公开(公告)号：WO2008044626A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：PCT/JP2007/069550

申请日：2007-10-05

Applicant: 日鉱金属株式会社 ,  矢作 政隆 ,  高橋 秀行 ,  安嶋 宏久

Inventor： 矢作 政隆 ,  高橋 秀行 ,  安嶋 宏久

IPC: C23C14/34 ,  C22C28/00 ,  G11B7/26

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/05 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/0623 ,  G11B7/266 ,  B22F9/082 ,  B22F3/14

Abstract: 　Ｓｂ－Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲットにおいて、Ｓｂ－Ｔｅ基合金粒子の周囲に微小なカーボン又はボロンの粒子が包囲する組織を備え、Ｓｂ－Ｔｅ基合金粒子の平均径をＸ、カーボン又はボロンの粒子径をＹとした場合、Ｙ／Ｘが１／１０～１／１００００の範囲にあることを特徴とするＳｂ及びＴｅを主成分とするＳｂ－Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット。Ｓｂ－Ｔｅ基合金スパッタリングターゲット組織の改善を図り、焼結ターゲットのクラック発生を抑制し、スパッタリング時にアーキングの発生を防止する。

Abstract translation: 一种锑 - 碲基合金烧结溅射靶，其包含锑和碲作为主要成分，其特征在于其具有包含锑 - 碲基合金颗粒和合金颗粒被包围的细小碳或硼颗粒的结构，当平均 锑 - 碲基合金颗粒的直径和碳或硼的粒径分别由X和Y表示，然后Y / X在1/10至1 / 10,000的范围内。 锑 - 碲基合金烧结溅射靶具有改进的结构，不受开裂，并且防止在溅射期间发生电弧。

公开(公告)号：WO2004044260A1

公开(公告)日：2004-05-27

申请号：PCT/JP2003/009857

申请日：2003-08-04

Applicant: 株式会社日鉱マテリアルズ ,  高橋 秀行 ,  矢作 政隆 ,  中村 篤志

Inventor： 高橋 秀行 ,  矢作 政隆 ,  中村 篤志

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C22C12/00 ,  B22F2998/00 ,  C23C14/3414 ,  B22F9/082 ,  C22C32/00

Abstract: 平均結晶粒径が20μm以下、抗折力が60MPa以上、酸素含有量が1000ppm以下であるSb-Te系スパッタリングターゲット。スパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生等を効果的に抑制し、さらにターゲット中に含まれる酸素を減少させることのできるSb-Te系スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該スパッタリングターゲットを製造するために好適な焼結用粉末を提供する。

Abstract translation: 平均晶粒直径为20μm以下的Sb-Te基溅射靶，偏转强度为60MPa以上，氧含量为1000ppm以下。 特别是在溅射时能够有效抑制粒子发生，异常放电，结瘤发生，靶裂解或断裂等的Sb-Te基溅射靶，能够减少靶中含有的氧的量; 其制造方法; 以及适于制造溅射靶的用于烧结的粉末。

公开(公告)号：WO2009116213A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/JP2008/072296

申请日：2008-12-09

Applicant: 日鉱金属株式会社 ,  福世 秀秋 ,  矢作 政隆 ,  山越 康廣 ,  高橋 秀行

Inventor： 福世 秀秋 ,  矢作 政隆 ,  山越 康廣 ,  高橋 秀行

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  G11B7/243 ,  G11B7/26 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00

CPC classification number: B22F3/1103 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/2433 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322

Abstract: 　下記（Ａ）の元素と（Ｂ）の元素とを含む焼結体ターゲットであって、焼結体ターゲット内に平均直径が１μｍ以上のポアが存在せず、当該ターゲット表面の４００００μｍ ２ 内に存在する平均直径１μｍ未満のマイクロポアが１００個以下であることを特徴とする焼結体ターゲット。 （Ａ）：Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅから選択したカルコゲナイド元素の一種以上 （Ｂ）：Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｎから選択したＶｂ族元素の一種以上。 　スパッタリング中のターゲットの脱粒やノジュールの発生源を消失させ、さらにパーティクルの発生を抑制する技術を提供する。　

Abstract translation: 公开了一种烧结靶，其包含下述元件（A）和（B），其中未形成平均直径为1μm以上的孔，并且其中平均直径小于1的100个或更少的微孔 每40000μm2的靶表面形成μm：（A）至少一种选自S，Se和Te的硫族化物元素; 和（B）选自Bi，Sb，As，P和N中的至少一种Vb族元素。可以提供用于消除溅射期间靶的颗粒滴落或结核的形成的原因的技术， 抑制颗粒的形成。

公开(公告)号：WO2005012591A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：PCT/JP2004/010361

申请日：2004-07-14

Applicant: 株式会社日鉱マテリアルズ ,  井上 明久 ,  木村 久道 ,  笹森 賢一郎 ,  矢作 政隆 ,  中村 篤志 ,  高橋 秀行

Inventor： 井上 明久 ,  木村 久道 ,  笹森 賢一郎 ,  矢作 政隆 ,  中村 篤志 ,  高橋 秀行

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C5/00 ,  C22C9/00 ,  C22C16/00 ,  C22C19/07 ,  C22C21/10 ,  C22C45/02 ,  C22C45/10 ,  C22F1/053

Abstract: 平均結晶子サイズが1nm～50nmの組織を備えている焼結体パッタリングターゲット、特に3元系以上の合金からなり、Zr、Pd、Cu、Co、Fe、Ti、Mg、Sr、Y、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、希土類金属から選択した少なくとも1元素を主成分とする焼結体スパッタリングターゲットに関し、該ターゲットを、アトマイズ粉を焼結することによって製造する。結晶組機が粗くコスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、焼結法による高密度の極微細で均一な組織を有するターゲットを得る。

Abstract translation: 具有平均微晶尺寸为1nm〜50nm的结构的烧结溅射靶，优选包含具有三个以上元素的合金，并且含有选自Zr，Pd，Cu中的至少一种元素作为主要成分， Co，Fe，Ti，Mg，Sr，Y，Nb，Mo，Tc，Ru，Rh，Ag，Cd，In，Sn，Sb，Te和稀土金属; 以及制造所述靶的方法，其包括烧结雾化粉末。 目标和方法提供具有高密度且通过烧结方法制造的极细和均匀结构的靶，代替通过快速冷却熔融金属制成的常规体积金属玻璃，其具有粗晶体 结构，需要高成本的生产。