公开(公告)号：WO2018012529A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：PCT/JP2017/025393

申请日：2017-07-12

Applicant: 並木精密宝石株式会社

Inventor： 會田　英雄 ,  金　聖祐 ,  木村　豊 ,  川又　友喜 ,  池尻　憲次朗

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B33/10

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/04 ,  C30B33/10

Abstract: 【課題】表面に加工変質層を生じることなく、高精度かつ滑らかな表面粗さを有する単結晶ダイヤモンド基板を提供する。 【解決手段】ヘテロエピタキシャル成長によって気相成長したダイヤモンド層の裏面をホモエピタキシャル成長用の育成表面として一定の表面粗さ範囲に形成することで、当該気相成長終了後、ダイヤ単結晶基板の裏面に再度気相成長による単結晶ダイヤモンド層を形成し、加工変質層を生じることなく、高精度かつ滑らかな表面粗さを有する単結晶ダイヤモンド基板を得ることができる。

Abstract translation:

甲而不在表面上使加工变质层，以提供具有高精确度和光滑的表面粗糙度的单晶金刚石基材上。 通过形成金刚石层的后表面上的由上一定的表面粗糙度范围异质外延生长生长气相作为同质外延生长生长表面，在气相沉积结束后，再次在金刚石单晶衬底的后表面上之后 可以获得具有高精度和平滑表面粗糙度的单晶金刚石基板，而不会通过气相外延形成单晶金刚石层并且不会导致加工劣化层。

公开(公告)号：WO2016125404A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：PCT/JP2015/085248

申请日：2015-12-16

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 宮崎　正行

IPC: C30B29/36 ,  B24B37/10 ,  C30B25/20 ,  C30B33/02 ,  C30B33/08 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C30B33/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/10 ,  B24B37/245 ,  C23C16/325 ,  C23C16/56 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  C30B33/08 ,  C30B33/10 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/1608

Abstract: 　ＳｉＣ基板上に形成されるＳｉＣエピタキシャル膜の欠陥を低減できるＳｉＣ半導体装置の製造方法、及びそれによって得られるＳｉＣ半導体装置を提供する。ＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程（Ａ）と、該エピタキシャル膜の表面を化学機械研磨して、算術平均表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下となるまで平坦化処理する工程（Ｂ）と、前記エピタキシャル膜の表面を熱酸化して犠牲酸化膜を形成する工程（Ｃ）と、該犠牲酸化膜を除去する工程（Ｄ）と、前記犠牲酸化膜を除去したエピタキシャル膜の表面を純水で洗浄する工程（Ｅ）とを含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法を用いる。

Abstract translation: 提供一种制造SiC半导体器件的方法，由此可以减少在SiC衬底上形成的SiC外延膜中的缺陷，以及通过该方法获得的SiC半导体器件。 一种SiC半导体器件的制造方法，包括在SiC衬底上形成SiC外延膜的工序（A）的方法，对所述外延膜的表面进行化学机械研磨并使所述外延膜平坦化的工序（B） 直到其算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下，对外延膜的表面进行热氧化并形成牺牲氧化膜的工序（C），去除牺牲氧化膜的工序（D）和工序 E）用纯水清洗去除牺牲氧化膜的外延膜的表面。

公开(公告)号：WO2016116180A1

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：PCT/EP2015/075189

申请日：2015-10-29

Applicant: SILTRONIC AG

Inventor： MÜLLER, Timo ,  GEHMLICH, Michael ,  FALLER, Frank

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225 ,  B08B3/08 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/16 ,  H01L29/32

Abstract: Epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe, umfassend eine Substratscheibe aus einkristallinem Silizium; eine epitaktische Schicht aus Silizium mit polierter Oberfläche auf der Vorderseite der Substratscheibe, wobei die polierte Oberfläche eine RMS-Rauheit von nicht mehr als 0,055 nm bezogen auf ein Messfenster mit einer Fläche von 10 µm x 10 µm aufweist; eine denuded zone mit einer Tiefe von nichtweniger als 6 μm undnicht mehr als 14 μm und eine Region, die an die denuded zone angrenzt und BMD-Keime aufweist, die sich zu BMDs mit einer Spitzendichtevon nicht weniger als 3,5 x 10 9 cm -3 in einem Abstand von nicht mehr als 70 μm zur polierten Oberfläche der epitaktischen Schicht entwickeln lassen. Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe, umfassend das Abscheiden einer epitaktischen Schicht aus Silizium auf der Vorderseite einer Substratscheibe; das Behandeln der epitaktischen Schicht mit einem Oxidationsmittel; eine RTA-Behandlung der epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe, wobei die epitaktische Schicht einer Atmosphäre bestehendaus Argon und Ammoniak ausgesetzt wird und sich eine Oxynitrid-Schicht auf der epitaktischen Schicht bildet; das Entfernen der Oxynitrid-Schicht; und das Polierender epitaktischen Schicht.

