-
公开(公告)号:WO2018187900A1
公开(公告)日:2018-10-18
申请号:PCT/CN2017/079890
申请日:2017-04-10
Applicant: SHENZHEN UNIVERSITY
Inventor: LIU, Zhiyuan , CHEN, Peng , GUO, Dengji , GONG, Feng
CPC classification number: B22F9/002 , B22F1/0018 , B22F3/03 , B22F3/093 , B22F3/10 , B22F3/14 , B22F2202/01 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/04 , B22F9/02
Abstract: A system and a method for fabrication of bulk nanocrystal alloys are provided. The method includes subjecting powders of at least one material to an ultrasonic vibration at a first amplitude, heating the powders in response to the ultrasonic vibration at a first temperature elevating rate corresponding to the first amplitude, and treating the powders in a temperature range corresponding to the first temperature elevating rate, obtaining a bulk material composed of a plurality of crystal grains. The method may further include obtaining a bulk material with amorphous structure with sufficient temperature cooling rate.
-
公开(公告)号:WO2018117315A1
公开(公告)日:2018-06-28
申请号:PCT/KR2016/015296
申请日:2016-12-26
Applicant: 주식회사 에스제이테크
Abstract: 본 발명은 박육성형이 가능한 고열전도도 및 고강도 다이캐스팅용 알루미늄합금 조성물 및 그 제조방법에 대한 것으로서, 열전도도 140W/m·K 이상 및 인장강도 300MPa 이상을 구현하기 위하여 실리콘(Si), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 철(Fe), 구리(Cu) 및 나머지 알루미늄(Al)으로 이루어진 6대 금속원소만으로 구성되는 고열전도도 및 고강도 다이캐스팅용 알루미늄합금 조성물 및 그 제조방법에 대한 것이다.
-
公开(公告)号:WO2017100257A1
公开(公告)日:2017-06-15
申请号:PCT/US2016/065284
申请日:2016-12-07
Applicant: MIRUS LLC
Inventor: ROTH, Noah
CPC classification number: C22C1/045 , A61L27/047 , A61L27/34 , A61L29/02 , A61L29/085 , A61L31/022 , A61L31/10 , A61L2430/12 , C22C1/04 , C22C27/04 , C22C32/00 , C22C2026/002 , C22F1/18
Abstract: A metal device that is at least partially formed of a novel copper and tungsten alloy.
Abstract translation:
至少部分由新型铜和钨合金形成的金属装置。 p>
-
公开(公告)号:WO2017090481A1
公开(公告)日:2017-06-01
申请号:PCT/JP2016/083777
申请日:2016-11-15
Applicant: 田中貴金属工業株式会社 , 国立大学法人東北大学
CPC classification number: C22C1/04 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C5/04 , C22C19/07 , C23C14/34 , G11B5/851
Abstract: 保磁力Hcの大きい磁性薄膜を作製可能なスパッタリングターゲットを提供する。 金属Co、金属Pt、および酸化物を含有してなるスパッタリングターゲットであって、不可避的な不純物以外に金属Crを含まないスパッタリングターゲットであり、前記酸化物は、融点が600℃以下で、かつ、当該酸化物のO 2 1molあたりの標準生成ギブズ自由エネルギーΔGfが-1000kJ/mol O 2 以上-500kJ/mol O 2 以下である。
Abstract translation: 提供能够制造具有大矫顽力Hc的磁性薄膜的溅射靶。 金属钴,包含金属Pt和氧化物,不含金属的Cr除了不可避免的杂质的溅射靶,其中所述氧化物是600℃或更低的熔点的溅射靶,和, 0 <子> 2 子>每1mol的自由能ΔGf标准吉布斯是-1000kJ /摩尔0 <子> 2 子>或-500kJ / mol的0 <子> 2的氧化物的子> 或更少。 p>
-
公开(公告)号:WO2017079091A1
公开(公告)日:2017-05-11
申请号:PCT/US2016/059781
申请日:2016-10-31
Applicant: VELO3D, INC.
Inventor: BULLER, Benyamin , MILSHTEIN, Erel , LAPPAS, Tasso , SYMEONIDIS, Kimon , MENDELSBERG, Rueben , BREZOCZKY, Thomas, Blasius , SEELINGER, Sherman , LEVIN, Evgeni , KOREPANOV, Sergey
CPC classification number: B33Y10/00 , B22F3/1055 , B22F2003/1056 , B22F2003/1057 , B23K15/0086 , B23K15/02 , B23K26/0884 , B23K26/342 , B23K26/702 , B28B1/001 , B28B17/0081 , B29C64/153 , B29C64/20 , B29C64/393 , B29C2071/025 , B29K2105/251 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , C22C1/04 , C22C33/02 , G05B19/4099 , G05B2219/35134 , G05B2219/49007 , G06F17/50 , Y02P10/295
Abstract: The present disclosure provides three-dimensional (3D) printing methods, apparatuses, systems, and non-transitory computer-readable medium. The disclosure delineates real time manipulation of three-dimensional printing to reduce deformation. The present disclosure further provides 3D object formed using the methods, apparatuses, and systems.
