公开(公告)号：WO2013084429A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/JP2012/007448

申请日：2012-11-20

申请人： コニカミノルタ株式会社

发明人： 横山　光

IPC分类号： C25D7/00 ,  A61B6/06 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12 ,  G01T7/00 ,  G02B5/18

CPC分类号： C25D5/12 ,  A61B6/4291 ,  A61B6/484 ,  C25D5/02 ,  C25D11/04 ,  C25D11/32 ,  G02B5/1857

摘要： 　本発明の金属格子の製造方法は、シリコン基板の主面に凹部を形成し、この凹部を形成した側の表面に第１絶縁層を形成し、凹部の底部に形成された第１絶縁層を除去し、そして、電鋳法によって前記凹部に金属を埋めるものである。ここで、前記電鋳法によって前記凹部を金属で埋める前に、前記凹部の稜部に当たる部分に第２絶縁層が形成される。したがって、この金属格子の製造方法は、電鋳法によって格子の前記金属部分をより緻密に形成することができる。そして、本発明では、この金属格子の製造方法によって製造される金属格子およびこれを用いたＸ線撮像装置が提供される。

摘要翻译： 该金属晶格的制造方法包括在硅基板的主面上形成凹部，在形成有凹部的一侧的表面形成第一绝缘层，除去形成在凹部的底部的第一绝缘层 凹陷和通过电铸工艺将金属嵌入凹陷中。 这里，在通过电铸工艺将金属嵌入凹陷中之前，在与凹部的边缘部分相邻的部分中形成第二绝缘层。 因此，这种用于制造金属晶格的方法能够通过电铸工艺更紧凑地形成格子的金属部分。 本发明还提供一种通过该金属晶格的制造方法制造的金属晶格，并提供使用该金属晶格的X射线摄像装置。

公开(公告)号：WO2012065825A2

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：PCT/EP2011/068940

申请日：2011-10-28

申请人： EM-SILICON NANO-TECHNOLOGIES, S.L. ,  MATVEYEVA, Yauhenyia ,  MAKUSHOK, Yuri ,  PASTOR GALIANO, Ester, Lorena

发明人： MATVEYEVA, Yauhenyia ,  MAKUSHOK, Yuri ,  PASTOR GALIANO, Ester, Lorena

IPC分类号： C25D11/32

CPC分类号： C25D11/32 ,  C25D11/024

摘要： The present invention relates to a method for electrochemical treatments of a semiconductor material and the electrical pulse generator for said method used in the production of three-dimensional structures integrated in a wafer of semiconductor material or free standing nanostructured particles, characterized in that it comprises at least one step for the anodic formation of one or multiple porous layers etched in a semiconductor by means of applying electric current pulses with modulation of its intensity in time, a step of lifting the layers from the substrate by ultrasounds or mechanically and, optionally, a step of mechanical grinding.

摘要翻译： 本发明涉及半导体材料的电化学处理方法和用于制造集成在半导体材料或自由立体纳米结构粒子的晶片中的三维结构的所述方法的电脉冲发生器，其特征在于它包括 通过在时间上施加其强度调制的电流脉冲来进行半导体中蚀刻的一个或多个多孔层的阳极形成的至少一个步骤，通过超声或机械地将层从衬底提升的步骤，或者机械地 机械磨削的一步。

公开(公告)号：WO2016037110A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/US2015/048644

申请日：2015-09-04

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： YONEHARA, Takao ,  SIMAS, Matthew ,  FRANKEL, Jonathan S.

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L21/67326 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/06 ,  C25F3/12 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063

摘要： Methods and apparatus for forming porous silicon layers are provided. In some embodiments, an anodizing bath includes: a housing having a first volume to hold a chemical solution; a cathode disposed within the first volume at a first side of the housing; an anode disposed within the first volume at a second side of the housing, opposite the first side, wherein a face of each of the cathode and the anode have a given surface area; a substrate holder configured to retain a plurality of substrates along a perimeter thereof within the first volume in a plurality of substrate holding positions, a plurality of vent openings fluidly coupled to the first volume to release process gases, wherein a top of each of the plurality of vent openings are disposed above a chemical solution fill level in the first volume.