Abstract translation: 外延涂布的半导体晶片，其包括由单晶硅制成的基板晶片; 硅的外延层与衬底晶片，其中所述抛光的表面具有不大于0.055纳米的测量窗口上具有10微米×10微米的区域的RMS粗糙度关系的前侧的光滑表面; 用不小于6微米的邻近于洁净区和具有BMD核心，其成为与Spitzendichtevon的BMD的深度，并且不超过14微米，并且区域的洁净区不低于3.5×10 9 cm -3的 可以在不超过70微米的外延层的抛光表面的距离来开发。 一种用于生产一个外延涂覆半导体晶片的方法，包括沉积在衬底晶片的前硅的外延层的过程; 治疗与氧化剂的外延层; 的RTA处理的外延涂布的半导体晶片，其中，所述外延层的气氛由氩和氨的被暴露并且形成外延层上形成氧氮化物膜的; 去除所述氧氮化硅层; 和抛光外延层。

公开(公告)号：WO2015147429A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/KR2015/000242

申请日：2015-01-09

Applicant: 부산대학교 산학협력단

Inventor： 정세영 ,  김지영 ,  김원경

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01B5/14 ,  C23C14/086 ,  C23C14/205 ,  C23C14/34 ,  C30B23/08 ,  C30B29/02 ,  C30B33/10 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01B13/0036 ,  H01L31/022466 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/102 ,  H01L51/445 ,  H01L51/5212 ,  Y02E10/549

Abstract: 본 발명은 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판, 상기 기판의 상부에 형성되는 나노사이즈의 선폭을 가지는 벌집 모양 패턴의 단결정 구리 전극층, 및 상기 단결정 구리 전극층의 상부에 형성되는 금속 산화물층으로 이루어져 광학적 투과도가 우수하고 전기적 면저항이 낮으며 기계적 안정성이 우수한 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 기판; 상기 기판의 상부에 형성되는 나노사이즈의 선폭을 가지는 벌집 모양 패턴의 단결정 구리 전극층; 및 상기 단결정 구리 전극층의 상부에 형성되는 금속 산화물층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 전극을 기술적 요지로 한다.

Abstract translation: 本发明涉及使用单晶铜的具有纳米网状多层结构的电极及其制造方法，更具体地，涉及使用单晶铜的具有纳米网状多层结构的电极，以及 其制造方法，所述电极包括：基板; 单晶铜电极层，形成在基板的上部，具有纳米尺寸线宽的梳形图案; 以及形成在单晶铜电极层的上部的金属氧化物层，由此具有优异的透光率，低电表面电阻和优异的机械稳定性。 本发明的技术特征在于具有使用单晶铜的纳米网状多层结构的电极，所述电极包括：基板; 单晶铜电极层，形成在基板的上部，具有纳米尺寸线宽的梳形图案; 以及形成在单晶铜电极层的上部的金属氧化物层。

公开(公告)号：WO2015133064A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/JP2015/000597

申请日：2015-02-10

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 萩本　和徳 ,  篠宮　勝 ,  土屋　慶太郎 ,  後藤　博一 ,  佐藤　憲 ,  鹿内　洋志 ,  小林　昇一 ,  栗本　宏高

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B33/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/7806 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32

Abstract: 　本発明は、シリコン系基板上に半導体層をエピタキシャル成長させて、エピタキシャルウェーハを作製する工程と、前記作製されたエピタキシャルウェーハの外周部を観察する観察工程と、前記観察工程において観察されたクラック、エピタキシャル層剥れ、及び、反応痕の部分を取り除く除去工程とを有することを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法である。これにより、完全なクラックフリーの半導体エピタキシャルウェーハを得ることが可能な半導体エピタキシャルウェーハの製造方法が提供される。

