公开(公告)号：WO2009113659A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：PCT/JP2009/054873

申请日：2009-03-13

申请人： 昭和電工株式会社 ,  岡部 健彦 ,  平岩 大介 ,  中田 正人 ,  三木 久幸 ,  福永 修大 ,  篠原 裕直

发明人： 岡部 健彦 ,  平岩 大介 ,  中田 正人 ,  三木 久幸 ,  福永 修大 ,  篠原 裕直

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 　本発明の半導体発光素子は、基板（１０１）と、前記基板（１０１）上に形成されてなる発光層（１０５）を含む積層半導体層（２０）と、前記積層半導体層（２０）の上面に形成された透光性電極（１０９）と、前記透光性電極（１０９）上に形成された接合層（１１０）及びボンディングパッド電極（１０７）とを具備し、前記ボンディングパッド電極（１０７）は、透光性電極（１０９）側から順次積層された金属反射層（１０７ａ）とボンディング層（１０７ｃ）とを含む積層構造からなり、前記金属反射層（１０７ａ）は、Ａｇ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される１種の金属又は当該金属を含む合金からなる。

摘要翻译： 公开了一种半导体发光器件，其包括基板（101），形成在基板（101）上并包括发光层（105）的多层半导体结构（20），形成在 多层半导体结构（20）的上表面，以及形成在透光电极（109）上的接合层（110）和接合焊盘电极（107）。 接合焊盘电极（107）具有包括从透光电极（109）侧依次布置的金属反射层（107a）和接合层（107c）的多层结构，金属反射层（107a）由 选自Ag，Al，Ru，Rh，Pd，Os，Ir和Pt的金属或含有金属的合金。

公开(公告)号：WO2007119619A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：PCT/JP2007/057159

申请日：2007-03-30

申请人： 昭和電工株式会社 ,  大澤 弘 ,  篠原 裕直

发明人： 大澤 弘 ,  篠原 裕直

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/007

摘要： 発光特性、及び光取り出し効率に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法およびランプが提供される。そのような窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法では、 凹凸形状が施された透光性を有する基板上に、少なくともバッファー層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を有するＧａＮ系半導体発光素子の製造方法において、前記バッファー層を揺動式マグネトロン磁気回路を有するスパッタ装置を用いたスパッタ法により成膜する。また、前記バッファー層をＡｌＮ、ＺｎＯ、Ｍｇ、Ｈｆで形成する。

摘要翻译： 提供一种具有优异的发光特性和光提取效率的氮化镓化合物半导体发光元件的制造方法。 还提供灯。 通过这种方法，制造了具有不均匀形状和半透明性的基板上至少具有缓冲层，n型半导体层，发光层和p型半导体层的GaN半导体发光元件。 缓冲层通过使用具有摆动型磁控管磁路的溅射装置的溅射法形成。 此外，缓冲层由AlN，ZnO，Mg和Hf形成。

公开(公告)号：WO2007069651A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：PCT/JP2006/324856

申请日：2006-12-13

申请人： 昭和電工株式会社 ,  福永 修大 ,  篠原 裕直 ,  大澤 弘

发明人： 福永 修大 ,  篠原 裕直 ,  大澤 弘

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要：   　 　高い光取り出し効率を得るとともに、駆動電圧（Ｖｆ）を低くした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が提供される。そのような窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、 当該窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面のドーパント濃度が、前記透光性導電酸化膜のバルクのドーパント濃度よりも高濃度とされている構成とし、前記ｐ型半導体層と透光性導電酸化膜との接触抵抗を小さくしている。

摘要翻译： 公开了一种具有高光提取效率和低驱动电压（Vf）的氮化镓化合物半导体发光器件。 具体公开了一种氮化镓化合物半导体发光器件，其中含有掺杂剂的透光导电氧化物膜被布置在p型半导体层上。 在该氮化镓系化合物半导体发光元件中，将p型半导体层与透光性导电氧化物膜的界面处的掺杂浓度设定为高于透光性导电氧化物膜的体掺杂浓度， 降低p型半导体层与透光导电氧化物膜之间的接触电阻。

公开(公告)号：WO2007069590A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：PCT/JP2006/324733

申请日：2006-12-12

申请人： 昭和電工株式会社 ,  篠原 裕直 ,  大澤 弘

发明人： 篠原 裕直 ,  大澤 弘

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 　光取り出し効率に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法が提供される。そのような窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、 基板１１上に窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型半導体層１３、発光層１４およびｐ型半導体層１５がこの順序で積層され、該ｐ型半導体層１５上に透光性正極１６が積層されるとともに該透光性正極１６上に正極ボンディングパッド１７が設けられ、ｎ型半導体層１３上に負極ボンディングパッド１８が設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、透光性正極１６の表面１６ａの少なくとも一部に無秩序な凹凸面が形成されてなる。

