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公开(公告)号：WO2005043215A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：PCT/JP2004/016038
申请日：2004-10-28
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 荒田 育男 , 坂本 繁 , 寺田 浩敏
IPC: G02B21/00
CPC classification number: G02B21/33 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/0342 , G02B21/0004
Abstract: 検査対象の試料となる半導体デバイス上に両親媒性分子を含有する光学密着液を滴下し（Ｓ１０４）、その上に固浸レンズを設置する（Ｓ１０５）。続いて、固浸レンズの挿入位置を調整し（Ｓ１０６）、それから、光学密着液を乾燥させて（Ｓ１０８）、固浸レンズと半導体デバイスとを光学的に密着させる。これにより、試料の所望の位置への位置合わせが容易であり、試料に固浸レンズを光学的に確実に密着させることができる試料観察方法及び顕微鏡等が実現される。
Abstract translation: 含有两亲性分子的光学接触液滴在作为检查对象试样的半导体装置上（S104），并且设置固体浸没透镜（S105）。 随后，调节固体浸没透镜的插入位置（S106），并使光学接触液干燥（S108），以使固体浸没透镜与半导体器件发生光学接触。 结果，可以实现样品观察方法，显微镜等，其中对样品的期望部位的定位变得容易，并且可以实现固体浸没透镜与样品的光学上牢固的接触。
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公开(公告)号：WO2008156038A1
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：PCT/JP2008/060893
申请日：2008-06-13
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 寺田 浩敏 , 田邉 浩
IPC: G02B21/00
CPC classification number: G02B21/0016 , G01N21/9501 , G02B7/022 , G02B21/248 , G02B21/33
Abstract: 半導体デバイス１１の観察を行う場合、まず固浸レンズ６が半導体デバイス１１に接触したことが検知されると、振動発生部により固浸レンズ６を振動させる。続いて、固浸レンズ６からの反射光像を入力し、反射光像の反射光量ｍを算出し、この反射光量ｍの入射光量ｎに対する比率（ｍ／ｎ）が閾値Ａを越えていないかどうかを判断する。比率（ｍ／ｎ）が閾値Ａを越えているときは、固浸レンズ６と半導体デバイス１１との光学的密着が得られていないと判断され、再び固浸レンズ６を振動させる。比率（ｍ／ｎ）が閾値Ａを越えていないときは、固浸レンズ６と半導体デバイス１１との光学的密着が得られていると判断され、半導体デバイス１１の観察画像を取得する。これにより、固浸レンズと観察対象物との密着性を向上させることができる観察装置及び方法が実現される。
Abstract translation: 当观察半导体器件（11）时，当检测到固体浸没透镜（6）接触半导体器件（11）时，振动产生部分使固体浸没的透镜（6）振动。 输入来自固体摄影透镜（6）的反射光图像。 计算反射光图像的反射光m的量。 判断反射光量m与入射光n的比率（m / n）是否超过阈值A.如果比率（m / n）超过阈值A，则判断 固体浸没透镜（6）与半导体器件（11）之间的光学接触未建立，并且固体浸没透镜（6）再次振动。 如果比率（m / n）不超过阈值A，则判断固体透镜（6）与半导体器件（11）之间的光学接触是建立的，并且半导体器件（ 11）被收购。 由此，实现了能够提高固体摄影镜头和观察对象之间的粘合性的观察装置和方法。
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公开(公告)号：WO2005083490A1
公开(公告)日：2005-09-09
申请号：PCT/JP2005/003163
申请日：2005-02-25
IPC: G02B21/00
CPC classification number: G02B21/0016 , G02B21/33 , Y10S359/90
Abstract: 検査対象の半導体デバイスＳに対して、画像取得部１と、対物レンズ２０を含む光学系２と、半導体デバイスＳから対物レンズ２０への光軸を含む挿入位置、及び光軸を外れた待機位置の間を移動可能な固浸レンズ（ＳＩＬ）３とを設置する。そして、ＳＩＬ３を待機位置に配置し、半導体デバイスＳの基板の屈折率ｎ ０ 、及び厚さｔ ０ に基づいて焦点及び収差を補正する第１モードと、ＳＩＬ３を挿入位置に配置し、基板の屈折率ｎ ０ 、厚さｔ ０ 、ＳＩＬ３の屈折率ｎ １ 、厚さｄ １ 、及び曲率半径Ｒ １ に基づいて焦点及び収差を補正する第２モードとの２つの制御モードで観察を行う。これにより、半導体デバイスの微細構造解析などに必要な試料の観察を容易に行うことが可能な顕微鏡、及び試料観察方法が得られる。
Abstract translation: 对于要观察的半导体器件（S），可以在图像拾取部分（1），包括物镜（20）的光学系统（2）和固体浸没透镜（SIL）（3））之间移动 布置包括从半导体器件（S）到光学轴的光轴的插入位置和离开光轴的等待位置。 以两种控制方式进行观察。 在第一模式中，SIL（3）被布置在等待位置，并且基于半导体器件（S）的衬底的折射系数n0和厚度t0来校正焦点和像差。 在第二模式中，SIL（3）布置在插入位置，并且基于折射系数n0和基板的厚度t0以及折射系数n1，厚度d1和厚度t1来校正焦点和像差 SIL（3）的曲率半径R1。 因此，提供显微镜和样品观察方法，以容易地进行半导体器件的精细结构分析所需的样本观察。
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公开(公告)号：WO2005043210A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：PCT/JP2004/016040
申请日：2004-10-28
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 田邉 浩 , 荒田 育男 , 寺田 浩敏
