公开(公告)号：WO2009044769A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：PCT/JP2008/067823

申请日：2008-10-01

Applicant: 株式会社アルバック ,  菊地 真 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  鄒 弘綱

Inventor： 菊地 真 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  鄒 弘綱

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

Abstract: 　本発明のカルコゲナイド膜は、基板上の絶縁層に形成されたコンタクトホール内にスパッタリングにより成膜されたカルコゲナイド膜であって、前記コンタクトホールの少なくとも底部に下地膜が形成され、この下地膜上かつ前記コンタクトホール内にカルコゲン化合物からなる結晶層を埋め込んでなる。

Abstract translation: 公开了一种硫属化物膜，其形成在通过溅射形成在基板上的绝缘层中的接触孔内。 至少在接触孔的底面形成基膜，在基膜上形成由硫属化合物构成的结晶层，以填充接触孔。

公开(公告)号：WO2009063950A1

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：PCT/JP2008/070706

申请日：2008-11-13

Applicant: 株式会社アルバック ,  菊地 真 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  鄒 弘綱

Inventor： 菊地 真 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  鄒 弘綱

IPC: H01L27/105 ,  C23C14/06 ,  H01L45/00

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/0623 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

Abstract: 　本発明のカルコゲナイド膜は、基板上の絶縁層に形成されたコンタクトホール内にスパッタリングにより成膜され、融点を降下させる融点降下材料を含むカルコゲン化合物からなる。

Abstract translation: 公开了一种硫属化物膜，其形成在通过溅射形成在基板上的绝缘层中的接触孔中，并且由包含降低熔点的熔点降低材料的硫属化合物组成。

公开(公告)号：WO2008090963A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/JP2008/051001

申请日：2008-01-24

Applicant: 株式会社アルバック ,  菊地 真 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  鄒 紅コウ

Inventor： 菊地 真 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  鄒 紅コウ

IPC: H01L27/105 ,  C23C14/34 ,  H01L45/00

CPC classification number: C23C14/345 ,  C23C14/046 ,  C23C14/0623 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

Abstract: 　基板上の絶縁層に形成されたコンタクトホール内にカルコゲナイド膜を形成する方法であって、前記カルコゲナイド膜と同一組成のターゲットを準備する段階と、前記ターゲットの直径をＴ（ｍ）、前記ターゲットと前記基板との間の距離をＬ（ｍ）とした場合に、前記距離Ｌと前記ターゲットの直径Ｔとの比Ｌ／Ｔを、０．５以上かつ１．５以下に設定する段階と、前記基板にバイアス電力を印加し、前記ターゲットにスパッタリング電力を印加するスパッタリング工程により、前記コンタクトホール内にカルコゲナイド膜を形成する段階と、を含む、カルコゲナイド膜の形成方法。

Abstract translation: 本发明提供一种在形成在基板上的绝缘层中的接触孔内形成硫族化物膜的方法。 该方法包括提供具有与硫属化物膜相同成分的靶的步骤，将L / T比设定为0.5以上且1.5以下的工序，T表示靶的直径m，L 表示靶和基板之间的距离，m，以及通过溅射工艺在接触孔内形成硫族化物膜的步骤，其中偏置电力施加到基板以向靶标施加溅射电力。

公开(公告)号：WO2008084639A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：PCT/JP2007/074479

申请日：2007-12-20

Applicant: 株式会社 アルバック ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  菊地 真 ,  西岡 浩 ,  鄒 紅コウ

Inventor： 木村 勲 ,  神保 武人 ,  菊地 真 ,  西岡 浩 ,  鄒 紅コウ

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/31 ,  H01L41/22

CPC classification number: C23C14/568 ,  C23C14/025 ,  C23C14/042 ,  C23C14/088 ,  C23C14/352 ,  C23C28/322 ,  C23C28/3455 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/316

Abstract: 　エッチング処理を利用することなく、複合酸化物層を含む多層膜を所望の素子形状に形成可能な多層膜形成方法。当該方法は、第１マスク（３０Ａ）を基板（Ｓ）の上方に位置させること、密着層ターゲット（Ｔ１）及び下部電極層ターゲット（Ｔ２）をスパッタし、前記第１マスクを用いて密着層（３６）及び下部電極層（３７）を前記基板上方に成膜すること、セラミック材料によって形成された第２マスク（３０Ｂ）を前記下部電極層の上方に位置させること、酸化物層ターゲット（Ｔ３）をスパッタし、前記下部電極層上に前記第２マスクを用いて複合酸化物層（３８）を積層すること、第３マスク（３０Ｃ）を前記複合酸化物層の上方に位置させること、上部電極層ターゲット（Ｔ４）をスパッタし、前記複合酸化物層上に前記第３マスクを用いて上部電極層（３９）を積層することを含む。

Abstract translation: 提供了一种用于形成多层膜的多层膜形成方法，其包括复合氧化物层并且具有期望的元件形状，而不使用蚀刻工艺。 该方法包括将第一掩模（30A）定位在衬底（S）上方的步骤; 溅射粘合剂层靶（T1）和下电极层靶（T2）并通过使用第一掩模在基片上形成粘合剂层（36）和下电极层（37）的步骤; 将由陶瓷材料形成的第二掩模（30B）定位在下电极层的上方的步骤; 溅射氧化物层靶（T3）并通过使用第二掩模层叠复合氧化物层（38）到下电极层上的步骤; 在所述复合氧化物层上方定位第三掩模（30C）的步骤; 以及溅射上电极层靶（T4）并通过使用第三掩模层叠复合氧化物层上的上电极层（39）的步骤。

公开(公告)号：WO2008075641A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：PCT/JP2007/074217

申请日：2007-12-17

Applicant: 株式会社 アルバック ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  菊地 真 ,  西岡 浩 ,  鄒 紅コウ

Inventor： 木村 勲 ,  神保 武人 ,  菊地 真 ,  西岡 浩 ,  鄒 紅コウ

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/083 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/088 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 　鉛系ペロブスカイト複合酸化物からなる薄膜の誘電特性と圧電特性を向上させた多層薄膜形成方法及び多層薄膜形成装置。多層薄膜形成方法は、下部電極層ターゲット（ＴＧ２）をスパッタして基板（Ｓ）の上方に貴金属からなる下部電極層（３２ｂ）を形成すること、鉛を含む酸化物層ターゲット（ＴＧ３）をスパッタして下部電極層（３２ｂ）の上に鉛系複合酸化物層（３３）を積層することを含む。下部電極層（３２ｂ）の厚さは１０～３０ｎｍに規定され、鉛系複合酸化物層（３３）の厚さは０．２～５．０μｍに規定される。

Abstract translation: 公开了一种多层薄膜的形成方法和多层薄膜的形成装置，能够提高由铅系钙钛矿复合氧化物构成的薄膜的介电特性和压电特性。 具体公开了一种形成多层薄膜的方法，其包括通过溅射下电极层靶（TG2）形成由基底（S）顶部上的贵金属构成的下电极层（32b），并形成 通过溅射含有铅的氧化物层靶（TG3）在下电极层（32b）上的引线基复合氧化物层（33）。 下电极层（32b）的厚度调节为10〜30nm，铅系复合氧化物层（33）的厚度调节为0.2〜5.0μm。