公开(公告)号：WO2008041558A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：PCT/JP2007/068567

申请日：2007-09-25

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  周藤 賢治

Inventor： 周藤 賢治

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/544 ,  H01L51/001 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

Abstract: 蒸着装置１０は、第１の処理容器１００と第２の処理容器２００とを有し、第１の処理容器１００に内蔵された吹き出し器１１０と第２の処理容器２００に内蔵された蒸着源２１０とは、連結管２２０を介して互いに連結される。第１の処理容器１００には、その内部を所望の真空度にまで排気する排気機構が接続される。蒸着源２１０により気化された有機分子は、連結管２２０を介して吹き出し器１１０から吹き出され、基板Ｇ上に吸着し、これにより基板Ｇ上に薄膜が形成される。第２の処理容器２００と第１の処理容器１００とを別体にて設けることにより、成膜材料補充時、第１の処理容器１００内を大気に開放することがないため、排気効率を上げることができる。

Abstract translation: 蒸镀装置（10）具有第一处理容器（100）和第二处理容器（200）。 并入第一处理容器（100）中的喷口（110）和并入第二处理容器（200）中的气相沉积源（21）通过连接管（220）相互连接，连接到第一处理容器（100） 用于在容器内抽吸真空的气体排出机构，由气相沉积源（210）蒸发的有机分子从喷口（110）喷出并粘附在基板（G）上以在基板上形成薄膜 （G），由于第二处理容器（200）和第一处理容器（100）作为分离体彼此设置，所以第一处理容器（100）的内部不释放到大气中，从而增加气体排出 效率。

公开(公告)号：WO2008038821A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：PCT/JP2007/069167

申请日：2007-10-01

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  周藤 賢治 ,  生田 浩之 ,  吹上 紀明

Inventor： 周藤 賢治 ,  生田 浩之 ,  吹上 紀明

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243 ,  C23C14/544 ,  H01L51/001 ,  H01L51/50 ,  Y10T29/49

Abstract: 蒸着装置１０は、蒸着源２１０と輸送路１１０ｅ２１と吹き出し容器１１０と第１の処理容器１００とを有する。輸送路１１０ｅ２１は、連結路２２０ｅを介して蒸着源２１０に連結され、蒸着源２１０にて気化された成膜材料を輸送する。吹き出し口１１０ｅ１１は、メタルポーラスにて形成され、輸送路１１０ｅ２１を介して緩衝空間Ｓを通過した成膜材料を吹き出す。第１の処理容器１００は、吹き出された成膜材料により被処理体Ｇ上に成膜処理を施す。メタルポーラスから均一性の高い気体分子が放出されることにより、被処理体Ｇと吹き出し口１１０ｅ１との間隔を短くすることができる。

Abstract translation: 沉积设备（10）设置有沉积源（210），输送路径（110e21），吹出容器（110）和第一处理容器（100）。 传送路径（110e21）通过连接路径（220e）连接到沉积源（210），并且传送在沉积源（210）处蒸发的成膜材料。 出口（110e11）由金属多孔材料形成，并且通过传送路径（110e21）吹出通过缓冲空间（S）的成膜材料。 在第一处理容器（100）中，通过使用吹出成膜材料在被加工物（G）上形成膜。 由于高度均匀的气体分子从金属多孔材料排出，所以被检体（G）和出口（110e1）之间的间隙可能很短。

公开(公告)号：WO2008093726A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：PCT/JP2008/051395

申请日：2008-01-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  周藤 賢治

Inventor： 周藤 賢治

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/22 ,  B01B1/005 ,  C23C14/562