IPC: G02B7/02
Abstract: 固浸レンズ３の底面を開口９ｂを通して下方に突出させた状態で当該固浸レンズ３を自重方向に支えるホルダ９を具備する構成とする。これにより、固浸レンズ３が観察対象物に載置されると、当該観察対象物により固浸レンズ３は持ち上げられた状態とされ、ホルダ９に対して自由な状態とされる。また、このとき、観察対象物に過度の圧力が加わることが無くされ、且つ、固浸レンズ３が観察対象物に馴染み密着すると共に、ホルダ９側又は観察対象物側の温度ドリフトが相手側に対して遮断され温度ドリフトによる影響が無くされる。これにより、観察対象物に損傷を与えることを無くすと共に高精度の観察を可能とする固浸レンズホルダが得られる。
Abstract translation: 一种装置，其中保持器（9）以固体浸没透镜（3）的底部通过开口（9b）向下突出，以自重方向支撑固体浸没透镜（3）。 因此，当放置在观察对象上时，固体浸没透镜（3）由观察对象抬起，并相对于保持器（9）保持自由。 此外，此时，消除了对观察对象施加过大压力的可能性，并且固体浸没透镜（3）与观察对象嵌合并紧密接触，并且保持器（9）上的温度漂移 观察侧的侧面或主体从关联侧切断，以消除由于温度漂移引起的影响。 因此，可以获得消除观察对象受损的可能性，并能够高精度地进行观察的固体浸没透镜架。
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公开(公告)号：WO2004088386A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/JP2004/003734
申请日：2004-03-19
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 荒田 育男 , 寺田 浩敏
IPC: G02B13/00
Abstract: The image of a sample (2) is observed by using a solid immersion lens (SIL) (1) formed of a material having a refractive index nL so as to have a spherical lens plane (10) having a radius of curvature RL. During the sample observation, geometric aberration characteristics by the SIL (1) are evaluated using a specified optical system. With a coefficient k (0
Abstract translation: 通过使用由具有折射率nL的材料形成的固体浸没透镜（SIL）（1）来观察样品（2）的图像，以具有具有曲率半径RL的球面透镜平面（10）。 在样品观察期间，使用特定的光学系统评估SIL（1）的几何像差特性。 利用系数k（0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2007144969A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2006/321061
申请日：2006-10-23
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 真島 敏幸 , 嶋瀬 朗 , 寺田 浩敏 , 堀田 和宏
IPC: G01R31/311 , G01N21/956
CPC classification number: G01R31/303
Abstract: 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像での輝度分布と、所定の輝度閾値とを比較することによって不良に起因する反応領域を抽出し、反応領域に対応して半導体デバイスの不良解析に用いられる解析領域を設定する解析領域設定部を有する。これにより、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムが実現される。
Abstract translation: 缺陷分析装置（10）包括用于获取半导体装置的缺陷观察图像（P2）的检查信息取得部（11） 布局信息获取单元，用于获取布局信息; 以及用于分析半导体器件缺陷的缺陷分析单元（13）。 缺陷分析单元（13）具有分析区域设定单元，将缺陷观察图像中的亮度分布与预定亮度阈值进行比较，以提取由缺陷引起的反应区域，并设置用于缺陷分析的分析区域 根据反应区域的半导体器件。 这实现了能够通过使用缺陷观察图像可靠且有效地执行半导体器件缺陷的分析的半导体缺陷分析装置，缺陷分析方法和缺陷分析程序。
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公开(公告)号：WO2006137391A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2006/312309
申请日：2006-06-20
IPC: G01R31/302 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/956 , G06T7/001 , G06T2207/30148
Abstract: 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析部１３と、解析結果の情報を表示装置４０に表示させる解析画面表示制御部１４とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像Ｐ２を参照して解析領域を設定するとともに、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて解析領域を通過するネットを抽出する。これにより、半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、解析方法、及び解析プログラムが実現される。
Abstract translation: 缺陷分析装置（10）包括用于获取半导体装置的缺陷观察图像（P2）的检查信息获取单元（11），用于获取布局信息的布局信息获取单元（12），缺陷分析单元 （13），用于对半导体器件的缺陷进行分析;以及分析图像显示控制单元（14），用于在显示装置（40）中显示关于分析结果的信息。 缺陷分析单元（13）基于缺陷观察图像（P2）设定分析区域，提取网络以通过分析区域，形成包含在半导体装置的布局中的多个网络。 因此，可以实现可以可靠且有效地进行半导体装置的缺陷的分析的半导体缺陷分析装置，分析方法和分析程序。
