公开(公告)号：WO2013087338A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：PCT/EP2012/072677

申请日：2012-11-15

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  BURGER, Kurt ,  DORFMUELLER, Lutz ,  SCHNEIDER, Guenter ,  WALTHER, Benjamin ,  KNIPRATH, Rolf

Inventor： BURGER, Kurt ,  DORFMUELLER, Lutz ,  SCHNEIDER, Guenter ,  WALTHER, Benjamin ,  KNIPRATH, Rolf

IPC: C23C14/54

CPC classification number: C23C14/544

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung (10) zum Beschichten eines Substrats (12), umfassend eine Beschichtungskammer (18) und wenigstens zwei an jeweils gegenüberliegenden Seiten der Beschichtungskammer derart angeordnete Strahlungsöffnungen (20, 22) aufweist, dass ein Lichtstrahl (24) durch die Strahlungsöffnungen (20, 22) einen Beschichtungskegel (14) zwischen Verdampfungsbehälter (16) und Substrat (12) durchstrahlt. Wenigstens zwei Spiegelkammern (26, 28), sind jeweils außerhalb der Beschichtungskammer (18) angeordnet und weisen jeweils eine Öffnung (30, 32) auf, die mit einer Strahlungsöffnung (20, 22) verbunden ist. In jeder der Spiegelkammern ist ein Kammerspiegel (34, 36) derart ausgerichtet, dass der Lichtstrahl zwischen den in unterschiedlichen Spiegelkammern angeordneten Kammerspiegeln einkoppelbar ist. Wenigstens ein Kammerspiegel ist teildurchlässig. Wenigstens ein Detektor (44, 46, 48) detektiert den aus den Kammerspiegeln ausgekoppelten Lichtstrahl. Eine derartige Anordnung (10) erlaubt eine genaue Ermittlung der Dampfdichte in der Beschichtungskammer und damit eine genaue Ermittlung der Beschichtungsrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置（10）用于涂覆衬底（12）包括一个涂层室（18）和至少两个上涂覆室的相应的相对两侧，以便布置辐射孔（20，22），该光束（24）穿过 辐射的开口（20，22）具有在蒸发容器（16）和基片（12）之间的涂层锥体（14）照射。 至少两个反射镜腔室（26，28）分别设置在涂布室（18）外部，并且每一个都具有开口（30,32），其连接到辐射孔（20，22）。 在每个腔室的定向，使得布置在不同的腔室腔的反射镜的反射镜之间的光束可以耦合一个镜室的反射镜（34，36）。 至少一个腔室是部分透射镜。 至少一个检测器（44，46,48）检测出耦合从腔室的反射镜的光束。 这样的布置（10），允许精确确定在涂层室中的密度的，并因此精确确定的被覆率的。

公开(公告)号：WO2013028977A2

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：PCT/US2012/052281

申请日：2012-08-24

Applicant: MUSTANG VACUUM SYSTEMS, INC. ,  CHOQUETTE, Robert ,  EGLE, Lawrence ,  DICKEY, Aaron

Inventor： CHOQUETTE, Robert ,  EGLE, Lawrence ,  DICKEY, Aaron

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/542 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/246 ,  C23C14/54 ,  C23C14/544 ,  C23C14/545

Abstract: An apparatus and method for the evaporation and deposition of materials onto a substrate. A material hopper assembly may receive source material. An agitator mechanism may be controlled for urging or advancing forward the source material. A grinding mechanism may be controlled for grinding source material. A heating pot vessel may be heated to evaporate the source material. The evaporated source material may be deposited on a proximate substrate. The rate of the deposition may be controlled in part by the agitator mechanism and/or the grinding mechanism. Temperature zones in a heating pot vessel may be independently controlled to evaporate the source material. A reactor chamber may be heated to allow the evaporated source materials to interact. A heated mesh may be charged to accelerate particles of the evaporated source materials onto the substrate.

