公开(公告)号：WO2016037110A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/US2015/048644

申请日：2015-09-04

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： YONEHARA, Takao ,  SIMAS, Matthew ,  FRANKEL, Jonathan S.

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L21/67326 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/06 ,  C25F3/12 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063

摘要： Methods and apparatus for forming porous silicon layers are provided. In some embodiments, an anodizing bath includes: a housing having a first volume to hold a chemical solution; a cathode disposed within the first volume at a first side of the housing; an anode disposed within the first volume at a second side of the housing, opposite the first side, wherein a face of each of the cathode and the anode have a given surface area; a substrate holder configured to retain a plurality of substrates along a perimeter thereof within the first volume in a plurality of substrate holding positions, a plurality of vent openings fluidly coupled to the first volume to release process gases, wherein a top of each of the plurality of vent openings are disposed above a chemical solution fill level in the first volume.

摘要翻译： 提供了形成多孔硅层的方法和装置。 在一些实施例中，阳极氧化浴包括：具有保持化学溶液的第一体积的壳体; 阴极，其设置在所述壳体的第一侧的所述第一容积内; 阳极，其设置在所述壳体的与所述第一侧相对的第二侧的所述第一容积内，其中所述阴极和所述阳极中的每一个的表面具有给定的表面积; 衬底保持器，其构造成在多个衬底保持位置中沿着其周边沿着其周边保持多个衬底;多个通气开口，其流体耦合到第一体积以释放工艺气体，其中，多个衬底保持位置中的每一个的顶部 的排气口设置在第一容积中的化学溶液填充液面之上。

公开(公告)号：WO2016094271A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：PCT/US2015/064194

申请日：2015-12-07

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： YONEHARA, Takao ,  NARWANKAR, Pravin, K. ,  FRANKEL, Jonathan, S.

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68785 ,  H01L31/1876

摘要： Methods and systems for all wrap around porous silicon formation are provided herein. In some embodiments, a substrate holder used for all wrap around porous silicon formation may include a body having a tapered opening along a first edge of the body, wherein the tapered opening is configured to release byproduct gases produced during porous silicon formation on a substrate supported by the substrate holder, a first vacuum channel formed in the body and extending to a first surface of the body, and a first sealing element disposed on the first surface of the body and fluidly coupled to the first vacuum channel, where in the first sealing element supports the substrate when disposed thereon.

摘要翻译： 本文提供了所有环绕多孔硅形成的方法和系统。 在一些实施例中，用于全部包裹多孔硅结构的衬底保持器可以包括具有沿着主体的第一边缘的锥形开口的本体，其中锥形开口被配置为释放在支撑的衬底上的多孔硅形成期间产生的副产物气体 通过所述衬底保持器，形成在所述主体中并延伸到所述主体的第一表面的第一真空通道以及设置在所述主体的所述第一表面上并且流体耦合到所述第一真空通道的第一密封元件，其中在所述第一密封 元件在其上布置时支撑基板。