公开(公告)号：WO2004106580A1

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：PCT/EP2004/050389

申请日：2004-03-29

Applicant: AIXTRON AG ,  FRANKEN, Walter ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

Inventor： FRANKEN, Walter ,  STRAUCH, Gerhard, Karl

IPC: C23C14/04

CPC classification number: H01L21/682 ,  C23C14/042 ,  G03F1/20

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur lösbaren Halterung einer Maske (1) in Form eines rechteckigen Rahmens, wobei an den Schenkeln (2, 3) des Rahmens am Rand (1’) der Maske (1) angreifende Spannmittel vorgesehen sind. Erfindungsgemäss ist vorgesehen, dass die Spannmittel eine Vielzahl von Einzelfederelementen (4) aufweisen, die an nahe einander benachbarten Stellen am Maskenrand (1’) angreifen, wobei die einem Rahmenschenkel (2, 3) zugeordneten Einzelfederelemente (4) von einem gemeinsamen Spannhilfsglied (5) von einer Bestückungsstellung, in welcher der Rahmen mit der Maske (1) bestückbar ist, in eine Spannstellung bringbar sind, und als kammartig miteinander verbundene Blattfedern (4) ausgebildet sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种设备，用于可释放地保持在一个矩形框架形式的掩模（1），其特征在于，在腿（2，3）设置在掩模作用夹紧装置的边缘（1“）的帧（1）。 根据本发明，它提供的是，夹紧装置包括多个单独的弹簧件（4）上的掩模（1“）的边缘接合邻近点附近的，其中，所述一个框架构件（2，3）与单独的弹簧元件（4）通过一个共同的夹紧辅助构件相关联（5 ）由在其中（与掩模1）可以安装在框架，可被带入一个夹紧位置，以及（如梳状互连板簧4）的安装位置处形成。

公开(公告)号：WO2011101273A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：PCT/EP2011/051793

申请日：2011-02-08

Applicant: AIXTRON SE ,  STRAUCH, Gerhard Karl ,  FRANKEN, Walter ,  KOLLBERG, Marcel ,  KITTEL, Florenz ,  GERSDORFF, Markus ,  KÄPPELER, Johannes

Inventor： STRAUCH, Gerhard Karl ,  FRANKEN, Walter ,  KOLLBERG, Marcel ,  KITTEL, Florenz ,  GERSDORFF, Markus ,  KÄPPELER, Johannes

IPC: C23C14/54 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463

Abstract: Vorrichtung zum Behandeln, insbesondere Beschichten eines Substrates (12) mit einer Prozesskammer (1), mit mindestens einer mit der Prozesskammer (1) über eine Beladeöffnung (6, 7) verbundenen Bevorratungskammer (2, 3) zur Bevorratung in der Prozesskammer (11) zu behandelnder Substrate (12) bzw. bei der Behandlung zu verwendenden Masken (10, 10', 10", 10'"), mit einer Fördereinrichtung (13) zum Be- und Entladen der Prozesskammer (11) durch die Beladeöffnung (7) mit Substraten bzw. Masken (10, 10', 10", 10'"), mit einem temperierbaren Gaseinlassorgan (4) zum Einleiten eines Ausgangsstoffes zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer (1), einem dem Gaseinlassorgan (4) gegenüberliegenden Suszeptor (5) zur Aufnahme eines zu behandelnden Substrates (12), mit einer Schirmplatte (11), die in einer Abschirmstellung zwischen Gaseinlassorgan (4) und Suszeptor (5) bzw. einer Maske (10) liegt, um das Substrat (12) bzw. die Maske (10) gegen eine Temperaturbeeinflussung vom Gaseinlassorgan (4) abzuschirmen, mit einer Schirmplattenverlagerungseinrichtung (15, 16), um die Schirmplatte (11) vor dem Behandeln des Substrates (12) aus der Abschirmstellung vor dem Gaseinlassorgan (4) in einer Bevorratungsstellung zu verlagern und nach dem Behandeln des Substrates (12) die Schirmplatte (11) aus der Bevorratungsstellung zurück in die Abschirmstellung zu verlagern. Wesentlich ist, dass sich die Schirmplatte (11) in der Bevorratungsstellung innerhalb einer der Bevorratungskammern (2, 3) befindet.