Abstract translation: 用于将材料蒸发和沉积到基底上的装置和方法。 材料料斗组件可以接收源材料。 可以控制搅拌器机构以推动或推进源材料。 可以控制研磨机构用于研磨源材料。 加热锅容器可以被加热以蒸发源材料。 蒸发的源材料可以沉积在邻近的基底上。 沉积速率可以部分地由搅拌器机构和/或磨削机构来控制。 可以独立地控制加热罐容器中的温度区域以蒸发源材料。 可以加热反应室以允许蒸发的源材料相互作用。 可以加热加热的网以将蒸发的源材料的颗粒加速到基底上。

公开(公告)号：WO2008041558A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：PCT/JP2007/068567

申请日：2007-09-25

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  周藤 賢治

Inventor： 周藤 賢治

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/544 ,  H01L51/001 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

Abstract: 蒸着装置１０は、第１の処理容器１００と第２の処理容器２００とを有し、第１の処理容器１００に内蔵された吹き出し器１１０と第２の処理容器２００に内蔵された蒸着源２１０とは、連結管２２０を介して互いに連結される。第１の処理容器１００には、その内部を所望の真空度にまで排気する排気機構が接続される。蒸着源２１０により気化された有機分子は、連結管２２０を介して吹き出し器１１０から吹き出され、基板Ｇ上に吸着し、これにより基板Ｇ上に薄膜が形成される。第２の処理容器２００と第１の処理容器１００とを別体にて設けることにより、成膜材料補充時、第１の処理容器１００内を大気に開放することがないため、排気効率を上げることができる。

Abstract translation: 蒸镀装置（10）具有第一处理容器（100）和第二处理容器（200）。 并入第一处理容器（100）中的喷口（110）和并入第二处理容器（200）中的气相沉积源（21）通过连接管（220）相互连接，连接到第一处理容器（100） 用于在容器内抽吸真空的气体排出机构，由气相沉积源（210）蒸发的有机分子从喷口（110）喷出并粘附在基板（G）上以在基板上形成薄膜 （G），由于第二处理容器（200）和第一处理容器（100）作为分离体彼此设置，所以第一处理容器（100）的内部不释放到大气中，从而增加气体排出 效率。

公开(公告)号：WO2006050846A1

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：PCT/EP2005/011706

申请日：2005-11-02

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  MAY, Christian ,  LEO, Karl ,  EDELMANN, Christian

Inventor： MAY, Christian ,  LEO, Karl ,  EDELMANN, Christian

IPC: C23C14/00

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/544

Abstract: Eine Vorrichtung zum Aufdampfen eines Beschichtungsmaterials auf einem Substrat umfasst einen Dampfverteilungsraum (115) zum Aufnehmen einer Verdampfungsquelle, wobei der Dampfverteilungsraum einen Düsenabschnitt (117) aufweist, der eine längliche Form hat, die eine Länge und eine Breite hat, wobei die Länge (121) größer oder gleich einer Breite des zu beschichtenden Substrats ist, und wobei die Breite kleiner als die Länge ist, und wobei der Düsenabschnitt ferner eine Höhe (123) aufweist, um die der Düsenabschnitt von dem Dampfverteilungsraum hervorsteht, wobei die Höhe größer als die Breite ist.

Abstract translation: 用于在基板上沉积涂层材料的装置包括蒸汽分配室（115），用于接收的蒸发源，其中，所述蒸汽分配室具有喷嘴部（117）具有长度和宽度的细长形状，所述长度（121） 大于或等于所述基板的宽度要被涂覆，并且其中，所述宽度小于所述长度，以及其中，所述喷嘴部分还包括高度（123）用于投射蒸汽分配室的喷嘴部，其中，所述高度是大于宽度 ，

公开(公告)号：WO99007914A1

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：PCT/US1998/015900

申请日：1998-07-27

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32935 ,  C23C14/34 ,  C23C14/544 ,  H01J37/34

Abstract: A method and apparatus (10) are provided for determining the flux rate of a target material (30) at a substrate (28) in a sputtering system (10), using emission line measurements. The magnitude of at least one emission line from a target material (30) and at least one emission line from a plasma are measured. The magnitudes are then processed to determine the flux rate of the target material (30) at the substrate (28). If a multiple component target (30) is used, emission lines from each of the target components (30) are measured and individual flux rates are determined for each of the target components (30). In one embodiment, feedback means are provided for changing process conditions based on the measured flux rates.

