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公开(公告)号：WO2013097354A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/CN2012/072371
申请日：2012-03-15
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 何钢 , 刘沛玮 , 杨帆
IPC: H03F1/52
Abstract: 公开了一种功率放大器的保护电路和保护方法，其中，该保护电路包括功率放大器，该功率放大器的输入端与射频信号的输入端相连，该电路还包括带通滤波器，所述带通滤波器位于所述射频信号的输入端和所述功率放大器的输入端之间；所述带通滤波器的中心频率为所述功率放大器工作频带的中心频率，所述带通滤波器的工作带宽大于所述功率放大器的工作带宽。该方案通过在功率放大器输入端设置了带通滤波器，有效防止了功率放大器受带外信号或异常宽带信号影响而造成的损坏。
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公开(公告)号：WO2012146011A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/CN2011/081423
申请日：2011-10-27
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 何钢 , 陈化璋 , 崔晓俊
IPC: H03F3/21
CPC classification number: H03F3/24 , H03F1/0288 , H03F3/195 , H03F2200/432
Abstract: 本发明公开了一种功率放大管以及功率放大方法，本功率放大管高电子迁移率晶体管（HEMT）功放管芯和横向扩散金属氧化物半导体场效应管（LDMOS）功放管芯，所述HEMT功放管芯和所述LDMOS功放管芯集成在同一封装中。本发明应设置为Doherty放大器，采用突破性的全新功放管芯组合方式设计功率管，与现有的全部采用LDMOS的功放管芯的Doherty放大器相比，可在保证功率放大管的小体积基础上实现高效率的功率放大。
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公开(公告)号：WO2007140704A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/CN2007/001702
申请日：2007-05-25
CPC classification number: H04L27/2602
Abstract: 本发明公开了一种基于正交频分复用的跳频通信方法，首先设置跳频图案，跳频图案可以是收发双方预先共知的，也可以通过发送端以通知的方式通知接收端；然后发送端根据跳频图案发送数据，发送端的OFDM系统按照跳频方案将发送数据承载到相应的子载波或子载波组上发送；最后接收端根据跳频图案接收数据，接收端的OFDM系统以预先共知的跳频图案或按通知消息通知的跳频图案进行接收。应用本发明所述方法，使数据传输的安全性和可靠性得到提高，同时增加了网络的多址传输能力。
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公开(公告)号：WO2013097355A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/CN2012/072382
申请日：2012-03-15
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 何钢 , 张烈 , 戴征坚
IPC: H03F1/52
CPC classification number: H03F1/52 , H03F1/3241
Abstract: 一种数字预失真中的功放保护方法和装置，该装置包括依次连接的系统信号产生、数字预失真、功放保护、数模转换、功放模拟链路和模数转换模块以及与功放保护模块相连的功放保护恢复模块，还包括功放保护状态获取模块、自动检测模块和触发模块，其中：所述状态获取模块设置成：获取数字预失真前信号功率与补偿能量的对应关系及保护门限，并将其存入内存中；所述自动检测模块设置成：获得检测信号功率，从内存中提取对应关系及保护门限，以及根据检测信号功率、对应关系以及保护门限判断当前数字预失真的状态是否满足功放保护条件，若满足，则发送控制信号；所述触发模块设置成：根据控制信号触发选择功放保护模式。本发明的技术方案可使功放不被损坏。
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公开(公告)号：WO2013097361A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/CN2012/072542
申请日：2012-03-19
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 何钢 , 王刚
IPC: H03F1/52
Abstract: 一种功放管的保护电路、方法和功放管，该功放管的保护电路包括功放管，该功放管的输入端与射频信号的输入端相连，该功放管的漏极或集电极与第一电源（VDD）端相连，该功放管的栅极或基极与第二电源（VGS）端相连，该电路还包括瞬态电流检测器和控制器，其中：所述瞬态电流检测器，位于所述功放管的漏极或集电极和所述VDD之间，设置成：实时检测所述功放管工作时的电流；所述控制器，与所述瞬态电流检测器相连，设置成：当所述瞬态电流检测器检测到的所述电流大于预定门限值时，关断输入所述功放管的射频信号或者控制关断所述功放管。上述功放管的保护电路、方法和功放管，可避免功放管过载损坏。
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公开(公告)号：WO2012174833A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/CN2011/083848
申请日：2011-12-12
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 何钢 , 王刚 , 宋滨
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L23/3107 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种塑封芯片及其制造方法，该塑封芯片包括：塑封材料（11）和散热片（12），其中，塑封材料（11）的边缘设置有容纳槽（111），容纳槽（111）用于容纳散热片（12）。该芯片可以解决散热片占用较大芯片空间从而影响塑封芯片的散热效果的问题，并在保证芯片散热的良好效果下，结构简单可靠、易实现，且可以节约芯片空间。
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