Abstract translation: 本发明是一种制造半导体外延晶片的方法，其特征在于具有：通过在硅系衬底上外延生长半导体层来制造外延晶片的步骤; 用于观察所制造的外延晶片的外周部的观察步骤; 以及去除在观察步骤中观察到的裂纹，外延层分层或反应标记部分的去除步骤。 由本发明提供的半导体外延晶片的制造方法可以获得完全没有裂纹的半导体外延晶片。

公开(公告)号：WO2015085777A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：PCT/CN2014/083192

申请日：2014-07-29

Applicant: 北京保利世达科技有限公司

Inventor： 王振宇 ,  胡晓刚 ,  王院卫

IPC: C09K3/14 ,  C30B33/08

CPC classification number: C30B29/04 ,  C09G1/02 ,  C30B29/60 ,  C30B33/02 ,  C30B33/10

Abstract: 公开了一种单晶金刚石磨粒的制备方法，通过将微米级单晶金刚石与至少一种微米级金属粉在含有至少一种纳米金属粉的溶胶中充分分散，并控制两种不同数量级金属粉之间的适合比例，从而使得所述微米级单晶金刚石之间的大部分孔隙被微米级金属粉填充，只需要适合量的纳米金属粉就使得所述微米级金属粉与所述纳米级金属粉共同包覆在所述微米级金刚石的表面形成完整、均匀的包括至少两种金属颗粒的包覆层，进而最终制备得到的单晶金刚石磨粒表面呈现独特的粗糙形貌，研磨过程中呈现较多的接触点和接触面，具有高自锐性。

公开(公告)号：WO2013182969A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/IB2013/054562

申请日：2013-06-03

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： SIMONATO, Jean-Pierre ,  CARELLA, Alexandre ,  CELLE, Caroline

IPC: C30B29/60 ,  C30B29/62 ,  C30B33/10 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/70

CPC classification number: C23F1/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/605 ,  C30B29/62 ,  C30B33/10 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/413

Abstract: L'invention concerne un procédé d'amélioration des performances électriques et optiques d'un matériau conducteur électrique et transparent comprenant des nanofils d'argent. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une couche en un matériau conducteur électrique et transparent, telle qu'une électrode transparente, un film chauffant transparent, ou un film pour blindage électromagnétique. Le procédé de l'invention comprend les étapes suivantes : a) une étape de mise en contact des nanofils d'argent avec une solution d'un acide, cette solution ayant un pH inférieur à 7, de préférence inférieur à 3, et b) une étape d'élimination de l'acide. L'invention trouve application dans le domaine de l'optoélectronique, en particulier.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于改善包含银纳米线的透明导电材料的电和光学性能的方法。 本发明还涉及一种制造由诸如透明电极，透明加热膜或用于电磁屏蔽的膜的透明导电材料制成的膜的方法。 本发明的方法包括以下步骤：a）使银纳米线与酸溶液接触的步骤，该溶液的pH低于7，优选低于3; 和b）消除酸的步骤。 本发明的应用领域尤其是光电领域。

公开(公告)号：WO2010014657A2

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：PCT/US2009052030

申请日：2009-07-29

Applicant: UNIV NORTH CAROLINA STATE ,  COLLAZO RAMON R ,  SITAR ZLATKO ,  DALMAU RAFAEL

Inventor： COLLAZO RAMON R ,  SITAR ZLATKO ,  DALMAU RAFAEL

IPC: H01L21/306 ,  C30B33/00 ,  H01L21/314 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/306 ,  C30B29/403 ,  C30B33/10 ,  H01L21/314 ,  H01L33/0095 ,  Y10T428/12528

Abstract: The present invention provides methods of protecting a surface of an aluminum nitride substrate. The substrate with the protected surface can be stored for a period of time and easily activated to be in a condition ready for thin film growth or other processing. In certain embodiments, the method of protecting the substrate surface comprises forming a passivating layer on at least a portion of the substrate surface by performing a wet etch, which can comprise the use of one or more organic compounds and one or more acids. The invention also provides aluminum nitride substrates having passivated surfaces.

