Abstract:
La présente invention concerne un procédé de contrôle du taux de défauts dans des films obtenus à l'aide d'une composition comprenant un mélange de copolymères à blocs et de polymères déposé sur une surface. Les polymères comprennent au moins un monomère identique à ceux présents dans l'un ou l'autre bloc des copolymères à blocs.
Abstract:
Procédé d'amélioration de l'uniformité de dimension critique de films ordonnés de copolymères à blocs La présente invention concerne un procédé de contrôle de l'uniformité de dimension critique de filmsordonnésde copolymères à blocs à l'échelle nanométrique. L'invention concerne également les compositions utilisées pour contrôler l'uniformité de dimension critique de films ordonnés de copolymères à blocs et les films ordonnés ainsi obtenus pouvant être utilisés en particulier comme masques dans le domaine de la lithographie.
Abstract:
L'invention concerne un procédé de réalisation d'un film de copolymères à blocs auto assemblés sur un substrat, ledit procédé consistant à effectuer un dépôt simultané de copolymère à blocs et de copolymère statistique au moyen d'une solution contenant un mélange, de copolymère à blocs et de copolymère statistique de nature chimique différente et non miscibles, puis à effectuer un traitement de recuit permettant la promotion de la ségrégation de phases inhérente à l'auto-assemblage des copolymères à blocs.
Abstract:
The present invention relates to a process for controlling the period characterizing the morphology obtained from a blend of block copolymers and of (co) polymers of one of the blocks on a surface employing a particular way of carrying out the synthesis of the blend of block copolymers and of (co) polymers of one of the blocks.
Abstract:
La présente invention concerne un procédé d'impression par transfert utilisant une nouvelle famille de couches anti adhésive. Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé d'impression par transfert utilisant une nouvelle famille de couches anti adhésive pour les procédés de lithographie par nano impression (nanoimprint lithography en anglais).
Abstract:
The present invention relates to a process for reducing the structuring time of ordered films of a composition of block copolymers on a surface without increasing the level of defects, this being whatever the orientation (perpendicular to the substrate, parallel to the substrate, etc.); this composition having a product χ effective*N (with χ effective = chi effective Flory-Huggins parameter, and N the total degree of polymerization) of between 10.5 and 40.
Abstract:
La présente invention concerne un procédé d' obtention de films ordonnés épais (typiquement > 20nm) et de périodes élevées (typiquement > 10nm) à l'échelle nanométrique comprenant un copolymère à blocs (BCP). L' invention concerne également les compositions utilisées obtenir ces films ordonnés épais et les films ordonnés ainsi obtenus pouvant être utilisés en particulier comme masques dans le domaine de la lithographie.
Abstract:
Procédé de contrôle de la synthèse d'un copolymère à blocs contenant au moins deux blocs, dont au moins un bloc apolaire et au moins un bloc polaire, ledit procédé permettant en particulier de contrôler le ratio entre les blocs et de la masse moléculaire de chacun des blocs, ledit copolymère étant un copolymère à blocs destiné à être utilisé en tant que masque dans un procédé de nano-lithographie par auto-assemblage direct (DSA), ledit contrôle se faisant par polymérisation anionique semi-continue en milieu apolaire aprotique et comprenant les étapes suivantes : - synthétiser un premier bloc apolaire sous forme d'un macro-amorceur, - préparer une solution dudit macro-amorceur préalablement synthétisé en le mélangeant avec un alcoolate de métal alcalin dans un solvant apolaire aprotique, - préparer une solution de monomère polaire dans un solvant apolaire aprotique, - injecter les deux solutions préalablement préparées de macro-amorceur et de monomère polaire dans un micro-mélangeur, relié à un réacteur de polymérisation, avec un rapport de flux constant, - récupérer le copolymère obtenu.
Abstract:
L' invention concerne un procédé permettant la création de structures nanométriques par l'auto-assemblage de copolymères à blocs dont au moins un des blocs est issu de la polymérisation de monomères comprenant au moins une entité cyclique répondant à la formule I. Ou X= Si(R 1 ,R 2 ); Ge(R 1 ,R 2 ) Z= Si(R 3 ,R 4) ; Ge(R 3 ,R 4 ); 0; S; C(R 3 ,R 4 ) Y= 0; S; C(R 5 ,R 6) T= 0; S; C(R7,R 8) R 1, R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 sont choisis parmi l'hydrogène, les groupements alkyle linéaires, branchés, cycliques, avec ou sans hétéroatome, les groupements aromatiques avec ou sans hétéroatome.
Abstract:
La présente invention concerne une composition d'une couche active d'une cellule photovoltaïque organique comprenant : • - un matériau donneur d'électrons consistant en un polymère conju¬ gué; • - un matériau accepteur d'électrons consistant en un polymère; caractérisée en ce que la couche active comprend un copolymère à architecture linéaire comportant : • de deux à cinq blocs dont au moins deux blocs de nature chimique différente; • deux blocs consécutifs étant de nature chimique différente; • chaque bloc présentant une masse molaire comprise entre 500 g/ mol et 50000 g/mol. L'invention se rapporte également à un module photovoltaïque à base de cellules organiques incorporant une telle composition et à l'utilisa¬ tion de cette composition aux mêmes fins.