放電プラズマ焼結用スペーサー、放電プラズマ焼結装置、及び放電プラズマ焼結方法
    5.
    发明申请
    放電プラズマ焼結用スペーサー、放電プラズマ焼結装置、及び放電プラズマ焼結方法 审中-公开
    用于放电等离子体烧结的间隔物,放电等离子体烧结装置和放电等离子体烧结法

    公开(公告)号:WO2018012332A1

    公开(公告)日:2018-01-18

    申请号:PCT/JP2017/024300

    申请日:2017-07-03

    摘要: 放電プラズマ焼結による破壊の発生を抑制して、その放電プラズマ焼結を安定的に行うことを可能にする炭化ケイ素スペーサーを提供する。 本発明に係る放電プラズマ焼結用スペーサーは、炭化ケイ素を含み、円錐台形状を有する炭化ケイ素スペーサー12である。この炭化ケイ素スペーサー12は、放電プラズマ焼結装置1において、シリンダー111と、パンチ112とを備える放電プラズマ焼結用成形型11のそのパンチ112と、パンチ112に圧力を印加する加圧ラム14との間に設置され、円錐台形状の小平面部21がパンチ112側に配置されて用いられる。また、小平面部21の直径(d s )は、パンチ112の直径(a)との比で、1≦d s /a≦1.5の関係を満たすように構成されることが好ましい。

    摘要翻译: 本发明提供一种碳化硅间隔件,其通过抑制由放电等离子体烧结引起的破裂的发生而能够稳定地进行放电等离子体烧结。 根据本发明的用于放电等离子体烧结的间隔件是包含碳化硅并且具有截头圆锥形状的碳化硅间隔件12。 放电等离子体烧结装置1中的碳化硅间隔物12包括具有气缸111和冲头112的放电等离子体烧结模具11的冲头112,用于向冲头112施加压力的加压压头14, 并且,截头圆锥形小平坦部21设置在冲头112侧并使用。 小平面部分21的直径(d s)是冲头112的直径(a)与1≤ds / a≤1.5的比值 为了满足以下关系。

    一种稀土永磁材料的制备方法
    6.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2017210957A1

    公开(公告)日:2017-12-14

    申请号:PCT/CN2016/089872

    申请日:2016-07-13

    摘要: 提供一种稀土永磁材料的制备方法,采用钕铁硼合金粉末,通过连续两次模压工艺制备钕铁硼磁体;在一次模压时需施加取向磁场,得到各向异性的钕铁硼生坯,在二次模压时通过加热加压,得到致密的钕铁硼磁体,而且磁体的尺寸接近最终产品的尺寸;并通过特殊的热处理工艺来提高磁体磁性能。其有益效果是:致密化温度低,可抑制晶粒长大,晶粒较烧结磁体细小,磁性能高;采用模压工艺,磁体尺寸接近最终成品的尺寸,材料利用率远高于传统烧结钕铁硼磁体;不需要专用快淬磁粉,不需要热变形,工艺简单,生产效率高,生产成本远低于热压/热变形磁体;磁性能高,最大磁能积达到200kJm ‑3 以上,远高于粘结钕铁硼磁体。

    ターゲット材
    10.
    发明申请
    ターゲット材 审中-公开
    目标材料

    公开(公告)号:WO2017018402A1

    公开(公告)日:2017-02-02

    申请号:PCT/JP2016/071807

    申请日:2016-07-26

    IPC分类号: C23C14/34 C22C27/04 B22F3/14

    CPC分类号: C22C27/04 B22F3/14 C23C14/34

    摘要: スパッタリング時のゲート電極の汚染を抑制し、且つ安定したTFT特性が得られるゲート電極を形成するためのターゲット材を提供する。 W、Nb、Ta、Ni、Ti、Crからなる群から選択される一または二以上の元素Mを合計で50原子%以下含有し、残部がMoおよび不可避的不純物からなるターゲット材において、不可避的不純物の一つであるKが0.4~20.0質量ppmであり、前記元素MとしてWを10~50原子%含有することが好ましい。

    摘要翻译: 本发明提供一种抑制溅射期间栅电极污染并用于形成能够实现稳定的TFT特性的栅电极的目标材料。 该目标材料含有选自W,Nb,Ta,Ni,Ti和Cr中的一种或多种元素M的总共50原子%以上,余量包含Mo和不可避免的杂质,其中, 作为不可避免的杂质之一的K优选为0.4〜20.0质量ppm,作为元素M的W的含量优选为10〜50原子%。