Abstract translation: 提供了一种方法和装置（10），用于使用发射线测量来确定溅射系统（10）中的基板（28）处的目标材料（30）的通量率。 测量来自目标材料（30）的至少一条发射线和来自等离子体的至少一条发射线的大小。 然后处理大小以确定基材（28）处的目标材料（30）的通量速率。 如果使用多分量目标（30），则测量来自每个目标分量（30）的发射线，并为每个目标分量（30）确定各个通量速率。 在一个实施例中，提供反馈装置用于基于所测量的通量速率来改变工艺条件。

公开(公告)号：WO2013028977A3

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/US2012052281

申请日：2012-08-24

Applicant: MUSTANG VACUUM SYSTEMS INC ,  CHOQUETTE ROBERT ,  EGLE LAWRENCE ,  DICKEY AARON

Inventor： CHOQUETTE ROBERT ,  EGLE LAWRENCE ,  DICKEY AARON

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/542 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/246 ,  C23C14/54 ,  C23C14/544 ,  C23C14/545

Abstract: An apparatus and method for the evaporation and deposition of materials onto a substrate. A material hopper assembly may receive source material. An agitator mechanism may be controlled for urging or advancing forward the source material. A grinding mechanism may be controlled for grinding source material. A heating pot vessel may be heated to evaporate the source material. The evaporated source material may be deposited on a proximate substrate. The rate of the deposition may be controlled in part by the agitator mechanism and/or the grinding mechanism. Temperature zones in a heating pot vessel may be independently controlled to evaporate the source material. A reactor chamber may be heated to allow the evaporated source materials to interact. A heated mesh may be charged to accelerate particles of the evaporated source materials onto the substrate.

Abstract translation: 一种用于将材料蒸发和沉积到衬底上的设备和方法。 料斗组件可以接收源材料。 可以控制搅拌器机构来推动或前进源材料。 研磨机构可以被控制用于研磨源材料。 加热罐容器可以被加热以蒸发源材料。 蒸发的源材料可以沉积在邻近的基底上。 沉积速率可部分由搅拌器机构和/或研磨机构控制。 加热锅容器中的温度区域可以被独立控制以蒸发源材料。 可以加热反应室以允许蒸发的源材料相互作用。 加热的网可以被充电以将蒸发的源材料的粒子加速到衬底上。

公开(公告)号：WO2013022669A2

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/US2012049146

申请日：2012-08-01

Applicant: 3M INNOVATIVE PROPERTIES CO ,  LYONS CHRISTOPHER S ,  ENGLE KENT T ,  VANHOOSE STEVEN R ,  SPAWN TERENCE D ,  PIEPER JOSEPH M ,  ANDERSON EDWARD J ,  STOSS WALTER

Inventor： LYONS CHRISTOPHER S ,  ENGLE KENT T ,  VANHOOSE STEVEN R ,  SPAWN TERENCE D ,  PIEPER JOSEPH M ,  ANDERSON EDWARD J ,  STOSS WALTER

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/45561 ,  B01D3/10 ,  B05D1/60 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/24 ,  C23C14/544 ,  C23C14/562 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/582 ,  C23C16/50

Abstract: A system for processing vapor. The system includes a vapor source for producing a vapor and an outlet conduit coupled to the vapor source for carrying the vapor from the vapor source. Downstream of the vapor source the outlet conduit separates into a vapor bypass conduit and a vapor feed conduit. The system further includes a first vapor control valve disposed in the bypass conduit, a second vapor control valve disposed in the feed conduit, a first vacuum chamber fluidically coupled to the bypass conduit, and a second vacuum chamber fluidically coupled to the feed conduit.

Abstract translation: 蒸汽处理系统 该系统包括用于产生蒸汽的蒸汽源和与蒸汽源耦合的出口导管，用于承载来自蒸汽源的蒸气。 在蒸汽源的下游，出口导管分离成蒸气旁路管道和蒸气供给导管。 该系统还包括设置在旁路管道中的第一蒸汽控制阀，设置在进料管道中的第二蒸气控制阀，与流体耦合到旁路管道的第一真空室，以及与进料管道流体耦合的第二真空室。

公开(公告)号：WO2012026483A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/JP2011/069027

申请日：2011-08-24

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  鎌田 美子 ,  石川 拓 ,  小野 裕司 ,  林 輝幸 ,  布瀬 暁志 ,  斉藤 美佐子 ,  鎌田 豊弘 ,  大槻 志門