Abstract translation: 用于经由装载开口治疗，特别是涂层具有处理室（1）的基板（12），与所述处理腔室（1）中的至少一项所述的装置（6,7）连接到存储室（2，3），用于在处理室存储（11） 待处理的基材（12），或在处理中所使用的掩模（10，10”，10‘10' ’），具有用于装载输送机（13），并通过装载孔卸载处理室（11）（7） 与具有温度控制的气体入口部件的衬底或掩模（10，10”，10‘10' ’）（4），用于在基座（4）相对与载气一起引入原料到处理室（1），气体入口构件（ 5）位于用于容纳基板的待处理（12），（屏蔽板11）（在进气机构4）和基座（5）和一个掩模（10）到所述衬底（12之间的遮蔽位置）或 掩模（10）相对于温度影响Gaseinlassorg 屏蔽到（4），与屏幕板位移装置（15，16）连接到屏蔽板置换在气体入口部件的前处理从屏蔽位置的基片（12）（11）之前，在存储位置，和（处理基底（4）之后 12）移动从所述存储位置的遮蔽板（11）返回到遮蔽位置。 至关重要的是，屏蔽板（11）在所述存储位置的存储室中的一个内（2，3）。

公开(公告)号：WO2007131900A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：PCT/EP2007/054383

申请日：2007-05-07

Applicant: AIXTRON AG ,  FRANKEN, Walter ,  KÄPPELER, Johannes

Inventor： FRANKEN, Walter ,  KÄPPELER, Johannes

IPC: C30B25/14 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4488 ,  C30B25/14

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Quellenanordnung einer VPE-Beschichtungseinrichtung mit einem einen flüssigen oder festen Ausgangsstoff (1) beinhaltenden, nach oben eine Öffnung aufweisenden Behälter (2), mit einer Zuleitung (3) für ein reaktives Gas (4), das mit dem Ausgangsstoff (1) zur Bildung eines den Ausgangsstoff aufweisenden Prozessgases (5) reagiert. Um die Quellenreaktion zeitlich zu stabilisieren, wird vorgeschlagen, einen unmittelbar auf dem Ausgangsstoff (1) aufliegenden Deckel (6), welcher zwischen sich und der Oberfläche (7) des Ausgangsstoffes (1) ein vom reaktiven Gas (4) durchströmbares Volumen (8) ausbildet, in welches die Zuleitung (3) mündet.

Abstract translation: 本发明涉及一种交联聚乙烯涂敷装置的与液体或固体的原料（1）含一源装置，向上具有开口的容器（2），具有用于将反应气体（4），其（与原料进料管线（3） 1）反应，以形成具有该工艺气体（5起始原料）。 为了稳定反应时间的源，它提出了一种直接在起始材料搁置（1）盖体（6），其本身和所述表面（7）之间从所述反应气体的原料（1）（4）通过体积流动（8） 形式，其中（3）打开的供给线。

公开(公告)号：WO2005083153A1

公开(公告)日：2005-09-09

申请号：PCT/EP2005/050242

申请日：2005-01-20

Applicant: AIXTRON AG ,  FRANKEN, Walter ,  KÄPPELER, Johannes

Inventor： FRANKEN, Walter ,  KÄPPELER, Johannes

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4585 ,  C23C16/45508 ,  C30B25/08

Abstract: Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneter Prozesskammer (2), die, Prozesskammerwandungen umfas­send, einen Prozesskammerboden (7) und eine vom Prozesskammerboden (7) mit einem Abstand (h) angeordnete Prozesskammerdecke (6) aufweist, wobei das Reaktorgehäuse (1) zumindest eine sich bei einer Änderung des Drucks innerhalb des Reaktorgehäuses (1) geringfügig elastisch verformbare Reaktor­wandung (3, 4) besitzt, welche Reaktorwandung (3, 4) insbesondere mittig eine Öffnung (17,18) aufweist, durch die ein Funktionselement (9, 10) ragt, welches mit einem ersten Abschnitt (9', 10') fest mit einer Prozesskammerwandung (6, 7) verbunden ist und einen zweiten Abschnitt (9", 10") aufweist, der ausserhalb des Reaktorgehäuses (1) angeordnet ist. Zur Erhöhung der Reproduzierbarkeit der Ergebnisse ist vorgesehen, dass das Funktionselement (9, 10) elastisch aus­weichbar mit der Reaktorwandung (3, 4) verbunden ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种CVD反应器具有在反应器壳体（1）布置在所述处理室（2），Prozesskammerwandungen包括处理室底部（7）和从处理室底座（7）以一定距离（H）设置处理室的天花板（6） 其中，特别集中在反应器壳体（1），具有至少一个与反应器壳体内的压力的变化（1）是轻微弹性变形的反应器壁（3，4），其中反应器壁（3,4）具有开口（17,18）， 通过被连接到固定于Prozesskammerwandung的第一部分（9”，10' ）的功能元件（9，10）突出（6,7）和第二部分（9”，10" ），这是外 在反应器壳体（1）设置。 增加结果的再现性提供的功能元件（9，10）被弹性地与反应器壁偏转（3，4）连接。

