:Al,Ga,In,Y,Sc,La,Gd,Lu)(x=0~0.0500),(Zn 1-x M’ x )O 1+2x (M’:Si,Ge,Sn,Pb)(x=0~0.0250)又は(Zn 1-x Cd x )O(x=0~0.0500)の単結晶をシンチレータとして用いる。  ZnO単結晶の不純物を低減し、発光を阻害する不純物を排除するため、溶液が直接オートクレーブと接触しないように白金内筒を用い、また鉱化剤としてLiOH,KOHを用いることで、ZnO単結晶の欠陥を低減させることができた。  水熱合成の際の出発原料に、Al 2 O 3 ,Ga 2 O 3 ,In 2 O 3、 Si,Cd等を加えることにより、ZnOへのドーピングが可能になった。仕込み量を変えることでドーピング量も制御可能である。また、これらの元素がドープされることで、結晶欠陥による可視域の発光が抑制され、励起エネルギーを効率良くフリーエキシトンからの発光へ変換できるようになった。

    摘要翻译: 为了找到用于代替BaF2等的高速闪烁体的结晶材料,以及低成本地制造材料的方法。 (Zn1-xMx)O1 + x(M:Al,Ga,In,Y,Sc,La,Gd,Lu)的单晶(x = 0〜0.0500),(Zn1-xM' x)使用O1 + 2x(M':Si,Ge,Sn,Pb)(x = 0〜0.0250)或(Zn1-xCdx)O(x = 0〜0.0500)作为闪烁体。 可以通过使用铂内筒来降低ZnO单晶的缺陷,以使溶液不与高压釜直接接触,以减少ZnO单晶中的杂质并排除杂质干扰闪烁,并且通过使用LiOH和KOH作为 矿化剂 通过将这些材料加入到水热合成原料中,可以掺杂Al 2 O 3,Ga 2 O 3,In 2 O 3,Si,Cd等。 可以通过改变其充电量来控制掺杂量。 这些元素的掺杂抑制可见光的发射,这导致激发能量有效地从游离激子转变为发光。

    DOPED AMORPHOUS AND CRYSTALLINE GALLIUM OXIDES, ALKALINE EARTH GALLATES AND DOPED ZINC GERMANATE PHOSPHORS AS ELECTROLUMINESCENT MATERIALS
    10.
    发明申请
    DOPED AMORPHOUS AND CRYSTALLINE GALLIUM OXIDES, ALKALINE EARTH GALLATES AND DOPED ZINC GERMANATE PHOSPHORS AS ELECTROLUMINESCENT MATERIALS 审中-公开
    不锈钢和晶体氧化铝,碱土金属和镀锌锌化合物磷光体作为电致发光材料

    公开(公告)号:WO1997002721A1

    公开(公告)日:1997-01-23

    申请号:PCT/CA1996000444

    申请日:1996-07-04

    IPC分类号: H05B33/14

    摘要: New oxide phosphors based on doped gallium oxides, alkaline earth gallates and germanates for electroluminescent display materials. Bright orange red electroluminescence has been obtained in amorphous and crystalline oxides Ga2O3:Eu for the first time. SrGa2O4 and SrGa4O9 doped with 1-8 mole % of Eu and Tb, CaGa2O4, Ca3Ga2O6 and CaGa4O7 doped with 1-4 mole % of Eu, Tb, Pr and Dy, BaGa2O4 doped with 1-2 mole % of Eu and Tb, have been prepared using RF magnetron sputtering onto ceramic dielectric substrates and annealed at 600 DEG C - 950 DEG C in air or Ar for 1-2 hours. Bright electroluminescent (EL) emission was obtained with wavelengths covering the visible sprectrum from 400 to 700 nm, and infrared emission above 700 nm with spectral peaks characteristic of rare earth transitions. The films of CaGa2O4 with 1 mole % Eu achieved 22 fL (75 cd/m ) at 60 Hz and had a maximum efficiency of 0.2 lm/w for red emission. An amorphous thin film of Ca3Ga2O6 with 2 mole % Eu achieved 34 fL in red EL at 60 Hz when annealed at 600 DEG C. SrGa2O4 with 1 mole % Eu and 4 mole % Tb yielded "white" phosphor having red, green and blue emission (13 fL at 60 Hz), and SrGa2O4 with 8 mole % Tb resulted in a blue and green phosphor measuring 30 fL at 60 Hz. Zn2Si0.5Ge0.5O4 containing Mn was sputtered using magnetron RF sputtering onto ceramic dielectric substrates and annealed at 700 DEG C for 1 hour in air or argon. Bright green (540 nm) emission was obtained in electroluminescence: 110 fL (377 cd/m ) at 60 Hz with a maximum efficiency of 0.9 l/w. Moderately bright red emission (640 nm) was also obtained.

    摘要翻译: 用于电致发光显示材料的基于掺杂的镓氧化物,碱土金属镓盐和锗酸盐的新型氧化物荧光体。 在无定形和结晶氧化物Ga2O3:Eu中首次获得了明亮的橙红色电致发光。 掺杂有1-8摩尔%Eu和Tb,CaGa2O4,Ca3Ga2O6和掺杂有1-4摩尔%的Eu,Tb,Pr和Dy的CaGa 4 O 7的SrGa 2 O 4和SrGa 4 O 9,掺杂有1-2摩尔%的Eu和Tb的BaGa 2 O 4具有 使用射频磁控溅射法制备在陶瓷电介质基片上,并在600℃〜950℃的空气或Ar中退火1-2小时。 获得了具有覆盖400至700nm的可见光束的波长和高于700nm的红外发射的具有稀土跃迁特征的光谱峰的亮电场发光(EL)发射。 具有1摩尔%Eu的CaGa 2 O 4膜在60Hz下实现了22fL(75cd / m 2),对于红色发射具有0.2lm / w的最大效率。 具有2摩尔%Eu的Ca 3 Ga 2 O 6的非晶薄膜在600℃退火时在60Hz的红色EL中达到34fL。具有1摩尔%Eu和4摩尔%Tb的SrGa 2 O 4产生具有红色,绿色和蓝色发射的“白色”荧光体 (13fL,60Hz)和具有8mol%Tb的SrGa 2 O 4产生在60Hz下测量30fL的蓝色和绿色荧光体。 将含Mn的Zn2Si0.5Ge0.5O4用磁控溅射溅射到陶瓷电介质基片上,在空气或氩气中于700℃退火1小时。 在60Hz的电致发光中获得了明亮的绿色(540nm)发光:110fL(377cd / m 2),最大效率为0.9l / w。 也获得了中等亮度的红色发射(640nm)。