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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ODER EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP
    2.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ODER EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019068522A1

    公开(公告)日：2019-04-11

    申请号：PCT/EP2018/076012

    申请日：2018-09-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENZMANN, Roland Heinrich ,  ZINI, Lorenzo ,  EICHINGER, Vanessa ,  BRENDT, Jochen

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/14 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/14 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

    Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (10) mit einem Träger (1) und einem darauf angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben. Der Halbleiterkörper weist eine dem Träger zugewandte erste Halbleiterschicht (21), eine dem Träger abgewandte zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende aktive Zone (23) auf. Zumindest eine zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht eingerichtete Stromaufweitungsschicht (32) ist zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper angeordnet. Bevorzugt weist die Stromaufweitungsschicht eine vertikale Schichtdicke (D32) von mindestens 500 nm auf. Eine zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht eingerichtete Metallschicht (5) ist zwischen dem Träger und der Stromaufweitungsschicht angeordnet, wobei die Metallschicht die Stromaufweitungsschicht vollständig bedeckt. Eine Isolierungsschicht (4) ist in vertikaler Richtung zwischen der Stromaufweitungsschicht und der Metallschicht angeordnet, wobei die Isolierungsschicht die Stromaufweitungsschicht vollständig bedeckt, sodass die Metallschicht von der Stromaufweitungsschicht elektrisch isoliert ist. Insbesondere weist der Isolierungsschicht (4) oder die Metallschicht (5) eine dem Halbleiterkörper abgewandte planarisierte Oberfläche (4B, 5B) auf. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines oder einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.

    彩色微发光二极管阵列基板的制作方法
    4.
    发明申请
    彩色微发光二极管阵列基板的制作方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018214205A1

    公开(公告)日：2018-11-29

    申请号：PCT/CN2017/089265

    申请日：2017-06-20

    Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

    Inventor： 陈黎暄

    IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

    CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L33/0095

    Abstract: 本发明提供一种彩色微发光二极管阵列基板的制作方法，通过在接受基板上制作多个分别为不同颜色的单色微发光二极管阵列而形成彩色微发光二极管阵列，其中对于每一颜色的单色微发光二极管阵列的制作，结合绑定技术与激光脱落技术，选择性地在供给基板上特定区域的微发光二极管上形成金属电极，从而选择性地将该特定区域的微发光二极管绑定在接受基板上，并选择性的对该特定区域的微发光二极管进行激光照射，从而使该特定区域的微发光二极管经过绑定以及激光退火后与供给基板分离，在接受基板上形成单色微发光二极管阵列，进而实现了接受基板上不同颜色的单色微发光二极管阵列的制作，且制作方法简单易行。

    KONVERTERVORRICHTUNG MIT EINEM LEUCHTSTOFFELEMENT
    5.
    发明申请
    KONVERTERVORRICHTUNG MIT EINEM LEUCHTSTOFFELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018172150A1

    公开(公告)日：2018-09-27

    申请号：PCT/EP2018/056328

    申请日：2018-03-14

    Applicant: OSRAM GMBH

    Inventor： SORG, Joerg

    IPC: H01L33/50 ,  G01N27/22 ,  G01N27/24 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/50 ,  G01N27/22 ,  G01N27/24 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/507

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Konvertervorrichtung (1) mit einem Leuchtstoffelement (2) zur Konversion einer Pumpstrahlung (4) in eine Konversionsstrahlung (6), einer ersten Elektrode (7) und einer zweiten Elektrode (8), wobei die erste Elektrode (7) und die zweite Elektrode (8) derart ausgebildet und um das Leuchtstoffelement (2) angeordnet sind, dass sie einen Kondensator bilden, sodass eine mechanische Integrität des Leuchtstoffelements (2) als Dielektrikum des Kondensators durch eine Kapazitätsmessung überwacht werden kann.

    VERFAHREN ZUM TRANSFERIEREN VON HALBLEITERCHIPS UND TRANSFERWERKZEUG
    6.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM TRANSFERIEREN VON HALBLEITERCHIPS UND TRANSFERWERKZEUG 审中-公开
    转移半导体芯片和转移工具的方法

    公开(公告)号：WO2018077961A1

    公开(公告)日：2018-05-03

    申请号：PCT/EP2017/077331

    申请日：2017-10-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  SINGER, Frank

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/67 ,  H01L23/00 ,  H05K13/04

    CPC classification number: H01L24/97 ,  B65G47/90 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Ein Verfahren zum Transferieren von Halbleiterchips umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Transferwerkzeugs mit einer Mehrzahl von Segmenten, wobei jedes Segment einen Flüssigkeitsaufnahmebereich aufweist, zum Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips in einer regelmäßigen Anordnung auf einem Quellträger, zum Bereitstellen eines Zielträgers, zum selektiven Anordnen von Flüssigkeitstropfen an den Flüssigkeitsaufnahmebereichen von zumindest einigen der Segmente, zum Annähern des Transferwerkzeugs an den Quellträger, wobei jeder Flüssigkeitstropfen mit einem Halbleiterchip in Kontakt gerät und diesen benetzt, zum Abheben des Transferwerkzeugs von dem Quellträger, wobei durch Flüssigkeitstropfen benetzte Halbleiterchips mit dem Transferwerkzeug von dem Quellträger abgehoben werden, zum Annähern des Transferwerkzeugs an den Zielträger, wobei die an dem Transferwerkzeug angeordneten Halbleiterchips in Kontakt mit dem Zielträger geraten, und zum Abheben des Transferwerkzeugs von dem Zielträger, wobei die mit dem Zielträger in Kontakt geratenen Halbleiterchips an dem Zielträger verbleiben.