公开(公告)号：WO2004009299A3

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：PCT/EP2003/007244

申请日：2003-07-07

Applicant: AIXTRON AG ,  JÜRGENSEN, Holger ,  KÄPPELER, Johannes ,  FRANKEN, Walter

Inventor： JÜRGENSEN, Holger ,  KÄPPELER, Johannes ,  FRANKEN, Walter

IPC: C23C16/458

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Be- und Entladen einer Prozesskammer einer Beschichtungseinrichtung mit zumindest einem Substrat (1) mittels eines Greifers (2) eines Handhabungsautomaten. Erfindungsgemäss weist die Vorrichtung eine von dem Greifer (2) angreifbare Ladeplatte (3) auf, welche für jedes mindestens eine Substrat (1) eine von einem Rand (4) einer jedem Substrat (1) zugeordneten Öffnung (5) gebildeten Lagerstelle ausbildet. Ferner ist ein Substrathalter (7) mit einem an die Ladeplatte (3) angepassten sockelartigen Substratträger vorgesehen, auf welchen die Substratplatte derart aufsetzbar ist, dass Oberflächenabschnitte des Substratträgers einen Spaltabstand zum Substrat haben oder dass das Substrat auf einem Oberflächenabschnitt flächig aufliegt.

公开(公告)号：WO2010034733A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：PCT/EP2009/062306

申请日：2009-09-23

Applicant: AIXTRON AG ,  GERSDORFF, Markus ,  FRANKEN, Walter ,  OFFERMANNS, Arno

Inventor： GERSDORFF, Markus ,  FRANKEN, Walter ,  OFFERMANNS, Arno

IPC: C23C16/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/042 ,  B05C21/005 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01L21/673 ,  H01L21/68742 ,  H01L51/0011

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden lateral strukturierter Schichten auf einem auf einem Substrathalter (1) liegenden Substrat (2) mittels einer flächig auf der zu beschichtenden Substratoberfläche (2') aufliegenden Schattenmaske (3), wobei der Substrathalter (1) erste magnetische Zonen (4) aufweist zum magnetischen Anziehen diesen ersten magnetischen Zonen (4) zugeordnete zweite magnetische Zonen (5) der Schattenmaske (3), wobei die ersten magnetischen Zonen (4) vor dem Beschichten des Substrates (2) bei auf dem Substrat (2) aufliegender Schattenmaske (3) in eine aktive Stellung bringbar sind, in welcher die zweiten magnetischen Zonen (5) gegen die Substratoberfläche (2') angezogen werden und welche zum Aufsetzen bzw. Abnehmen der Schattenmaske (3) in eine nichtaktive Stellung bringbar sind, in welcher die auf die zweiten magnetischen Zonen (5) wirkende Anziehungskraft vermindert ist. Wesentlich ist, dass die ersten magnetischen Zonen (4) von in Aussparungen (6) einer Substratauflagefläche (1') des Substrathalters (1) einliegenden insbesondere permanent-magnetischen Elementen gebildet sind, die den zweiten magnetischen Zonen (5) örtlich zugeordnet sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置，用于在一个衬底保持器上由平坦的手段在衬底上沉积横向结构层（1）底部衬底（2）将被涂覆的表面（2“）静止荫罩（3），其中所述衬底保持器（1）第一磁性区 （4）用于磁性吸引所述第一磁性区（4）与所述荫罩（3），所述第二磁性区（5）相关联，其中（2），其中，在所述基板上涂布所述衬底之前，第一磁性区（4）（2） 休息荫罩（3）中的活性位置可带来的，被吸引在其中第二磁性区（5）相对于基板表面（2“）和其中用于放置或移除的阴影掩模（3）的可被带入非激活位置中 其中作用于第二磁性区（5）的吸引力减小。 至关重要的是，第一磁性区（4）的在凹部（6）的衬底保持器的衬底支撑表面（1“）的形成（1）插入，特别是永磁元件是与本地第二磁性区域相关联的（5）。