Abstract: 【課題】クロスコンタミネーションを低減させながら、同一処理容器内にて複数層の膜を連続的に形成する。 【解決手段】蒸着装置１０は、収納された異なる成膜材料をそれぞれ気化させる複数の蒸着源２１０と、複数の蒸着源２１０にて気化された成膜材料を吹き出し口Ｏｐから吹き出す複数の吹き出し機構１１０と、隣り合う吹き出し機構１１０を仕切る１または２以上の隔壁１２０と、有している。１または２以上の隔壁１２０は、各隔壁１２０から基板ＷまでのギャップＧ、各吹き出し口Ｏｐから各隔壁１２０の上面までの高さＴ、各隔壁の厚みＤおよび各蒸着源２１０の中心位置から各隔壁１２０の中心位置までの距離Ｅの関係が、Ｅ＜（Ｇ＋Ｔ）×Ｄ×Ｇ／２となるようにそれぞれ配設される。また、成膜材料の最長飛距離は、成膜材料の平均自由工程よりも短くなるように蒸着装置１０の内部圧力を０．０１Ｐａ以下に制御する。

Abstract translation: [问题]通过减少交叉污染在相同的处理容器中连续地形成多层膜。 解决问题的手段沉积装置（10）具有用于蒸发存储的各种成膜材料的多个沉积源（210） 用于从吹出口（Op）吹出由沉积源（210）蒸发的成膜材料的多个吹出机构（110）; 以及一个或多个用于分隔相邻吹出机构（110）的分隔壁（120）。 一个或多个分隔壁（120）被布置成满足E <（G + T）×D×G / 2的不等式，其中，G是从每个分隔壁（120）到基板（W）的间隙，T是 从每个排出口（Op）到每个分隔壁（120）的上表面的高度，D是每个分隔壁的厚度，E是每个沉积源（210）的中心位置与中心位置之间的距离 的每个分隔壁（120）。 将沉积设备（10）的内部压力控制在0.01Pa以下，使得成膜材料的最长飞行距离设定为短于成膜材料的平均自由程。

公开(公告)号：WO2008078691A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/JP2007/074688

申请日：2007-12-21

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  周藤 賢治

Inventor： 周藤 賢治

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/02 ,  H01L51/50

CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/021 ,  C23C14/246 ,  C23C14/568 ,  H01L51/5206

Abstract: 【課題】有機材料を劣化させずにＩＴＯ表面に密着して有機膜を形成する。 【解決手段】基板Ｇは、前処理室ＣＭにて前処理としてクリーニングされている。バルブ３００を閉じることにより、有機材料が収納された空間は、処理容器ＰＭ１により画定された空間から遮断される。遮断後、クリーニング装置は、処理容器ＰＭ１内にて基板ＧのＩＴＯ表面を最終クリーニングする。最終クリーニング後、バルブ３００を開くことにより、有機材料が収納された空間は基板Ｇをクリーニングした空間と連通する。連通後、収納された有機材料を気化させ、気化させた有機材料を有機材料が収納された空間から基板Ｇをクリーニングする空間に吹き出させる。これにより、基板Ｇをクリーニングした処理容器ＰＭ１と同一の処理容器内にてクリーニングされた基板ＧのＩＴＯ表面にホール輸送層（第１層の有機膜）を密着して形成する。

Abstract translation: [问题]在不损害有机材料的前提下，与ITO表面紧密接触形成有机膜。 解决问题的手段将基板（G）作为预处理室（CM）进行清洗。 在关闭阀（300）时，包含有机材料的空间被屏蔽在由处理容器（PM1）限定的空间中。 在清洁装置中，在屏蔽之后，基板（G）中的ITO的表面在处理容器（PM1）内进行最终清洁。 在最终清洁之后，阀（300）被打开以将包含有机材料的空间与衬底（G）已被清洁的空间连通。 在通信之后，储存的有机材料被蒸发，并且将蒸发的有机材料从包含有机材料的空间吹送到清洁基板（G）的空间中。 根据上述结构，在清洁基板（G）中与用于清洁的同一处理容器（PM1）中的ITO的表面形成空穴传输层（作为第一层的有机膜）并与其紧密接触 基板（G）。