公开(公告)号：WO2011091656A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/CN2010/075141

申请日：2010-07-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  黄晓橹 ,  王曦

Inventor： 陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  黄晓橹 ,  王曦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78612 ,  H01L21/266 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78624

公开(公告)号：WO2012006805A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/CN2010/076678

申请日：2010-09-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  黄晓橹 ,  王曦

Inventor： 陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  黄晓橹 ,  王曦

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78612

Abstract: 提供了一种具有源端体引出（BTS）结构的绝缘体上硅金属氧化物半导体（SOIMOS）器件及其制作方法。该SOIMOS器件的源区具有两个重掺杂N型区（52、53）、位于两个重掺杂N型区（52、53）之间的重掺杂P型区（60）、位于两个重掺杂N型区（52、53）和重掺杂P型区（60）之上的硅化物（51）、以及与硅化物（51）相连的浅N型区（54）。重掺杂P型区（60）与其上的硅化物（51）形成欧姆接触，释放SOIMOS器件在体区积累的空穴，从而能有效抑制SOIMOS器件的浮体效应，不增加芯片面积，并消除了传统BTS结构降低有效沟道宽度的缺点。制作时先通过离子注入法形成重掺杂P型区，再在源区表面形成一层金属，通过热处理使金属与其下的硅反应生成硅化物。

公开(公告)号：WO2012003659A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：PCT/CN2010/076683

申请日：2010-09-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  陈静 ,  伍青青 ,  罗杰馨 ,  黄晓橹 ,  王曦

Inventor： 陈静 ,  伍青青 ,  罗杰馨 ,  黄晓橹 ,  王曦

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78612 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/78654

Abstract: 提供一种实现源体欧姆接触的SOIMOS器件制作方法。该方法包括：制作栅区，进行高剂量的源区和漏区轻掺杂，形成高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区；在栅区周围制备侧墙隔离结构（90），进行源区和漏区的离子注入，通过一道在源区位置设有开口的掩膜版，倾斜的进行重掺杂P离子注入，从而在源区与体区（70）之间形成重掺杂的P型区（60）；在源区的部分表面形成一层金属，通过热处理使金属与其下的Si材料反应生成硅化物（51）。通过硅化物（51）与其旁边的重掺杂P区（60）形成欧姆接触，释放SOIMOS器件在体区（70）积累的空穴，从而抑制SOIMOS器件的浮体效应，并具有不增加芯片面积，制造工艺兼容的优点。

公开(公告)号：WO2011091655A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/CN2010/075135

申请日：2010-07-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  陈静 ,  黄晓橹 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  王曦

Inventor： 陈静 ,  黄晓橹 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  王曦

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/74

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78615

公开(公告)号：WO2012006806A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/CN2010/076703

申请日：2010-09-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  陈静 ,  伍青青 ,  罗杰馨 ,  黄晓橹 ,  王曦

Inventor： 陈静 ,  伍青青 ,  罗杰馨 ,  黄晓橹 ,  王曦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L21/266 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78612

Abstract: 一种具有体接触结构的部分耗尽绝缘体上硅器件，其有源区包括：栅区（80）、体区（70）、N型源区（50）、N型漏区（40）、体接触区（60）以及硅化物（100）；源区（50）和漏区（40）分别位于体区（70）前部两侧，体接触区（60）位于体区（70）后部并与源区（50）并排，硅化物（100）位于体接触区（60）及源区（50）之上并同时与它们相接触，位于体区（70）之上的栅区（80）为L型，由体区（70）后部向外引出。如此结构能够有效抑制浮体效应，不增加芯片面积，工艺简单。

公开(公告)号：WO2012003660A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：PCT/CN2010/076710

申请日：2010-09-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  黄晓橹 ,  王曦

Inventor： 陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  黄晓橹 ,  王曦

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/78612

Abstract: 提供一种抑制绝缘体上硅（SOI）浮体效应的金属氧化物半导体（MOS）结构的制作方法。该SOIMOS结构的有源区包括：体区（70）、N型源区、N型漏区（40）、重掺杂P型区（60），其中该N型源区由硅化物（51）和与之相连的N型Si区（52）两部分组成，该重掺杂P型区（60）位于硅化物（51）与绝缘埋层（20）之间，并分别与硅化物（51）、体区（70）、绝缘埋层（20）及浅沟槽隔离结构（30）相接触。通过硅化物（51）与下方的重掺杂P区（60）形成欧姆接触，释放SOIMOS器件在体区（70）积累的空穴，从而抑制SOIMOS器件的浮体效应，并具有不增加芯片面积，制造工艺兼容的优点。

公开(公告)号：WO2011072528A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：PCT/CN2010/075160

申请日：2010-07-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  宁冰旭 ,  薛忠营 ,  黄晓橹 ,  王曦

Inventor： 陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  宁冰旭 ,  薛忠营 ,  黄晓橹 ,  王曦

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/0266

公开(公告)号：WO2011072527A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：PCT/CN2010/075156

申请日：2010-07-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  周建华 ,  黄晓橹 ,  王曦

Inventor： 陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  周建华 ,  黄晓橹 ,  王曦

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7317 ,  H01L29/66265

公开(公告)号：WO2011076003A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：PCT/CN2010/075134

申请日：2010-07-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  肖德元 ,  黄晓橹 ,  陈静 ,  王曦

Inventor： 肖德元 ,  黄晓橹 ,  陈静 ,  王曦

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L29/7841 ,  G11C11/404 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/10802

公开(公告)号：WO2012024858A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/CN2010/078360

申请日：2010-11-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  黄晓橹 ,  陈静 ,  张苗 ,  王曦

Inventor： 黄晓橹 ,  陈静 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1087 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945