摘要翻译： 提供了形成多孔硅层的方法和装置。 在一些实施例中，阳极氧化浴包括：具有保持化学溶液的第一体积的壳体; 阴极，其设置在所述壳体的第一侧的所述第一容积内; 阳极，其设置在所述壳体的与所述第一侧相对的第二侧的所述第一容积内，其中所述阴极和所述阳极中的每一个的表面具有给定的表面积; 衬底保持器，其构造成在多个衬底保持位置中沿着其周边沿着其周边保持多个衬底;多个通气开口，其流体耦合到第一体积以释放工艺气体，其中，多个衬底保持位置中的每一个的顶部 的排气口设置在第一容积中的化学溶液填充液面之上。

公开(公告)号：WO2012040688A3

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/US2011053183

申请日：2011-09-24

申请人： SOLEXEL INC ,  YONEHARA TAKAO ,  TAMILMANI SUBRAMANIAN ,  KRAMER KARL-JOSEF ,  ASHJAEE JAY ,  MOSLEHI MEHRDAD M ,  MIYAJI YASUHIRO ,  HAYASHI TOKUYUKI ,  INAHARA TAKAMITSU

发明人： YONEHARA TAKAO ,  TAMILMANI SUBRAMANIAN ,  KRAMER KARL-JOSEF ,  ASHJAEE JAY ,  MOSLEHI MEHRDAD M ,  MIYAJI YASUHIRO ,  HAYASHI TOKUYUKI ,  INAHARA TAKAMITSU

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： C25F3/12 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/001 ,  C25D17/06 ,  C25F7/00

摘要： This disclosure enables high-productivity fabrication of porous semiconductor layers (made of single layer or multi-layer porous semiconductors such as porous silicon, comprising single porosity or multi-porosity layers). Some applications include fabrication of MEMS separation and sacrificial layers for die detachment and MEMS device fabrication, membrane formation and shallow trench isolation (STI) porous silicon (using porous silicon formation with an optimal porosity and its subsequent oxidation). Further, this disclosure is applicable to the general fields of photovoltaics, MEMS, including sensors and actuators, stand-alone, or integrated with integrated semiconductor microelectronics, semiconductor microelectronics chips and optoelectronics.

摘要翻译： 本公开使得可以高生产率地制造多孔半导体层（由单层或多层多孔半导体制成，例如多孔硅，包括单孔隙或多孔隙层）。 一些应用包括用于管芯分离和MEMS器件制造，膜形成和浅沟槽隔离（STI）多孔硅（使用具有最佳孔隙率及其随后的氧化的多孔硅形成）的MEMS分离和牺牲层的制造。 此外，本公开适用于光伏，MEMS的一般领域，包括传感器和致动器，独立或与集成半导体微电子学，半导体微电子学芯片和光电子集成。

公开(公告)号：WO2012040688A2

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/US2011/053183

申请日：2011-09-24

申请人： SOLEXEL, INC. ,  YONEHARA, Takao ,  TAMILMANI, Subramanian ,  KRAMER, Karl-josef ,  ASHJAEE, Jay ,  MOSLEHI, Mehrdad, M. ,  MIYAJI, Yasuhiro ,  HAYASHI, Tokuyuki ,  INAHARA, Takamitsu

发明人： YONEHARA, Takao ,  TAMILMANI, Subramanian ,  KRAMER, Karl-josef ,  ASHJAEE, Jay ,  MOSLEHI, Mehrdad, M. ,  MIYAJI, Yasuhiro ,  HAYASHI, Tokuyuki ,  INAHARA, Takamitsu

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： C25F3/12 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/001 ,  C25D17/06 ,  C25F7/00

摘要： This disclosure enables high-productivity fabrication of porous semiconductor layers (made of single layer or multi-layer porous semiconductors such as porous silicon, comprising single porosity or multi-porosity layers). Some applications include fabrication of MEMS separation and sacrificial layers for die detachment and MEMS device fabrication, membrane formation and shallow trench isolation (STI) porous silicon (using porous silicon formation with an optimal porosity and its subsequent oxidation). Further, this disclosure is applicable to the general fields of photovoltaics, MEMS, including sensors and actuators, stand-alone, or integrated with integrated semiconductor microelectronics, semiconductor microelectronics chips and optoelectronics.