公开(公告)号：WO2008148759A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：PCT/EP2008/056847

申请日：2008-06-03

Applicant: AIXTRON AG ,  FRANKEN, Walter ,  KÄPPELER, Johannes

Inventor： FRANKEN, Walter ,  KÄPPELER, Johannes

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52

Abstract: Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einer Vielzahl auf einem drehangetriebenen Suszeptor (1) auf dynamischen Gaspolstern (3) getragenen Drehtellern (2), wobei jedes Gaspolster (3) von einem individuell gesteuerten Gasstrom gebildet wird und jeder Gasstrom abhängig von einer von einem Temperaturmessorgan (4) gemessenen Oberflächentemperatur von einem individuellen Stellglied (5) variierbar ist, mit einem den Suszeptor (1) tragenden, mit dem Suszeptor (1) drehenden Träger (6). Wesentlich ist eine in den Träger (6) mündende gemeinsame Gaszuleitung (7), mit der die am Träger (6) angeordneten Stellglieder (5) mit dem den Gasstrom bildenden Gas versorgt werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种CVD反应器上的多个动态气垫被旋转驱动的基座（1）（3）由（2），每个气垫（3）由一个单独控制的气体流量，并且根据的各一个气体流形成于旋转致动器承载 测得的温度测量构件（4）的致动器个人（5）的表面温度是可变的，与支撑基座（1），与所述的基座（1）旋转的载体（6）。 在（6）共同气体供应管线（7），其中布置在所述载体（6）上的致动器（5）与供给的载基本上打开所述气体流形成气体。

公开(公告)号：WO2010105947A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：PCT/EP2010/053015

申请日：2010-03-10

Applicant: AIXTRON AG ,  BRIEN, Daniel ,  PÜSCHE, Roland ,  FRANKEN, Walter

Inventor： BRIEN, Daniel ,  PÜSCHE, Roland ,  FRANKEN, Walter

IPC: C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  C30B29/42

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden mindestens einer, insbesondere kristallinen Schicht auf mindestens einem Substrat (5), mit einem, den Boden einer Prozesskammer (1) bildenden Suszeptor (2) zur Aufnahme des mindestens einen Substrates (5), mit einer die Decke der Prozesskammer (1) bildenden Deckenplatte (3) und mit einem Gaseinlassorgan (4) zum Einleiten von sich in der Prozesskammer zufolge Wärmezufuhr in die schichtbildende Komponenten zerlegenden Prozessgasen und eines Trägergases, wobei unter- halb des Suszeptors (2) eine Vielzahl von nebeneinander liegenden Heizzonen (H 1 - H 8 ) angeordnet sind, mittels derer insbesondere verschieden hohe Wärmeleistungen ( Q 1 , Q 2 ) in den Suszeptor (2) eingeleitet werden, um dessen zur Prozesskammer (1) weisende Oberfläche und das sich in der Prozesskammer (1) befindende Gas aufzuheizen, wobei oberhalb der Deckenplatte (3) ein mit der Deckenplatte (3) wärmegekoppeltes Wärmeableitorgan (8) vorgesehen ist, um die vom Suszeptor (2) zur Deckenplatte (3) transportierte Wärme abzuleiten. Zur Steigerung der Kristallqualität und der Effizienz des Abscheidungsprozesse, wird vorgeschlagen, dass die Wärmeleitkopplung zwischen Deckenplatte (3) und Wärmeableitorgan (8) örtlich verschieden ist, wobei Wärmeleitkopplungszonen (Z 1 - Z 8 ) hoher Wärmeleitfähigkeit örtlich zu Heizzonen (H 1 -H 8 ) hoher Wärmeleistung (Q 1 , Q 2 ) korrespondieren.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置，用于沉积的至少一个，在特定的结晶层的至少一个基板（5）上，其中一个中，处理腔室的地板（1）形成在基座（2），用于接收所述至少一个基板（5），与天花板 处理室（1）形成顶板（3）和具有气体入口构件（4），用于在根据热在成膜组分的处理室中分解工艺气体和载气导入，其中所述基座的下面（2）具有多个并置的 加热区（H1 - H8）被布置成借助于该特定不同的高热量输出（Q1，Q2）在基座（2），以加热所述处理腔室（1）的表面和延伸到所述处理腔室（1）利用Dende气体来发起 其中，所述顶板（3）与所述顶板（3）上方热耦合Wärmeableitorgan（8）由Suszept提供 或（2）在天花板面板（3）输送散热。 为了提高晶体质量和沉积工艺的效率，所以建议顶板之间的Wärmeleitkopplung（3）和Wärmeableitorgan（8）是局部不同，Wärmeleitkopplungszonen（Z1 - Z8）高的热导率以局部加热区域（H1-H8）高的热容量（ Q1，Q2）相符。