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公开(公告)号：WO2004065972A1
公开(公告)日：2004-08-05
申请号：PCT/JP2004/000335
申请日：2004-01-16
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 寺田 浩敏 , 鈴木 宏叔 , 石塚 利道
IPC: G01R31/302
CPC classification number: G01R31/311
Abstract: この発明は、レーザビームを利用して半導体集積回路等の試料の欠陥を検査するレーザビーム検査装置に関する。当該レーザビーム検査装置は、一定電流が供給されるかあるいは一定電圧が印可された試料に対しレーザビームを照射し、このレーザビームを試料表面に沿って走査させることにより生じる該試料の抵抗値変化に対応した電流変化又は電界変化を間接的に検出する。例えばこの電流変化は、定電圧源と試料との間に設けられた電源ラインを流れる電流によって発生する磁場変化を磁場検出装置が検出することで間接的に行われ、この磁場変化の検出により試料欠陥部位の特定が可能になる。
Abstract translation: 用于检查样品的缺陷的激光束检查设备，例如， 半导体集成电路，利用激光束。 激光束检查设备用激光束照射提供恒定电流或施加恒定电压的样品，并间接地检测与由扫描引起的样品的电阻变化相对应的电流变化或电场变化 带有激光束的样品表面。 例如，通过检测由通过磁场检测器流过恒定电压源和样品之间的馈线的电流引起的磁场变化而间接地检测电流变化，并且样品罐的缺陷部分 通过检测磁场的变化来指定。
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公开(公告)号：WO2008156037A1
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：PCT/JP2008/060891
申请日：2008-06-13
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 寺田 浩敏 , 田邉 浩
CPC classification number: G02B21/33 , G01N21/9501 , G02B7/022 , G02B21/0016 , G02B21/02 , G02B21/248
Abstract: 固浸レンズホルダ２００は、固浸レンズ６を保持するレンズ保持部６０を有するホルダ本体８と、このホルダ本体８を対物レンズ２１の前端部に取り付けるための対物レンズソケット９とを備えている。固浸レンズ６は、レンズ保持部６０に対して固定されずにフリーな状態で保持される。対物レンズソケット９には、ホルダ本体８を振動させる振動発生部１２０が取り付けられている。振動発生部１２０は、モータ保持部材１３０に保持された振動モータ１４０を有し、この振動モータ１４０の出力軸１４１には、重量的に偏った構造の重り１４２が取り付けられている。振動発生部１２０で発生した振動は、対物レンズソケット９及びホルダ本体８を介して固浸レンズ６に伝えられる。これにより、固浸レンズと観察対象物との密着性を向上させることができる固浸レンズホルダが実現される。
Abstract translation: 固体浸没透镜保持器（200）包括具有用于保持固体浸没透镜（6）的部分（60）的保持器主体（8）和用于将保持器主体（8）固定到前面的物镜插座（9） 物镜（21）的端部。 固体浸没透镜（6）没有固定到透镜保持部（60），而是保持在自由状态。 用于使保持器主体（8）振动的振动产生部（120）固定在物镜插座（9）上。 振动产生部分（120）具有保持在马达保持部件（130）上的振动马达（140），并且具有重心偏心结构的重物（142）固定在振动马达的输出轴（141）上 140）。 由振动产生部（120）产生的振动通过物镜插座（9）和保持体（8）传递到固体浸没透镜（6）。 因此，实现了在固体浸没透镜和观察对象物之间可以提高粘合性能的固体浸没透镜保持器。
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公开(公告)号：WO2008156005A1
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：PCT/JP2008/060545
申请日：2008-06-09
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 堀田 和宏 , 寺田 浩敏
IPC: G01R31/302 , G01N21/956 , H01L21/66
CPC classification number: G01R31/311
Abstract: 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、不良解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像を参照し、不良観察画像での反応情報に対応して解析領域を設定し、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数の配線のうちで解析領域を通過する配線を不良の候補配線として抽出するとともに、複数の配線での他の配線と候補配線との間の距離を参照して、候補配線に対する近接配線情報を取得する。これにより、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、解析方法、及び解析プログラムが実現される。
Abstract translation: 故障分析器（10）具备：取得半导体装置的故障监视图像（P2）的检查信息取得部（11） 布局信息获取部分，用于获取布局信息; 以及执行故障分析的故障分析部（13）。 故障分析部（13）参照故障监视图像，根据从故障监视图像获得的反应信息设定分析区域。 然后，故障分析部从半导体装置的布局中包含的多个配线中提取通过分析区域的配线的布线，是指候补布线和多个布线中的其他布线之间的距离 的布线，并且获取候选布线的接近连接信息。 因此，提供了能够通过使用故障监视器图像，分析方法和分析程序可靠且有效地分析半导体器件的故障的半导体故障分析器。
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