Abstract translation: 本公开提供了三维(3D)打印方法,设备,系统和非临时性计算机可读介质。 本公开描绘了三维印刷的实时操纵以减少变形。 本公开还提供使用所述方法,装置和系统形成的3D对象。 p>
-
-
公开(公告)号:WO2016152908A1
公开(公告)日:2016-09-29
申请号:PCT/JP2016/059165
申请日:2016-03-23
Applicant: テルモ株式会社
Abstract: 亜鉛およびマグネシウムを含む焼結体の押出加工により得られる亜鉛系合金からなる、医療用インプラントにより、腐食速度をコントロールでき、かつ機械的特性(特に延性)に優れた医療用インプラントが提供される。
Abstract translation: 一种医用植入物,其包含通过挤压加工含有锌和镁的烧结材料制成的锌基合金。 提供具有受控的腐蚀速率和优异的机械性能(特别是延展性)的医用植入物。
-
公开(公告)号:WO2016110929A1
公开(公告)日:2016-07-14
申请号:PCT/JP2015/006499
申请日:2015-12-28
Applicant: セイコーエプソン株式会社
Abstract: 高密度の焼結体を製造可能な粉末冶金用金属粉末、コンパウンドおよび造粒粉末、ならびに前記粉末冶金用金属粉末を用いて製造された高密度の焼結体および装飾品を提供すること。 本発明の粉末冶金用金属粉末は、Coが主成分であり、Crが16質量%以上35質量%以下の割合で含まれ、Siが0.3質量%以上2.0質量%以下の割合で含まれ、Ti、V、Y、Zr、Nb、HfおよびTaからなる群から選択される1種の元素を第1元素とし、前記群から選択される1種の元素であって元素周期表における族が前記第1元素より大きい元素または元素周期表における族が前記第1元素と同じでかつ周期が前記第1元素より大きい元素を第2元素としたとき、前記第1元素が0.01質量%以上0.5質量%以下の割合で含まれ、前記第2元素が0.01質量%以上0.5質量%以下の割合で含まれていることを特徴とする。
Abstract translation: 提供:能够生产高密度烧结物体的粉末冶金用金属粉末,化合物和造粒粉末; 以及使用粉末冶金用金属粉末制造的高密度烧结体和装饰品。 该粉末冶金用金属粉末的特征在于,Co为主成分,Cr为16〜35质量%,Si为0.3〜2.0质量%的比例含有, 由Ti,V,Y,Zr,Nb,Hf和Ta组成的元素作为第一元素,当作为选自所述基团的一种元素的元素或者属于元素周期表中的元素的元素比第一元素 或属于与第一元素相同的元素周期表中的第一元素的元素,并且与第一元素相比较,该元素的后续期间作为第二元素,则第一元素以0.01-0.5质量%的比例包含,第二元素 以0.01-0.5质量%的比例含有。
-
公开(公告)号:WO2016090052A1
公开(公告)日:2016-06-09
申请号:PCT/US2015/063540
申请日:2015-12-02
Applicant: UNIVERSITY OF UTAH RESEARCH FOUNDATION
Inventor: FANG, Zhigang, Zak , XIA, Yang , SUN, Pei , ZHANG, Ying
CPC classification number: B22F1/0088 , B22F1/0014 , B22F1/0085 , B22F9/20 , B22F2201/013 , B22F2201/11 , B22F2301/205 , B22F2304/10 , B22F2304/15 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22B34/00 , C22B34/1268 , C22B34/1286 , C22B34/1295 , C22C1/04 , C22C14/00 , C22C27/02 , B22F2201/01
Abstract: Methods of removing oxygen from a metal are described. In one example, a method (100) can include forming a mixture (110) including a metal, a calcium de-oxygenation agent, and a salt. The mixture can be heated (120) at a de-oxygenation temperature for a period of time to reduce an oxygen content of the metal, thus forming a de-oxygenated metal. The de-oxygenation temperature can be above a melting point of the salt and below a melting point of the calcium de-oxygenation agent. The de-oxygenated metal can then be cooled (130). The de-oxygenated metal can then be leached with water and acid to remove by-products and obtain a product (140).
Abstract translation: 描述了从金属中除去氧气的方法。 在一个实例中,方法(100)可以包括形成包括金属,脱钙氧化剂和盐的混合物(110)。 可以在脱氧温度下将混合物加热(120)一段时间以降低金属的氧含量,从而形成脱氧金属。 脱氧温度可以高于盐的熔点并低于钙脱氧剂的熔点。 然后可以将去氧化的金属冷却(130)。 然后可以用水和酸浸出脱氧金属以除去副产物并获得产物(140)。
-
公开(公告)号:WO2016031974A1
公开(公告)日:2016-03-03
申请号:PCT/JP2015/074465
申请日:2015-08-28
Applicant: 三菱マテリアル株式会社 , ソーラーフロンティア株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C1/04 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22F1/00 , C23C14/3414
Abstract: フッ素を除く金属成分として、Ga:5原子%以上60原子%以下、K:0.01原子%以上5原子%以下を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる組成を有し、波長分離型X線検出器による原子マッピング像において、CuとGaとKとFとを含有するCu-Ga-K-F領域が存在するCu-Gaスパッタリングターゲットを提供する。
Abstract translation: 提供一种Cu-Ga溅射靶,其具有含有5-60at%Ga和0.01-5at%K的作为其非氟金属成分的组成,其余为Cu和不可避免的杂质。 在通过波长色散X射线光谱法获得的原子映射图中,Cu-Ga溅射靶具有包含Cu,Ga,K和F的Cu-Ga-K-F区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-