公开(公告)号：WO2007060143A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：PCT/EP2006/068642

申请日：2006-11-20

Applicant: AIXTRON AG ,  KÄPPELER, Johannes ,  FRANKEN, Walter

Inventor： KÄPPELER, Johannes ,  FRANKEN, Walter

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45508 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45576

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden mindestens einer Schicht auf mindestens einem Substrat (2) mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Prozesskammer, die einen von einem Substrathalter (4) gebildeten Prozesskammerboden, eine diesem gegenüberliegende Prozesskammerdecke (5, 6) und ein Gaseinlassorgan (7) zum Einlassen eines schichtbildende Komponenten enthaltenen Prozessgases aufweist, wobei die Prozesskammerdecke (5, 6) eine unterhalb eines Deckenplattenträgers (5) angeordnete Deckenplatte (6) aufweist, die sich im Wesentlichen über die gesamte Horizontalflächenerstreckung des Substrathalters (4) erstreckt. Um die eingangs genannte Vorrichtung betriebstechnisch zu verbessern, wird vorgeschlagen, dass das im lateralen Zentrum der Prozesskammer (3) angeordnete Gaseinlassorgan (7) durch eine Öffnung des Substrathalters (4) gespeist wird und die lösbar dem Deckenträger (5) zugeordnete Deckenplatte (6) durch eine seitliche Öffnung (9) des Reaktorgehäuses (1) austauschbar ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置，用于与至少一个基片（2）上沉积至少一个层，在反应器壳体（1）布置在所述处理室中，处理室地板由衬底保持器而形成的（4），此相反的过程腔室盖（5,6）和一个 气体入口构件（7）包括包含用于接纳一个成膜组分的处理气体，其特征在于，所述处理腔室盖（5,6）下方的顶板支撑布置成一个（5）覆盖板（6），其延伸基本上在所述衬底保持器的整个水平表面延伸部（4）。 为了可操作改进前述装置中，提出的是，在处理腔室的横向中心（3）通过所述衬底保持器（4）被供给的开口布置进气元件（7）和可释放分配给该顶棚支撑件（5）覆盖板（6） 通过反应器壳体的侧向开口（9）（1）是可更换的。

公开(公告)号：WO2003071504A1

公开(公告)日：2003-08-28

申请号：PCT/EP2003/001550

申请日：2003-02-15

Applicant: AIXTRON AG ,  BAUMANN, Peter ,  STRAUCH, Gerd ,  SCHUMACHER, Marcus ,  FRANKEN, Walter

Inventor： BAUMANN, Peter ,  STRAUCH, Gerd ,  SCHUMACHER, Marcus ,  FRANKEN, Walter

IPC: G08C17/02

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4586 ,  C30B25/16

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden dünner, insbesondere kristalliner Schichten auf mindestens einem, insbesondere kristallinen Substrat (1), mit einem in einem Reaktorgehäuse (2) drehbar angeordneten Substrathalter (3) und mit mindestens einem Sensor (4, 5) zum Messen eines Prozessparameters und einem Weiterleitungsmittel zum Weiterleiten des gemessenen Wertes des Prozessparameters an eine Auswerteeinrichtung. Die Weiterleitung soll erfindungsgemäss drahtlos erfolgen, wobei ein Sender (6) innerhalb des Reaktorgehäuses (2) und einem Empfänger (7) ausserhalb des Reaktorgehäuses angeordnet ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置，用于在至少一个沉积薄的，在特定的结晶层，特别是结晶性基板1，具有可旋转地布置在反应器壳体2衬底保持器3和具有至少一个传感器4，5测量用于测量过程参数和传送装置，用于传送 工艺参数，以评估装置的值。 转发是根据本发明的无线，其中，所述反应器壳体2和接收器7内的发射器6被设置在反应器壳体的外部发生。