摘要翻译： 公开了具有优异的光提取效率的氮化镓化合物半导体发光器件，以及制造这种氮化镓化合物半导体发光器件的方法。 具体公开了一种氮化镓化合物半导体发光器件，其中，由氮化镓化合物半导体，发光层（14）和p型半导体层（15）构成的n型半导体层（13） 在基板（11）上。 在p型半导体层（15）上配置有透光正极（16），在透光性正极（16）上形成正极焊盘（17），同时将负极接合焊盘 18）形成在n型半导体层（13）上。 在该氮化镓系化合物半导体发光元件中，透光性正极（16）的表面（16a）至少部分具有不规则的粗糙面。

公开(公告)号：WO2009093683A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/JP2009/051062

申请日：2009-01-23

申请人： 昭和電工株式会社 ,  篠原 裕直 ,  福永 修大 ,  横山 泰典

发明人： 篠原 裕直 ,  福永 修大 ,  横山 泰典

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 　本発明は、基板（１１）上に、化合物半導体からなるｎ型半導体層（１２）、発光層（１３）及びｐ型半導体層（１４）がこの順で積層され、さらに、導電型透光性電極からなる正極（１５）及び導電型電極からなる負極（１７）を備えてなり、正極（１５）をなす導電型透光性電極は六方晶構造を有するＩｎ ２ Ｏ ３ なる組成の結晶を含む透明導電膜であることを特徴とする化合物半導体発光素子を提供する。

摘要翻译： 本发明提供一种具有n型半导体层（12）的化合物半导体发光元件，该n型半导体层（12）依次层叠有化合物半导体，发光层（13）和p型半导体层（14） 基板（11），包括导电性透光性电极的正极（15）和包括导电电极的负极（17），构成所述正极（15）的导电性透光性电极为包含晶体的透光性导电膜 具有六方晶系结构的In 2 O 3组成。

公开(公告)号：WO2008081717A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：PCT/JP2007/074411

申请日：2007-12-19

申请人： 昭和電工株式会社 ,  篠原 裕直 ,  酒井 浩光

发明人： 篠原 裕直 ,  酒井 浩光

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 　本発明の目的は、内部量子効率および光取り出し効率に優れた発光素子の形成に好適に使用できる結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体層の得られる製造方法を提供することである。本発明によれば、基板１０１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層１０３を形成するＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法において、基板１０１の（０００１）Ｃ面上に前記Ｃ面に非平行の表面１２ｃからなる複数の凸部１２を形成することにより、前記基板１０１上に前記Ｃ面からなる平面１１と前記凸部１２とからなる上面１０を形成する基板加工工程と、前記上面１０上に前記ＩＩＩ族窒化物半導体層１０３をエピタキシャル成長させて、前記凸部１２を前記ＩＩＩ族窒化物半導体層１０３で埋めるエピ工程とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層１０３の製造方法とする。

摘要翻译： 公开了一种制备具有优异结晶度的III族氮化物半导体层的方法，该方法可适用于形成具有优异的内量子效率和光提取效率的发光器件。 具体公开的是在基板（101）上制造单晶III族氮化物半导体层（103）的方法，其包括基板处理步骤，其中由不与（0001）平行的表面12c组成的多个突出部分（12） 在（0001）C面上形成基板（101）的C面，由此形成由（0001）C面和凸部（...）构成的平面（11）构成的上表面（10） 12）; 以及用于在上表面（10）上外延生长III族氮化物半导体层（103）的外延步骤，从而将突出部分（12）嵌入III族氮化物半导体层（103）中。

公开(公告)号：WO2007108532A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：PCT/JP2007/056007

申请日：2007-03-23

申请人： 昭和電工株式会社 ,  篠原 裕直 ,  村木 典孝 ,  大澤 弘

发明人： 篠原 裕直 ,  村木 典孝 ,  大澤 弘

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 光取り出し効率に優れ、且つ低い駆動電圧で動作可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が得られる製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプが提供される。そのような窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法は、 基板１１上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型半導体層１３、発光層１４および第１のｐ型半導体層１５をこの順序で積層する第１の結晶成長工程と、さらに窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２のｐ型半導体層１６を積層する第２の結晶成長工程とを含み、前記第１の結晶成長工程と第２の結晶成長工程との間に、第１のｐ型半導体層１５表面に凹凸を形成する凹凸形成工程と、該凹凸形成工程の後に熱処理を行う熱処理工程とが備えられた製造方法としている。

摘要翻译： 公开了一种能够以低驱动电压工作的氮化镓系化合物半导体发光装置的制造方法，同时具有优异的光提取效率。 还公开了一种氮化镓化合物半导体发光器件和使用其的灯。 具体公开了一种用于制造氮化镓系化合物半导体发光器件的方法，该方法包括：第一晶体生长步骤，其中由氮化镓化合物半导体构成的n型半导体层（13），发光层（14） 并且在基板（11）上依次形成第一p型半导体层（15），以及第二晶体生长步骤，其中进一步形成由氮化镓系化合物半导体构成的第二p型半导体层（16） 在其上。 该方法还包括在第一晶体生长步骤和第二晶体生长步骤之间，在第一p型半导体层（15）的表面上形成凹凸的波纹形成步骤和用于进行热处理的热处理步骤 波纹形成步骤后的处理。