摘要翻译： 本公开使得可以高产率地制造多孔半导体层（由诸如多孔硅的单层或多层多孔半导体制成，包括单孔隙率或多孔隙率层）。 一些应用包括制造用于脱模和MEMS器件制造，膜形成和浅沟槽隔离（STI）多孔硅的MEMS分离和牺牲层（使用具有最佳孔隙率的多孔硅形成及其随后的氧化）。 此外，本公开适用于光伏技术的MEMS领域，包括传感器和执行器，独立的或与集成半导体微电子，半导体微电子芯片和光电子集成。

公开(公告)号：WO2011110682A2

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/EP2011053739

申请日：2011-03-11

申请人： RISE TECHNOLOGY S R L ,  BALUCANI MARCO

发明人： BALUCANI MARCO

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/285 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L21/67173 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/32 ,  C25D3/38 ,  C25D5/022 ,  C25D5/026 ,  C25D5/04 ,  C25D7/12 ,  C25D11/02 ,  C25D11/32 ,  C25D17/00 ,  C25D17/001 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67236 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50

摘要： A photovoltaic cell (100) is proposed. The photovoltaic cell includes a substrate (105; 105') of semiconductor material, and a plurality of contact terminals (Tf,Tb) each one arranged on a corresponding contact area (122) of the substrate for collecting electric charges being generated in the substrate by the light. For at least one of the contact areas, the substrate includes at least one porous semiconductor region (125) extending from the contact area into the substrate for anchoring the whole corresponding contact terminal on the substrate. In the solution according to an embodiment of the invention, each porous semiconductor region has a porosity decreasing moving away from the contact area inwards the substrate. An etching module (400) and an electrolytic module (700;700';800;800') for processing photovoltaic cells, a production line (900) for producing photovoltaic cells, and a process for producing photovoltaic cells are also proposed.

摘要翻译： 提出了一种光伏电池（100）。 光伏电池包括半导体材料的衬底（105; 105'）和多个接触端子（Tf，Tb），每个接触端子（Tf，Tb）布置在基板的相应接触区域（122）上，用于收集在衬底中产生的电荷 由光。 对于至少一个接触区域，衬底包括从接触区域延伸到衬底中的至少一个多孔半导体区域（125），用于将整个对应的接触端子锚定在衬底上。 在根据本发明实施例的解决方案中，每个多孔半导体区域具有从接触区域向内移动的衬底的孔隙率降低。 还提出了用于处理光伏电池的蚀刻模块（400）和用于处理光伏电池的电解模块（700; 700'; 800; 800'），用于生产光伏电池的生产线（900）和用于生产光伏电池的工艺。

公开(公告)号：WO2010129719A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：PCT/US2010/033792

申请日：2010-05-05

申请人： SOLEXEL, INC. ,  KAMIAN, George ,  NAG, Somnath ,  TAMILMANI, Subbu ,  MOSLEHI, Mehrdad, M. ,  KRAMER, Karl-Josef ,  YONEHARA, Takao

发明人： KAMIAN, George ,  NAG, Somnath ,  TAMILMANI, Subbu ,  MOSLEHI, Mehrdad, M. ,  KRAMER, Karl-Josef ,  YONEHARA, Takao

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/09

CPC分类号： C25D11/32 ,  C25D11/005 ,  C25D17/001 ,  C25D17/06 ,  C25F3/12 ,  C25F7/00 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

摘要： This disclosure enables high-productivity fabrication of semiconductor-based separation layers (made of single layer or multi-layer porous semiconductors such as porous silicon, comprising single porosity or multi-porosity layers), optical reflectors (made of multi-layer / multi-porosity porous semiconductors such as porous silicon), formation of porous semiconductor (such as porous silicon) for anti-reflection coatings, passivation layers, and multi- junction, multi-band-gap solar cells (for instance, by forming a variable band gap porous silicon emitter on a crystalline silicon thin film or wafer-based solar cell). Other applications include fabrication of MEMS separation and sacrificial layers for die detachment and MEMS device fabrication, membrane formation and shallow trench isolation (STI) porous silicon (using porous silicon formation with an optimal porosity and its subsequent oxidation). Further the disclosure is applicable to the general fields of Photovoltaics, MEMS, including sensors and actuators, stand-alone, or integrated with integrated semiconductor microelectronics, semiconductor microelectronics chips and optoelectronics.

