公开(公告)号：WO2007032128A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：PCT/JP2006/310999

申请日：2006-06-01

Applicant: シャープ株式会社 ,  松木薗広志 ,  宮本忠芳

Inventor： 松木薗広志 ,  宮本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本発明は、低閾値動作が可能でありかつ高トランジスタ耐圧を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに、それを用いて得られる半導体装置、アクティブマトリクス基板及び表示装置を提供する。本発明は、基板上に、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極がこの順に積層された薄膜トランジスタであって、上記半導体層は、断面に順テーパ形状を有し、上記半導体層の上と側方とがゲート絶縁膜に覆われており、上記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン膜が半導体層側に設けられ、酸化シリコンよりも誘電率が高い材料からなる膜がゲート電極側に設けられた積層構造を有し、かつ上記半導体層における上方の膜厚をＡとし、側方の膜厚をＢとしたときに、０．５≦Ｂ／Ａを満たす薄膜トランジスタである。

Abstract translation: 公开了一种能够低阈值操作并具有高晶体管击穿电压的薄膜晶体管及其制造方法。 还公开了使用薄膜晶体管获得的半导体器件，有源矩阵衬底和显示器件。 薄晶体管包括依次层叠在基板上的半导体层，栅极绝缘膜和栅极电极。 半导体层具有锥形的横截面，其上侧和外侧均被栅极绝缘膜覆盖。 栅极绝缘膜具有包括在半导体层侧形成的氧化硅膜和由比氧化硅介电常数高的材料制成的膜并且配置在栅极侧的层叠结构。 当垂直和横向的半导体层的厚度分别由A和B表示时，薄膜晶体管满足条件0.5 = B / A。

公开(公告)号：WO2011104791A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：PCT/JP2010/006369

申请日：2010-10-28

Applicant: シャープ株式会社 ,  宮本忠芳 ,  冨安一秀

Inventor： 宮本忠芳 ,  冨安一秀

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 　アクティブマトリクス基板（２０ａ）は、ゲート電極（１１ａａ）と、ゲート電極（１１ａａ）を覆うように設けられたゲート絶縁層（１２）と、ゲート絶縁層（１２）上に設けられ、チャネル領域（Ｃ）を有する酸化物半導体層（１３ａ）と、酸化物半導体層（１３ａ）上に設けられたソース電極（１６ａａ）及びドレイン電極（１６ｂ）と、酸化物半導体層（１３ａ）、ソース電極（１６ａａ）及びドレイン電極（１６ｂ）を覆う層間絶縁膜（１７）と、層間絶縁膜（１７）上に設けられた平坦化膜（１８）とを備えている。そして、平坦化膜（１８）の、チャネル領域（Ｃ）の上方に位置する部分に、層間絶縁膜（１７）に到達する開口部（Ｃａ）が形成されている。

Abstract translation: 有源矩阵基板（20a）设置有栅极电极（11aa），栅极绝缘层（12），覆盖栅电极（11aa），氧化物半导体层（13a） 栅极绝缘层（12），并且具有设置在氧化物半导体层（13a）上的沟道区（C），源电极（16aa）和漏极（16b），层间绝缘膜（17） 氧化物半导体层（13a），源电极（16aa）和漏电极（16b）以及设置在层间绝缘膜（17）上的平坦化膜（18）。 在平坦化膜（18）的沟道区域（C）的上方形成有到达层间绝缘膜（17）的开口（Ca）。

公开(公告)号：WO2012147657A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/JP2012/060737

申请日：2012-04-20

Applicant: シャープ株式会社 ,  中野文樹 ,  宮本忠芳

Inventor： 中野文樹 ,  宮本忠芳

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/136209 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2310/0259 ,  G09G2310/066 ,  G09G2320/0214 ,  G09G2320/041 ,  G09G2340/0435 ,  G09G2360/144 ,  H01L27/326 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648 ,  H04N1/00

Abstract: 　半導体装置は、直列に接続された複数のスイッチング素子（Ｔ１）、（Ｔ２）と、複数のスイッチング素子（Ｔ１）、（Ｔ２）の一端側に一方の電極が接続され、他方の電極が第１の容量配線（ＣＳＬ１）に接続された第１の容量（Ｃｓ１）と、複数のスイッチング素子のうち隣り合うスイッチング素子（Ｔ１）、（Ｔ２）の間に一方の電極が接続され、他方の電極が第２の容量配線（ＣＳＬ２）に接続された第２の容量（Ｃｓ２）と、複数のスイッチング素子（Ｔ１）、（Ｔ２）の少なくとも１つに対して入射する光を遮る遮光膜とを備える。

Abstract translation: 本发明提供一种半导体装置，其具备：串联连接的多个开关元件（T1，T2） 第一容量（Cs1），一个电极连接到多个开关元件（T1，T2）的一端，另一个电极连接到第一电容布线（CSL1）; 第二容量（Cs2），其中一个电极连接在所述多个开关元件的相邻开关元件（T1，T2）之间，另一个电极连接到第二电容布线（CSL2）; 以及用于遮蔽入射到至少一个开关元件（T1，T2）的光的遮光膜。

公开(公告)号：WO2011129037A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：PCT/JP2011/000103

申请日：2011-01-12

Applicant: シャープ株式会社 ,  宮本忠芳

Inventor： 宮本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225

Abstract: 　アクティブマトリクス基板（２０ａ）は、絶縁基板（１０ａ）と、絶縁基板（１０ａ）上に設けられ、第１のチャネル領域（Ｃａ）を有する第１の酸化物半導体層（１３ａ）を備える第１の薄膜トランジスタ（５ａ）と、絶縁基板（１０ａ）上に設けられ、第２のチャネル領域（Ｃｂ）を有する第２の酸化物半導体層（１３ｂ）を備える第２の薄膜トランジスタ（５ｂ）と、第１の酸化物半導体層（１３ａ）及び第２の酸化物半導体層（１３ｂ）を覆う層間絶縁膜（１７）とを備える。そして、第２の酸化物半導体層（１３ｂ）と層間絶縁膜（１７）との間であって、第２の酸化物半導体層（１３ｂ）の第２のチャネル領域（Ｃｂ）に、層間絶縁膜（１７）と異なる材料により形成されたチャネル保護膜（２５）が設けられている。

Abstract translation: 公开了一种有源矩阵基板（20a），其包括：绝缘基板（10a）; 第一薄膜晶体管（5a），其形成在所述绝缘基板（10a）上并且包括具有第一沟道区域（Ca）的第一氧化物半导体层（13a）; 第二薄膜晶体管（5b），其形成在所述绝缘基板（10a）上并且包括具有第二沟道区域（Cb）的第二氧化物半导体层（13b）; 和覆盖第一氧化物半导体层（13a）和第二氧化物半导体层（13b）的层间绝缘膜（17）。 在第二沟道区域中的第二氧化物半导体层（13b）和层间绝缘膜（17）之间设置由不同于层间绝缘膜（17）的材料形成的沟道保护膜（25） （Cb）的第二氧化物半导体层（13b）。