Abstract translation: 本发明提供了保护氮化铝衬底表面的方法。 具有受保护表面的衬底可以存储一段时间，并且容易激活以处于准备用于薄膜生长或其他处理的状态。 在某些实施方案中，保护基材表面的方法包括通过进行湿法蚀刻在基材表面的至少一部分上形成钝化层，其可以包括使用一种或多种有机化合物和一种或多种酸。 本发明还提供具有钝化表面的氮化铝衬底。

公开(公告)号：WO2006046601A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：PCT/JP2005/019688

申请日：2005-10-26

Applicant: 三益半導体工業株式会社 ,  スペースエナジー株式会社 ,  土屋 正人 ,  真下 郁夫 ,  木村 義道

Inventor： 土屋 正人 ,  真下 郁夫 ,  木村 義道

IPC: H01L21/308 ,  C30B33/08 ,  H01L31/04

CPC classification number: C30B33/10 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 　光電変換効率に優れ、太陽電池に好適な微細な凹凸構造を所望の大きさで均一に半導体基板の表面に形成することができる安全且つ低コストな半導体基板の製造方法、均一且つ微細なピラミッド状の凹凸構造を面内均一に有するソーラー用半導体基板、均一且つ微細な凹凸構造を有する半導体基板を形成するためのエッチング液を提供する。 　１分子中に少なくとも１個のカルボキシル基を有する炭素数１以上１２以下のカルボン酸及びその塩からなる群から選択される少なくとも１種を含むアルカリ性のエッチング液を用いて半導体基板をエッチングし、該半導体基板の表面に凹凸構造を形成するようにした。

Abstract translation: 以低成本安全地生产具有优异的光电转换效率的半导体衬底的方法，其中可以在半导体衬底的表面上均匀地形成适合于太阳能电池的精细结构的结构，以期望的尺寸; 一种用于太阳能应用的半导体衬底，其均匀且精细的棱锥状粗糙结构在其表面内均匀地设置; 以及用于制造具有均匀且精细坚固结构的半导体衬底的蚀刻溶液。 使用含有至少一种选自具有至少一个羧基的C 1 -C 12 -C 12羧酸的碱的碱蚀刻溶液来蚀刻半导体衬底 在每个分子及其盐中，从而在半导体衬底的表面上形成粗糙的结构。

公开(公告)号：WO2002077331A1

公开(公告)日：2002-10-03

申请号：PCT/JP2002/002488

申请日：2002-03-15

Applicant: 科学技術振興事業団 ,  鯉沼 秀臣 ,  松本 祐司 ,  佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  吉村 政志

Inventor： 鯉沼 秀臣 ,  松本 祐司 ,  佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  吉村 政志

IPC: C30B33/10

CPC classification number: G02F1/37 ,  C30B29/22 ,  C30B33/10 ,  G02F1/3551 ,  G02F2001/3509

Abstract: A method for flattening the surface of an oxide crystal insoluble in an acid or an alkali to an ultra high degree, which comprises reducing the surface of an oxide crystal insoluble in an acid or an alkali with a reducing agent, dissolving the reduced surface of the oxide crystal with an aqueous solution of an acid or an alkali, and subjecting the oxide crystal having the dissolved surface to a heat treatment in the atmosphere, to thereby flatten the surface of the oxide crystal to an ultra high degree at an atomic level of roughness; a method for preparing a single crystal thin film of a ReCa4O(BO3)3 based oxide using the above method; a single crystal thin film of a ReCa4O(BO3)3 based oxide exhibiting SHG property; a method for flattening the surface to be used for the entrance or emission of a light of such an oxide optical crystal to an ultra high degree using the above method; and a method for evaluating the defect of such an oxide optical crystal using the above method.

Abstract translation: 一种使不溶于酸或碱的氧化物晶体的表面变得非常高的方法，该方法包括用还原剂还原不溶于酸或碱的氧化物晶体的表面， 氧化物晶体与酸或碱的水溶液，并将具有溶解表面的氧化物晶体在大气中进行热处理，从而使氧化物晶体的表面以粗糙度的原子水平使其平坦化 ; 使用上述方法制备ReCaO4（BO3）3氧化物的单晶薄膜的方法; 具有SHG性质的ReCa4O（BO3）3系氧化物的单晶薄膜; 使用上述方法使用于将这种氧化物光学晶体的光的入射或发射超高程度的表面平坦化的方法; 以及使用上述方法评价这种氧化物光学晶体的缺陷的方法。