摘要翻译： 本公开使得能够高生产率地制造基于半导体的分离层（由单层或多层多孔半导体（例如多孔硅，包括单孔隙率或多孔度层构成），光反射器（由多层/多孔多孔半导体 孔隙度多孔半导体如多孔硅），用于抗反射涂层的多孔半导体（例如多孔硅）的形成，钝化层和多结的多带隙太阳能电池（例如通过形成可变带隙 晶体硅薄膜或晶圆太阳能电池上的多孔硅发射器）。 其他应用包括制造用于脱模和MEMS器件制造，膜形成和浅沟槽隔离（STI）多孔硅的MEMS分离和牺牲层（使用具有最佳孔隙率并随后氧化的多孔硅形成）。 此外，本公开适用于光伏，MEMS（包括传感器和致动器）的独立的一体或集成半导体微电子学，半导体微电子芯片和光电子学的一般领域。

公开(公告)号：WO2003062505A1

公开(公告)日：2003-07-31

申请号：PCT/JP2003/000458

申请日：2003-01-21

申请人： 東京エレクトロン株式会社 ,  八木 靖司 ,  青木 一二 ,  牛島 満

发明人： 八木 靖司 ,  青木 一二 ,  牛島 満

IPC分类号： C25D17/00

CPC分类号： C25D11/02 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/005 ,  Y10S204/07

摘要： An anodization device and an anodization method for electrochemically processing a substrate to be processed by using it as the anode and irradiating it with light, enabling the processing of a large-sized substrate to be processed with a smaller-sized constituent element. The electrical contact by with the substrate is effected by a plurality of contact members or by moving a contact member while changing the position. The substrate is so fabricated that the conductive layers of the portions to be processed of the substrate are connected to the respective contact portions of the contact members. The combination of this substrate and the contact members is used to energize only a part of the contact members by means of a switch. Alternatively, the contact members are energized to a part of the conductive layers of the substrate by the movement of the contact members. Thus, the current required for the anodization can be the one required for only a part of the portions to be processed.

摘要翻译： 一种阳极氧化装置和阳极氧化方法，用于通过使用其作为阳极进行电化学处理的基板并用光照射，使得能够以较小尺寸的构成元件处理大尺寸基板。 与基板的电接触由多个接触构件或通过在改变位置的同时移动接触构件来实现。 基板被制造成使得基板的待处理部分的导电层连接到接触构件的相应的接触部分。 该基板和接触构件的组合用于仅通过开关激励接触构件的一部分。 或者，通过接触构件的移动，接触构件被激励到衬底的导电层的一部分。 因此，阳极氧化所需的电流可以是仅处理部分的一部分所需的电流。

公开(公告)号：WO2003062504A1

公开(公告)日：2003-07-31

申请号：PCT/JP2003/000456

申请日：2003-01-21

申请人： 東京エレクトロン株式会社 ,  八木 靖司 ,  青木 一二 ,  牛島 満

发明人： 八木 靖司 ,  青木 一二 ,  牛島 満

IPC分类号： C25D17/00

CPC分类号： H01L21/67115 ,  C25D11/32 ,  C25D17/00 ,  H01L21/67057

摘要： A liquid treating device having a light source comprises a base plate holding block for holding a base plate, and a frame body forming a liquid treating tank connected to the base plate and opened at the upper end and having an inner wall surface inclined with respect to the vertical direction of the base plate surface. Since the frame body has the inclined inner wall surface, the radiation light directed from the light source to the base plate can be prevented from casting a shadow over the base plate as it is obstructed by the inner wall surface or the radiation light reflected by this inner wall surface can be prevented from falling on the base plate or from having its uniformity impaired.

摘要翻译： 具有光源的液体处理装置包括用于保持基板的基板保持块和形成连接到基板并在上端开口的液体处理槽的框架体，并且具有相对于 基板表面的垂直方向。 由于框架体具有倾斜的内壁表面，所以可以防止从光源引导到基板的辐射光在其被内壁表面或由其反射的辐射光所阻挡时在基板上投射阴影 可以防止内壁表面落在基板上或使其均匀性受损。

公开(公告)号：WO00075976A1

公开(公告)日：2000-12-14

申请号：PCT/US2000/011126

申请日：2000-04-26

IPC分类号： C25D11/32 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/02238 ,  C25D11/32 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31675 ,  H01L27/10861

摘要： A method for fabricating a semiconductor device, in accordance with the present invention, includes the steps of providing a semiconductor wafer having exposed p-doped silicon regions and placing the wafer in an electrochemical cell such that a solution including electrolytes interacts with the exposed p-doped silicon regions to form an oxide on the exposed p-doped silicon regions when a potential difference is provided between the wafer and the solution.

摘要翻译： 根据本发明的制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供具有暴露的p掺杂硅区域的半导体晶片并将晶片放置在电化学电池中，使得包含电解质的溶液与暴露的p掺杂硅区域相互作用， 当在晶片和溶液之间提供电位差时，掺杂的硅区域在暴露的p掺杂的硅区域上形成氧化物。