Inventor： 鎌田　美子 ,  石川　拓 ,  小野　裕司 ,  林　輝幸 ,  布瀬　暁志 ,  斉藤　美佐子 ,  鎌田　豊弘 ,  大槻　志門

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H05B33/10 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/544 ,  C23C14/545 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 【課題】基板に薄膜を成膜させるのと同時に、膜厚の制御を行うことが可能な蒸着処理装置を提供する。 【解決手段】蒸着によって基板に薄膜を成膜させる蒸着処理装置であって、材料ガスを供給する減圧自在な材料供給部と、前記基板に薄膜を成膜する成膜部を備え、前記成膜部は前記基板に噴射される材料ガスの蒸気濃度を測定する検知手段を有し、前記検知手段における測定結果に基づいて成膜条件を制御する制御部を設けた、蒸着処理装置が提供される。

Abstract translation: 公开了一种能够在基板上沉积薄膜的同时进行膜厚控制的气相沉积处理装置。 通过气相沉积在基板上形成薄膜的气相沉积处理装置设置有供给材料气体并且能够自由降低压力的材料供应单元，以及用于在上述薄膜上沉积薄膜的沉积单元 基质。 上述沉积单元具有用于测量喷射到上述基板上的原料气体的蒸汽浓度的检测装置，并且设置有控制单元，该控制单元基于上述检测装置中的测量结果来控制沉积条件。

公开(公告)号：WO2011105957A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：PCT/SE2011/050201

申请日：2011-02-22

Applicant: PLASMADVANCE AB ,  HELMERSSON, Ulf ,  BRENNING, Nils ,  SÖDERSTRÖM, Daniel

Inventor： HELMERSSON, Ulf ,  BRENNING, Nils ,  SÖDERSTRÖM, Daniel

IPC: C23C14/22

CPC classification number: C23C14/223 ,  B22F9/12 ,  B22F2999/00 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/54 ,  C23C14/544 ,  H01J37/34 ,  B22F2202/13 ,  B22F1/025

Abstract: A high production rate plasma sputtering process for producing particles having a size of 10 μm or less is disclosed. The process causes ionization of at least a part of the sputtered target atoms and is performed at such parameters that the pick-up probability of ionized sputtered target atoms on the surface of grains is high.

Abstract translation: 公开了一种用于生产尺寸为10μm或更小的颗粒的高产率等离子体溅射方法。 该过程导致至少一部分溅射的靶原子的电离，并且以这样的参数进行，使得晶粒表面上的电离溅射靶原子的拾取概率高。

公开(公告)号：WO2003020998A2

公开(公告)日：2003-03-13

申请号：PCT/US2002/027526

申请日：2002-08-30

Applicant: MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： LI, Jiutao ,  MCTEER, Allen

IPC: C23C14/18

CPC classification number: C23C14/5846 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/544 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1658

Abstract: Methods of forming metal-doped chalcogenide layers and devices containing such doped chalcogenide layers include using a plasma to induce diffusion of metal into a chalcogenide layer concurrently with metal deposition. The plasma contains at least one noble gas of low atomic weight, such as neon or helium. The plasma has a sputter yield sufficient to sputter a metal target and a UV component of its emitted spectrum sufficient to induce diffusion of the sputtered metal into the chalcogenide layer. Using such methods, a conductive layer can be formed on the doped chalcogenide layer (in situ. )In integrated circuit devices, such as non-volatile chalcogenide memory devices, doping of the chalcogenide layer concurrently with metal deposition and formation of a conductive layer (in situ )with the doping of the chalcogenide layer reduces contamination concerns and physical damage resulting from moving the device substrate from tool to tool, thus facilitating improved device reliability.a

Abstract translation: 形成掺杂金属的硫族化物层的方法和包含这种掺杂的硫族化物层的器件包括使用等离子体来诱导金属与金属沉积同时扩散到硫族化物层中。 等离子体包含至少一种低原子量的惰性气体，例如氖或氦。 等离子体具有足以溅射金属靶的溅射产率和其发射光谱的UV分量足以引起溅射金属扩散到硫族化物层中。 使用这种方法，可以在掺杂的硫族化物层（原位）上形成导电层。在诸如非挥发性硫族化物存储器件的集成电路器件中，与金属沉积和形成导电层同时掺杂硫族化物层（ 原位）随着硫族化物层的掺杂而减少了由于将器件基板从工具移动到工具而导致的污染问题和物理损坏，从而有助于提高器件的可靠性。