    Abstract translation:

    转移的半导体芯片的方法包括提供具有多个节段的转移工具的步骤，具有FL导航用途每段具有ssigkeitsaufnahmebereich，对在常规BEAR ROAD强度排列提供多个半导体芯片 一个Quelltr＆AUML; GER，用于提供Zieltr＆AUML;热尔，对于ssigkeitstropfen到的至少一些区段，为安＆AUML的FL导航用途ssigkeitsaufnahmebereichen选择性地将FL导航用途;埃尔南德斯转印工具向Quelltr＆AUML的; GER，每个FL导航用途ssigkeitstropfen有半导体芯片 GER接触BEAR t与此润湿，用于提升来自Quelltr＆AUML转移工具; GER，其中，由FL导航用途ssigkeitstropfen与Quelltr＆AUML的转移工具润湿半导体芯片; GER解除，为安＆AUML;埃尔南德斯转印工具向Zieltr＆AUML的; GER，其中 Halbl安排在转移工具上 与Zieltr BEAR下降GER接触脓芯片，并且解除从Zieltr＆AUML转移工具; GER，其中与所述Zieltr＆AUML亨特钻进与半导体芯片到Zieltr BEAR GER接触时能保持

    BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS
    8.
    发明申请
    BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开
    COMPONENT和方法的用于制造部件

    公开(公告)号：WO2017032771A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：PCT/EP2016/069890

    申请日：2016-08-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BEHR, Barbara ,  WENDT, Mathias ,  ZENGER, Marcus

    IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Bauelement (100) aufweisend eine erste Komponente (1), eine zweite Komponente (2), ein Verbindungselement (3), das direkt zwischen der ersten Komponente (1) und der zweiten Komponente (2) angeordnet ist, wobei das Verbindungselement (3) zumindest ein erstes Metall (Me1) aufweist, das als eine Haftschicht (4) ausgeformt ist, die direkt an der ersten Komponente (1) und/oder zweiten Komponente (2) angeordnet ist, das als Diffusionsbarriere (5) ausgeformt ist, das Bestandteil einer ersten Phase (31) und/oder einer zweiten Phase (32) des Verbindungselements (3) ist, wobei die erste und/oder zweite Phase (31, 32) jeweils neben dem ersten Metall (Me1) noch weitere von dem ersten Metall verschiedene Metalle umfasst, wobei die Konzentration (c11) des ersten Metalls (Me1) in der ersten Phase (31) größer ist als die Konzentration (c25) des ersten Metalls (Me1) in der zweiten Phase (32).

    Abstract translation: 本发明涉及包含第一组分（1），（2），连接元件（3）直接在第一部件（1）之间和所述第二部件（2）被布置在第二组件的组件（100），其中，所述 连接元件至少（1）和/或（5）（3）形成的第一金属（ME1），其形成为被直接设置在所述第一部件上的粘合剂层（4）的第二部件（2）充当扩散阻挡 是一个第一阶段（31）和/或所述连接元件（3），第二阶段（32）的那部分，其中所述第一和/或第二相（31，32）分别邻近第一金属（ME1），进一步的 第一金属包含各种金属，其中所述第一金属的在所述第一阶段（31）中的浓度（C11）（ME1）比在第二阶段（32）的第一金属（ME1）的浓度（C25）更大。

    TRANSFERRING METHOD, MANUFACTURING METHOD, DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS OF MICRO-LED
    10.
    发明申请
    TRANSFERRING METHOD, MANUFACTURING METHOD, DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS OF MICRO-LED 审中-公开
    MICRO-LED的传输方法，制造方法，器件和电子设备

    公开(公告)号：WO2017008254A1

    公开(公告)日：2017-01-19

    申请号：PCT/CN2015/083990

    申请日：2015-07-14

    Applicant: GOERTEK. INC

    Inventor： ZOU, Quanbo ,  WANG, Zhe

    IPC: H01L33/32

    CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

    Abstract: A transferring method, a manufacturing method, a device and an electronic apparatus of micro-LED are disclosed. The method for transferring micro-LED comprises: forming micro-LEDs (505, 506, 507) on a laser-transparent original substrate (406), wherein the micro-LEDs (505, 506, 507) are lateral micro-LEDs (505, 506, 507) whose P electrodes (505p, 506p, 507p) and N electrodes (505n, 506n, 507n) are located on one side; bringing the P electrodes (505p, 506p, 507p) and N electrodes (505n, 506n, 507n) of the lateral micro-LEDs (505, 506, 507) into contact with pads (515, 516, 517) preset on a receiving substrate (504); and irradiating the original substrate (406) with laser (413) from the original substrate (406) side to lift-off the lateral micro-LEDs (505, 506, 507) from the original substrate (406). A technical effect of using lateral micro-LEDs lies in that the processing for N metal electrode after the micro-LED transfer can be omitted.

    Abstract translation: 公开了一种微型LED的转印方法，制造方法，装置和电子装置。 用于转移微型LED的方法包括：在激光透明原始衬底（406）上形成微型LED（505,506,507），其中微型LED（505,506,507）是侧向微型LED（505 ，506p，507p）和N电极（505n，506n，507n）位于一侧; 使外侧微型LED（505,506,507）的P电极（505p，506p，507p）和N电极（505n，506n，507n）与预置在接收基板上的焊盘（515,516,571）接触 （504）; 并从原始基板（406）侧用激光器（413）照射原始基板（406），以从原始基板（406）上取下侧面微型发光二极管（505,506,507）。 使用横向微型LED的技术效果在于可以省略在微型LED传输之后的N金属电极的处理。

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